一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的制备方法，具体步骤如下：将陶瓷结构进行台阶式的缩口设计，把封接面隐藏在陶瓷结构和金属零件之间的狭缝中，避免二次电子的轰击；在封接方式上，采取完全屏蔽式的外套封结构，将封接面完全隐藏起来；在陶瓷结构的端面上，增加一个无氧铜屏蔽环。本发明专利技术通过对X射线管的封接结构进行合理设计，同时对陶瓷结构进行遮挡和均压设计，对二次电子和散射电子进行有效屏蔽，减少工作时电子对封接面和陶瓷结构的轰击与附着，减少射线管的漏气率，提高绝缘强度，保证射线管可靠稳定地工作。

【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的制备方法
本专利技术涉及高能物理
，具体是一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的制备方法。
技术介绍
X射线管工作时，阳极钨靶在承受高速电子的轰击产生X光的同时，不可避免的同时会产生二次电子。二次电子的发射类型可分为反射型、投射型和绝缘体的电子轰击导电型。X射线管在工作时，管壳部分的金属和绝缘体要承受高电压作用下散射电子的轰击，同时会有从阳极弹出的二次电子的轰击。这些电子的如果轰击到陶瓷与金属的封接面，会引起做为焊接陶瓷与金属材料载体的焊料的温升，温升严重时会产生漏气。电子在陶瓷材料上的附着会降低陶瓷的绝缘强度，激发管内闪烁，严重影响射线管的稳定工作。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种减少漏气率、提高绝缘强度的屏蔽二次电子轰击的X射线管的制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的制备方法，具体步骤如下：1)将陶瓷结构进行台阶式的缩口设计，把封接面隐藏在陶瓷结构和金属零件之间的狭缝中，避免二次电子的轰击；2)在封接方式上，采取完全屏蔽式的外套封结构，将封接面完全隐藏起来；3)在陶瓷结构的端面上，增加一个无氧铜屏蔽环，所述无氧铜屏蔽环位于陶瓷结构和金属零件之间。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过对X射线管的封接结构进行合理设计，同时对陶瓷结构进行遮挡和均压设计，对二次电子和散射电子进行有效屏蔽，减少工作时电子对封接面和陶瓷结构的轰击与附着，减少射线管的漏气率，提高绝缘强度，保证射线管可靠稳定地工作。附图说明图1为采用本专利技术改造后的X射线管的结构示意图。图2为图1中A处的结构示意图。图3为图1中B处的结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。请参阅图1-3，一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的制备方法，具体步骤如下：1)将陶瓷结构1进行台阶式的缩口设计，把封接面2隐藏在陶瓷结构1和金属零件3之间的狭缝中，避免二次电子的轰击；2)在封接方式上，采取完全屏蔽式的外套封结构，将封接面2完全隐藏起来；3)在陶瓷结构1的端面上，增加一个无氧铜屏蔽环4，无氧铜屏蔽环4位于陶瓷结构1和金属零件3之间，一方面避免散射电子和二次电子直接轰击和附着在陶瓷绝缘件表面，另一方面均衡了管内的电场，避免了电场的畸变。本专利技术通过采用屏蔽二次电子轰击的结构设计，射线管的整管漏气率由12％下降为0.5％，通过对新结构的电子管子做电磁场分析，新管子的电场分布的均匀性有所提高，局部场强减弱，这非常有利于射线管在高电压下减少击穿，稳定的工作。本专利技术通过对X射线管的封接结构进行合理设计，同时对陶瓷结构1进行遮挡和均压设计，对二次电子和散射电子进行有效屏蔽，减少工作时电子对封接面2和陶瓷结构1的轰击与附着，减少射线管的漏气率，提高绝缘强度，保证射线管可靠稳定地工作。上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下作出各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的方法，其特征在于，具体步骤如下：1)将陶瓷结构(1)进行台阶式的缩口设计，把封接面(2)隐藏在陶瓷结构(1)和金属零件(3)之间的狭缝中，避免二次电子的轰击；2)在封接方式上，采取完全屏蔽式的外套封结构，将封接面(2)完全隐藏起来；3)在陶瓷结构(1)的端面上，增加一个无氧铜屏蔽环(4)。

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽二次电子轰击的X射线管的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：1)将陶瓷结构(1)进行台阶式的缩口设计，把封接面(2)隐藏在陶瓷结构(1)和金属零件(3)之间的狭缝中，避免二次电子的轰击...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘斌，张晓梅，黎花，王学斌，曾春晖，陈华北，
申请(专利权)人：成都凯赛尔电子有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51