一种天线装置、卡式器件及电子设备，所述的天线装置将形成有导体图案的多个绝缘体进行层叠，在层叠体上构成由所述导体图案构成的多匝的天线线圈，从绝缘体的层叠方向观察时，天线线圈的每一匝由形成第1边的第1导体图案、形成第2边的第2导体图案、形成第3边的第3导体图案、以及形成第4边的第4导体图案构成，第1导体图案形成在第1层上，第2导体图案形成在不同于第1层的第2层上，第3导体图案及第4导体图案从第1层形成到第2层，将第1～第4导体图案按照如下的方式配置在各绝缘体上，即，使针对每一匝将由1匝的导体图案形成的卷绕形状的重心相连接的线的方向相对于绝缘体的层叠方向倾斜。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及在RFID (Rad1 Frequency Identif icat1n:射频识别)系统、近距离无线通信(NFC:Near Field Communicat1n:近场通信)系统等中使用的天线装置、具备该天线装置的卡式器件及电子设备。
技术介绍
例如，在专利文献I中示出了装载在应用于RFID系统等的无线通信设备中的天线装置。专利文献I通过将磁性体插入到形成在柔性基板的同一平面上的天线线圈的开口部中来控制天线的方向性。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特许第4883136号公报
技术实现思路
技术所要解决的技术问题然而，在专利文献I中存在以下问题，即，在增加匝数的情况下，若朝卷绕的内侧(卷绕中心)增加匝数，则线圈开口部的面积会变得狭窄，因此，通过线圈开口部的磁通受到限制，通信特性变差。另一方面，若在维持线圈开口部的面积的状态下朝卷绕的外侧增加匝数，则天线线圈的外形会增大。因此，本技术的目的在于提供一种能抑制外形尺寸的增大、即使增加天线线圈的匝数也能维持线圈开口部的大小的结构的天线装置、具备该天线装置的卡式器件及电子设备。解决技术问题所采用的技术方案本技术的天线装置将形成有导体图案的多个绝缘体进行层叠，在层叠体上构成由所述导体图案构成的多匝的天线线圈，其特征在于，从所述绝缘体的层叠方向观察时，所述天线线圈的每一匝由形成第I边的第I导体图案、形成第2边的第2导体图案、形成第3边的第3导体图案、以及形成第4边的第4导体图案构成，第I导体图案形成在第I层上，第2导体图案形成在不同于第I层的第2层上，第3导体图案及第4导体图案从第I层形成到第2层，所述第I?第4导体图案按照如下的方式配置在各绝缘体上，即，使将由I匝的导体图案形成的卷绕形状的重心针对每一匝相连接的线的方向相对于所述绝缘体的层叠方向倾斜。通过上述结构，能抑制天线线圈的外形尺寸的增大，在不使实质上的线圈开口变窄的情况下增加匝数。优选为所述I匝的导体图案的大小及形状实质上相同。由此，能增大单位占有面积的作为天线线圈的有效区域。此外，优选为所述第3导体图案及所述第4导体图案在每一卷绕中形成在不同的层上，并在所述绝缘体的层叠方向上观察时相重合。由此，能抑制俯视时第3导体图案及第4导体图案的占有面积的增大，并且能在确保线圈开口的情况下增加天线线圈的匝数。在所述绝缘体的层叠方向观察时，多个所述第I导体图案的形成范围也可以与多个所述第2导体图案的形成范围局部重合。由此，能缩小天线线圈的单位匝数的占有面积。优选为在所述绝缘体的层叠方向观察时，所述第I导体图案与所述第2导体图案平行。由此，导体图案变得单纯，能在有限的面积形成规定匝数的天线线圈。在所述绝缘体的层叠方向观察时，所述第I导体图案也可以与所述第2导体图案不平行。由此，能使线圈开口的形状多样化。优选为所述第I导体图案及所述第2导体图案的线宽大于所述第3导体图案及所述第4导体图案的线宽(或者，第3导体图案及第4导体图案的线宽小于第I导体图案及第2导体图案的线宽)。由此，能抑制导体图案的直流电阻分量，确保线圈开口的面积，且能抑制导体图案间的寄生电容。本技术的卡式器件的特征在于，在卡式封装体内设有上述任一结构的天线装置。本技术的电子设备的特征在于，在壳体内具备电路基板，在该电路基板上安装有上述任一结构的天线装置。技术的效果根据本技术，无需使实质上的线圈开口变窄就能增加匝数。因此，能获得一种尽管小型但具有规定的电感和高增益的天线装置、具备该天线装置的卡式器件及电子设备。【附图说明】图1是实施方式I所涉及的天线装置101的立体图。图2是天线装置101的分解立体图。图3 (A)是图1中的A-A部分的剖视图，图3⑶是图1中的B-B部分的剖视图。