本发明专利技术涉及一种超薄介质层的电路板及其制作工艺，特征是，包括以下步骤：（1）准备内层基材；（2）在内层基板正面的铜箔上进行蚀刻开天窗；（3）在开设的天窗处进行镭射钻孔；（4）在钻孔中进行填孔电镀工艺；（5）在内层基材正反两面的铜箔上进行蚀刻，得到介电层；（6）在内层基材的正反两面压合介质层和铜箔；（7）将铜箔进行蚀薄处理；（8）在铜箔上进行镭射钻孔形成钻孔；（9）在钻孔中进行填孔电镀工艺；（10）重复步骤（5）～步骤（9），得到所需层数的介质层和介电层；（11）对最外层的介电层进行蚀刻，制作防焊层，得到超薄介质层的电路板。本发明专利技术通过控制每层介电层厚度，使用更薄介质层材料，满足减低PCB板厚的要求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种超薄介质层的电路板及其制作工艺，尤其是一种相邻介电层之间介质层厚度小于等于0.06mm的电路板产品，属于PCB(Printed circuit board)
技术介绍
在电子产品趋于多功能复杂化的前提下，积体电路元件(集成电路)的接点距离随之缩小，信号传送的速度则相对提高，随之而来的是接线数量的提高、点间配线的长度局部性缩短，这些就需要应用高密度线路配置及微孔技术来达成目标。配线与跨接基本上对单双面板而言有其达成的困难，因而电路板会走向多层化，又由于讯号线不断的增加，更多的电源层与接地层就为设计的必须手段，这些都促使多层印刷电路板(Multilayer PrintedCircuit Board)更加普遍。近几年来，PCB市场重点从计算机转向通信，这两年更是转向智能手机、平板电脑类移动终端，因此，2015年移动终端用HDI板仍然是PCB增长的主要点。以智能手机为代表的移动终端驱使HDI板更高密度更轻薄。PCB业界制作HDI介质层材料一般使用1080或106半固化片(pr印reg)，其厚度分别为0.08mm、0.07mm。现在智能手机10层板的结构如图1所示，从上至下依次为第一防焊层1、第一介电层2、第一介质层3、第二介电层4、第二介质层5、第三介电层6、第三介质层7、第四介电层8、第四介质层9、第五介电层10、第五介质层11、第六介电层12、第六介质层13、第七介电层14、第七介质层15、第八介质层16、第八介电层17、第九介电层18、第九介质层19、第十介电层20、第二防焊层21。按原设计流程生产计算，第五介质层11使用0.064mm FR4基板，其余介质层使用1080半固化片，防焊层厚度为0.01mm，第一介电层2和第十介电层的厚度为0.035mm，其余介电层的度为0.03mm，成品板厚1034 μ m。而目前智能手机越来越薄的市场需求，必然导致PCB板厂开发更薄的产品。现有的10层板的内层基板的设计流程如图2-1?图2-11所示，内层基板的生产过程分别包括:准备内层基材、开天窗、镭射钻孔、闪镀、填孔电镀、蚀刻、压合、开天窗、镭射钻孔、闪镀和填孔电镀的步骤。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种超薄介质层的电路板及其制作工艺，通过控制每层介电层厚度，搭配使用更薄介质层材料，保证板内填胶充足，无缺胶空洞异常，满足减低PCB成品板厚的要求。按照本专利技术提供的技术方案，一种超薄介质层的电路板，特征是:包括中间介质层，在中间介质层的正面和背面对称设置多个介质层，在介质层中分别设置介电层，在最外层的介质层表面设有外层介电层和防焊层；所述中间介质层的厚度为64 μπι，介质层的厚度为46 μπι或35 μm，介电层的厚度为25±5 μπι，最外层介电层的厚度为31 μπι,防焊层的厚度为10 μπι。所述中间介质层正面的介质层从上至下依次为第一介质层、第二介质层、第三介质层和第四介质层，中间介质层背面的介质层从上至下依次为第六介质层、第七介质层、第八介质层和第九介质层，在第一介质层的表面和第九介质层的表面分别具有第一防焊层和第二防焊层，在第一防焊层中设有第一介电层，在第一介质层中设有第二介电层，在第二介质层中设有第三介电层，在第三介质层中设有第四介电层，在第四介质层中设有第五介电层，在第六介质层中设有第六介电层，在第七介质层中设有第七介电层，在第八介质层中设有第八介电层，在第九介质层中设有第九介电层，在第二防焊层中设有第十介电层。