一种新型腔内倒角陶瓷环制造技术

一种新型腔内倒角陶瓷环，将陶瓷环承托晶圆的圆形凹槽的边缘加工成斜角，并在边缘利用圆弧过渡防止电荷堆积。所述陶瓷环放在热盘上，晶圆放在陶瓷环的圆形凹槽内。工艺时，工艺气体从晶圆上方喷下，并形成等离子体，反应物沉积在晶圆表面，其他副产物和带电粒子逐渐向四周移动，最终被排除腔体。这个过程中携有带电粒子的气体通过陶瓷环承托晶圆的凹槽边缘时，会在此处产生波动，此处为斜坡，气流经过时不会受到过大的阻碍，形成紊流，仍能保持层流状态，因此可改善膜层的均匀性，从而保证了工艺的稳定性。可广泛地应用于半导体薄膜沉积的技术领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体镀膜设备用的新型腔内倒角陶瓷环，该倒角陶瓷环主要应用于半导体镀膜设备反应腔内常温或高温工艺过程中，属于半导体薄膜沉积的应用

技术介绍
现有的半导体镀膜设备的晶圆承载陶瓷环承托晶圆的圆形凹槽的边缘为直角，在高温工艺过程中，当等离子体气流通过凹槽边缘时，直角对气流的流动产生影响，从而影响膜层的均匀性，并易造成尖端放电，形成电弧放电现象，对工艺结果造成负面影响，并可能损伤腔内硬件。
技术实现思路
本专利技术以解决上述问题为目的，设计了一种新型腔内倒角陶瓷环，解决了工艺均匀性和尖端放电的问题。为实现上述目的，本专利技术采用下述技术方案:一种新型腔内倒角陶瓷环，将陶瓷环承托晶圆的圆形凹槽的边缘加工成斜角，并在边缘利用圆弧过渡防止电荷堆积。具体结构:它包括晶圆、热盘及陶瓷环。进一步陶瓷环上设有圆形凹槽；进一步圆形凹槽边缘加工成斜坡；进一步斜坡的角度由25度至40度。本专利技术的陶瓷环放在热盘上，晶圆放在陶瓷环的圆形凹槽内。工艺时，工艺气体从晶圆上方喷下，并形成等离子体，反应物沉积在晶圆表面，其他副产物和带电粒子逐渐向四周移动，最终被排除腔体。这个过程中携有带电粒子的气体通过陶瓷环承托晶圆的凹槽边缘时，会在此处产生波动，此处为斜坡，气流经过时不会受到过大的阻碍，形成紊流，仍能保持层流状态，因此可改善膜层的均匀性。与此同时，带电粒子会吸附在陶瓷环表面，并产生堆积，由于陶瓷环的边缘是圆角结构，面与面通过圆弧过渡，工艺过程中，带电粒子不会在边缘形成过度堆积，而产生尖端放电现象，从而保证了工艺的稳定性。本专利技术的有益效果及特点在于:1、结构简单，易加工；2、安全可靠，可改善膜层均匀性及尖端放电的问题。3、可广泛地应用于半导体薄膜沉积的
【附图说明】图1是本专利技术的结构示意图。图2是本专利技术的局部放大图。图中零件标号分别代表:1、晶圆；2、热盘;3、陶瓷环;4、斜坡。【具体实施方式】实施例参照图1，一种新型腔内倒角陶瓷环，将陶瓷环承托晶圆的圆形凹槽的边缘加工成斜角，并在边缘利用圆弧过渡防止电荷堆积。具体结构:它包括晶圆1、热盘2及陶瓷环3。所述陶瓷环3上设有圆形凹槽；所述圆形凹槽边缘加工成斜坡4 ;所述斜坡4的角度由25度至40度。本专利技术的陶瓷环3放在热盘2上，晶圆I放在陶瓷环3的圆形凹槽内，工艺时，工艺气体从晶圆I上方喷下，并形成等离子体，反应物沉积在晶圆I表面，其他副产物和带电粒子逐渐向四周移动，最终被排除腔体。这个过程中携有带电粒子的气体通过陶瓷环3承托晶圆的凹槽边缘时，会在此处产生波动，此处为斜坡4，气流经过时不会受到过大的阻碍，形成紊流，仍能保持层流状态，因此可改善膜层的均匀性。与此同时，带电粒子会吸附在陶瓷环3表面，并产生堆积，由于陶瓷环3的边缘是圆角结构，面与面通过圆弧过渡，工艺过程中，带电粒子不会在边缘形成过度堆积，而产生尖端放电现象，从而保证了工艺的稳定性。【主权项】1.一种新型腔内倒角陶瓷环，其特征在于:将陶瓷环承托晶圆的圆形凹槽的边缘加工成斜角，并在边缘利用圆弧过渡防止电荷堆积。2.如权利要求1所述的新型腔内倒角陶瓷环，其特征在于:它包括晶圆、热盘及陶瓷环，所述陶瓷环上设有圆形凹槽。3.如权利要求2所述的新型腔内倒角陶瓷环，其特征在于:所述圆形凹槽边缘加工成斜坡。4.如权利要求3所述的新型腔内倒角陶瓷环，其特征在于:所述斜坡的角度由25度至40度。【专利摘要】一种新型腔内倒角陶瓷环，将陶瓷环承托晶圆的圆形凹槽的边缘加工成斜角，并在边缘利用圆弧过渡防止电荷堆积。所述陶瓷环放在热盘上，晶圆放在陶瓷环的圆形凹槽内。工艺时，工艺气体从晶圆上方喷下，并形成等离子体，反应物沉积在晶圆表面，其他副产物和带电粒子逐渐向四周移动，最终被排除腔体。这个过程中携有带电粒子的气体通过陶瓷环承托晶圆的凹槽边缘时，会在此处产生波动，此处为斜坡，气流经过时不会受到过大的阻碍，形成紊流，仍能保持层流状态，因此可改善膜层的均匀性，从而保证了工艺的稳定性。可广泛地应用于半导体薄膜沉积的
【IPC分类】H01L21/67, H01L21/687【公开号】CN105097638【申请号】CN201510527646【专利技术人】柴智 【申请人】沈阳拓荆科技有限公司【公开日】2015年11月25日【申请日】2015年8月24日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型腔内倒角陶瓷环，其特征在于：将陶瓷环承托晶圆的圆形凹槽的边缘加工成斜角，并在边缘利用圆弧过渡防止电荷堆积。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柴智，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21