在有源矩阵基板(5)中，具备：第1无机绝缘膜(第1绝缘层)(22)，其设置在栅极绝缘膜(绝缘膜)(21)上；有机绝缘膜(第2绝缘层)(23)，其设置在第1无机绝缘膜(22)上，并且热膨胀系数与该第1无机绝缘膜(22)相互不同；以及第2无机绝缘膜(第3绝缘层)(24)，其以覆盖有机绝缘膜(23)的方式设置，并且其一部分与第1无机绝缘膜(22)接触。在栅极绝缘膜(21)上不存在有机绝缘膜(23)的第2无机绝缘膜(24)的部分设置有切口部(K1)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有栅极总线和数据总线的有源矩阵基板以及使用了该有源矩阵基板的显示装置。
技术介绍
近年来，例如液晶显示装置作为与以往的布劳恩管相比具有薄型、重量轻等特长的平板显示器，已广泛用于液晶电视、监视器、便携电话等。在这样的液晶显示装置中，已知将有源矩阵基板用于作为显示面板的液晶面板的情况，在上述有源矩阵基板中，多个数据总线(源极配线)和多个栅极总线(扫描配线)配设为矩阵状，并且像素配置为矩阵状，上述像素在数据总线与栅极总线的交叉部的附近具有薄膜晶体管(TFT:Thin FilmTransistor)等开关元件和连接到该开关元件的像素电极。另外，在上述这样的现有的有源矩阵基板中，例如像下述专利文献I所记载的这样，已提出以覆盖有机绝缘膜PAS的方式设置含有SiN的第2无机绝缘膜IN3，从而使辅助电容变大。具体地说，在该现有的有源矩阵基板中，栅极绝缘膜GI以覆盖上述栅极总线的方式设置，并且该层间绝缘膜IN1、含有SiN的第I无机绝缘膜IN2以及有机绝缘膜PAS依次设置在栅极绝缘膜GI上。另外，在有机绝缘膜PAS上，设置有相对电极(共用电极)CT和反射膜RAL，并且以覆盖有机绝缘膜PAS、相对电极(共用电极)CT和反射膜RAL的方式且以与第I无机绝缘膜IN2接触的方式设置有上述第2无机绝缘膜IN3。而且，在第2无机绝缘膜IN3上设置有像素电极PX，辅助电容包括相对电极CT、第2无机绝缘膜IN3和像素电极PX。并且，在该现有的有源矩阵基板中，如上所述，通过设置含有SiN的第2无机绝缘膜IN3，能使辅助电容变大。现有技术文献专利f献专利文献1:特开2007-328210号公报
技术实现思路
_8] 专利技术要解决的问题然而，在上述这样的现有的有源矩阵基板中，第2无机绝缘膜(第3绝缘层)IN3是以覆盖有机绝缘膜(第2绝缘层)PAS的方式且以与第I无机绝缘膜(第I绝缘层)IN2接触的方式设置。因此，在该现有的有源矩阵基板中，存在如下问题:在第I无机绝缘膜IN2与第2无机绝缘膜IN3的界面(接触面)，由于第I无机绝缘膜IN2与有机绝缘膜PAS的热膨胀系数的差异而导致第2无机绝缘膜IN3产生变形、剥落等异常。鉴于上述的问题，本专利技术的目的在于，提供能够防止由于第I绝缘层和第2绝缘层的热膨胀系数的差异而导致第3绝缘层在其与第I绝缘层的界面处产生异常的有源矩阵基板和使用了该有源矩阵基板的显示装置。用于解决问题的方案为了达到上述目的，本专利技术的有源矩阵基板具有:基材；栅极总线，其设置在上述基材上；以及数据总线，其设置在与上述栅极总线隔着绝缘膜而不同的层，上述有源矩阵基板的特征在于，具备:第I绝缘层，其设置在上述绝缘膜上；第2绝缘层，其设置在上述第I绝缘层上，并且热膨胀系数与该第I绝缘层相互不同；以及，第3绝缘层，其以覆盖上述第2绝缘层的方式设置，并且其一部分与上述第I绝缘层接触，在上述绝缘膜上，在不存在上述第2绝缘层的上述第3绝缘层的部分设置有切口部的至少一部分。在如上所述构成的有源矩阵基板中，切口部的至少一部分设置于绝缘膜上不存在第2绝缘层的第3绝缘层的部分。由此，与上述现有例不同，能够防止由于第I绝缘层和第2绝缘层的热膨胀系数的差异而导致第3绝缘层在其与第I绝缘层的界面处产生异常。另外，在上述有源矩阵基板中优选:具备设置在上述绝缘膜的下方并且连接到上述栅极总线或者上述数据总线的引出配线，在上述绝缘膜上具有至少设置在上述引出配线的上方并且在上述切口部中露出的第I导电层。在该情况下，能够利用第I导电层保护引出配线，能够可靠地防止该引出配线产生断线。另外，在上述有源矩阵基板中优选:上述第I导电层包括与上述数据总线相同的导电层。在该情况下，能够容易地构成结构简单且简化了制造工序的有源矩阵基板。