所述超薄介质层的电路板的制作工艺，特征是，包括以下步骤: (1)准备内层基材，内层基材采用FR4基板，厚度为64ym，FR4基板的正反面均具有铜箔； (2)开天窗:在内层基板正面的铜箔上进行蚀刻开天窗； (3)镭射钻孔:在步骤(2)开设的天窗处进行镭射钻孔，得到与内层基材背面铜箔连通的钻孔； (4)填孔电镀:在步骤(3)得到的钻孔中进行进行填孔电镀工艺； (5)蚀刻:在内层基材正反两面的铜箔上进行蚀刻，形成线路图形，得到介电层； (6)压合:在内层基材的正反两面压合介质层和铜箔，介质层采用1037半固化片或1027半固化片，1037半固化片的厚度为46 μ m，1027半固化片的厚度为35 μ m，铜箔的厚度为 12 μπι ; (7)蚀薄铜:将步骤(6)压合后正反两面的铜箔进行蚀薄处理，蚀薄后铜箔的厚度为7 ?8 μ m ; (8)镭射钻孔:在经步骤(7)蚀薄后的铜箔上进行镭射钻孔形成钻孔，钻孔连通介质层内层的铜箔； (9)填孔电镀:在钻孔中进行填孔电镀工艺，填孔电镀后铜箔的厚度为25μπι ; (10)重复步骤(5)?步骤(9)，得到所需层数的介质层和介电层； (11)对最外层的介电层进行蚀刻，形成线路图形；在最外层的介电层上制作防焊层，得到超薄介质层的电路板。进一步的，所述最外层的介电层的制作过程为:压合介质层和铜箔后，直接进行镭射钻孔，再进行填孔电镀，蚀刻形成线路图形，得到厚度为31 μπι的最外层介电层。进一步的，所述防焊层通过印刷绿油得到。本专利技术具有以下优点:(I)直接儀射钻孔，提尚儀射对位精度；(2)不做闪链，直接填孔，不但减少流程，且可减少面铜厚度，利于蚀刻细线路生产；(3)介质层选用1037半固化片或1027半固化片，可减少厚度，保证PCB成品板厚更薄。【附图说明】图1为现有技术中智能手机10层PCB板的剖面图。图2-1?图2-11为现有技术中10层板的内层基板的设计流程图。其中: 图2-1为内层基材的示意图。图2-2为在内层基材上开天窗的示意图。图2-3为镭射钻孔后的示意图。图2-4为闪镀后的示意图。图2-5为填孔电镀后的示意图。图2-6为蚀刻后的示意图。图2-7为压合后的示意图。图2-8为开天窗后的示意图。图2-9为镭射钻孔后的示意图。图2-10为闪镀后的示意图。图2-11为填孔电镀后的示意图。图3为本专利技术所述超薄介质层的电路板的剖面图。图4-1?图4-8为本专利技术所述超薄介质层的电路板的制作流程图。其中: 图4-1为内层基材的示意图。图4-2为开天窗后的示意图。图4-3为镭射钻孔后的示意图。图4-4为填孔电镀后的示意图。图4-5为蚀刻后的示意图。图4-6为压合后的示意图。图4-7为镭射钻孔后的示意图。图4-8为填孔电镀后的示意图。【具体实施方式】下面结合具体附图对本专利技术作进一步说明。如图3所示，本专利技术所述超薄介质层的电路板包括多层介质层，图3为10层的结构，具体为从上至下依次设置的第一介质层101、第二介质层102、第三介质层103、第四介质层104、第五介质层105、第六介质层106、第七介质层107、第八介质层108和第九介质层109，在第一介质层101的表面和第九介质层109的表面分别具有第一防焊层201和第二防焊层202，在第一防焊层201中设有第一介电层301，在第一介质层101中设有第二介电层302，在第二介质层102中设有第三介电层303，在第三介质层103中设有第四介电层304，在第四介质层104中设有第五介电层305，在第六介质层106中设有第六介电层306，在第七介质层107中设有第七介电层307，在第八介质层108中设有第八介电层308，在第九介本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种超薄介质层的电路板，其特征是：包括中间介质层，在中间介质层的正面和背面对称设置多个介质层，在介质层中分别设置介电层，在最外层的介质层表面设有外层介电层和防焊层；所述中间介质层的厚度为64μm，介质层的厚度为46μm或35μm，介电层的厚度为25±5μm，最外层介电层的厚度为31μm，防焊层的厚度为10μm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：卞华昊，
申请(专利权)人：高德无锡电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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