图4㈧是表示在由第I导体图案、第2导体图案、第3导体图案及第4导体图案构成的天线线圈中通过的磁通及线圈卷绕轴的剖视图，图4(B)是表示该天线线圈的线圈卷绕轴的俯视图。图5是表示天线装置101的天线线圈的各部分所产生的寄生电容的图。图6(A)是本实施方式的天线装置101的立体图，图6(B)是比较例I的天线装置的立体图，图6(C)是比较例2的天线装置的立体图。图7是表示天线装置101与读写器侧天线200的位置关系的图。图8是表示图6所示的各天线装置的相对于偏置的耦合系数的变化的图。图9 (A)是天线装置102A的俯视图，图9⑶是其剖视图。图10 (A)是天线装置102B的俯视图，图10⑶是其剖视图。图11是天线装置103A的俯视图。图12是天线装置103B的俯视图。图13㈧是实施方式4的天线装置104的俯视图，图13⑶是比较例的天线装置的俯视图。图14是层叠体上的、形成有导体图案10、20、30、40的绝缘体的俯视图。图15是实施方式6的天线装置106的立体图。图16是实施方式7的电子设备301的主要部分的剖视图。图17是在金属插口(metal socket) 410内插入了实施方式8的卡式器件401的状态下的俯视图。图18是具备金属插口 410的电子设备的主要部分的剖视图。【具体实施方式】以下，参照附图列举几个具体的示例来表示用于实施本技术的多个实施方式。在各图中，对同一部位标注相同的标号。当然，各实施方式是例示，可以将不同的实施方式中所示出的结构进行局部的置换或组合。《实施方式I》图1是实施方式I所涉及的天线装置101的立体图。该天线装置101是将形成有导体图案的多个绝缘体进行层叠、并在层叠体90内构成有由第I导体图案10、第2导体图案20、第3导体图案30、第4导体图案40构成的多匝的天线线圈而成的。图1是透视层叠体的内部的图。图2是天线装置101的分解立体图。图1所示的层叠体90是将多个绝缘体SI?SlO进行层叠而成的。在层叠体90的内部形成有第I导体图案10 (11、12、13、14、15)、第2导体图案 20(21、22、23、24、25)、第 3 导体图案 30 (31、32、33、34、35、31V、32Va、32Vb、33Va、33Vb、34Va、34Vb、35V)、及第 4 导体图案 40 (41、42、43、44、41V、42Va、42Vb、43Va、43Vb、44V、45V) ο在绝缘体SI?SlO中的规定的绝缘体的下表面形成有第I导体图案、第2导体图案、第3导体图案的线状导体及第4导体图案的线状导体。这些线状导体在下面简称为导体图案。此外，在绝缘体SI?SlO的规定部位分别形成有第3导体图案的通孔导体31V、32Va、32Vb、33Va、33Vb、34Va、34Vb、35V、及第 4 导体图案的通孔导体 41V、42Va、42Vb、43Va、43Vb、44V、45V。在绝缘体SI的下表面形成有输入输出端子51、52及安装用端子53、54。在绝缘体S2上形成有导体图案11、12、13、14、15、35、44。在绝缘体S4上形成有导体图案34。在绝缘体S5上形成有导体图案43。在绝缘体S6上形成有导体图案33。在绝缘体S7上形成有导体图案42。在绝缘体S8上形成有导体图案32。在绝缘体SlO上形成有导体图案21、22、23、24、25、31、41。上述第I导体图案11、12、13、14、15本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种天线装置，该天线装置将形成有导体图案的多个绝缘体进行层叠，在层叠体上构成由所述导体图案形成的多匝的天线线圈，其特征在于，从所述绝缘体的层叠方向观察时，所述天线线圈的每一匝由形成第1边的第1导体图案、形成第2边的第2导体图案、形成第3边的第3导体图案、以及形成第4边的第4导体图案构成，第1导体图案形成在第1层上，第2导体图案形成在不同于第1层的第2层上，第3导体图案及第4导体图案从第1层形成到第2层，所述第1～第4导体图案按照如下的方式配置在各绝缘体上，即，使针对每一匝将由1匝的导体图案形成的卷绕形状的重心相连接的线的方向相对于所述绝缘体的层叠方向倾斜。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：天野信之，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本;JP
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