另外，在上述有源矩阵基板中优选:在上述第I绝缘层上具有至少设置在上述引出配线的上方并且在上述切口部中露出的第2导电层。在该情况下，能够利用第2导电层保护引出配线，能够可靠地防止该引出配线产生断线。另外，在上述有源矩阵基板中优选:上述切口部以使上述第2绝缘层的端部露出的方式设置。在该情况下，能够更可靠地防止第3绝缘层在其与第I绝缘层的界面处产生异常。另外，在上述有源矩阵基板中优选:上述第2绝缘层包括有机绝缘膜。在该情况下，能够容易地增大第2绝缘层的厚度，能够容易地提高该第2绝缘层的绝缘性。另外，在上述有源矩阵基板中优选:上述第I绝缘层、第2绝缘层以及第3绝缘层分别包括无机绝缘膜、有机绝缘膜以及无机绝缘膜。在该情况下，能够容易地使第I?第3的各绝缘层成为合适的绝缘层。另外，在上述有源矩阵基板中，上述第I绝缘层和第3绝缘层也可以包括相同的绝缘材料。在该情况下，能够容易地构成成本低廉的有源矩阵基板。另外，在上述有源矩阵基板中，上述切口部也可以设置在与上述栅极总线或者上述数据总线连接的连接端子的附近。在该情况下，即使在第3绝缘层比较容易产生异常的连接端子的附近，也能够利用切口部防止该第3绝缘层产生异常。另外，本专利技术的显示装置的特征在于，使用了上述任一有源矩阵基板。在如上所述构成的显示装置中，使用了能够防止由于第I绝缘层和第2绝缘层的热膨胀系数的差异而导致第3绝缘层在其与第I绝缘层的界面处产生异常的有源矩阵基板，因此，能够容易地构成具有优异可靠性的显示装置。专利技术效果根据本专利技术，能提供能够防止由于第I绝缘层和第2绝缘层的热膨胀系数的差异而导致第3绝缘层在其与第I绝缘层的界面处产生异常的有源矩阵基板和使用了该有源矩阵基板的显示装置。【附图说明】图1是说明使用了本专利技术的第I实施方式的有源矩阵基板的液晶显示装置的图。图2是说明图1所示的液晶面板的构成的图。 图3是说明上述液晶面板的像素结构的放大俯视图。图4 (a)是图3的IVa-1Va线截面图，图4 (b)是图3的IVb_IVb线截面图。图5是说明上述有源矩阵基板中的端子部的设置例的图。图6(a)是说明上述有源矩阵基板的主要部分的俯视图，图6(b)是图6 (a)的VIb-VIb线截面图。图7(a)是说明有源矩阵基板的比较例的主要部分的俯视图，图7(b)是图7(a)的VIIb-VIIb线截面图。图8(a)是说明本专利技术的第2实施方式的有源矩阵基板的主要部分的俯视图，图8(b)是图8(a)的VIIIb-VIIIb线截面图。图9(a)是说明本专利技术的第3实施方式的有源矩阵基板的主要部分的俯视图，图9(b)是图9(a)的IXb-1Xb线截面图。图10(a)是说明本专利技术的第4实施方式的有源矩阵基板的主要部分的俯视图，图10(b)是图10(a)的Xb-Xb线截面图。【具体实施方式】以下，参照附图来说明本专利技术的有源矩阵基板和显示装置的优选实施方式。此外，在以下的说明中，说明将本专利技术应用于透射型的液晶显示装置的情况。另外，各图中的构成部材的尺寸并非忠实地表示实际的构成部材的尺寸和各构成部材的尺寸比例等。图1是说明使用了本专利技术的第I实施方式的有源矩阵基板的液晶显示装置的图。在图1中，在本实施方式的液晶显示装置I中设置有:液晶面板2，其将图1的上侧设置为视觉识别侧(显示面侧当前第1页1 2 3 4 5 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有源矩阵基板，具有：基材；栅极总线，其设置在上述基材上；以及数据总线，其设置在与上述栅极总线隔着绝缘膜而不同的层，上述有源矩阵基板的特征在于，具备：第1绝缘层，其设置在上述绝缘膜上；第2绝缘层，其设置在上述第1绝缘层上，并且热膨胀系数与该第1绝缘层相互不同；以及，第3绝缘层，其以覆盖上述第2绝缘层的方式设置，并且其一部分与上述第1绝缘层接触，在上述绝缘膜上，在不存在上述第2绝缘层的上述第3绝缘层的部分设置有切口部的至少一部分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：横井安弘，原田光徳，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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