一种用于制造植入各向异性导电膜的器件或组件的载体带。该载体带包括具有牺牲性的图像增强层的基底。通过激光烧蚀经过图像增强层,在载体内形成微孔。在去除图像增强层之后,多个导电粒子被分配在载体带表面上通过激光烧蚀形成的微孔阵列内部,并转移到粘合剂层上。该图像增强层使得能形成具有细间距和的微孔和具有高长径比的间距和分区。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】用于激光烧蚀的具有增强对比的微孔载体 本专利技术涉及制造诸如各向异性导电膜(ACF)之类的电子器件和组件的方法。本发 明代表Liang等人的美国公布申请2010/0101700 ("Liang' 700")中公开的专利技术改进,其中 使用增强对比层(IEL),通过激光烧蚀,在载体网中形成微孔。 专利技术背景 为讨论本专利技术的背景,可参考以上提及的Liang' 700。Liang' 700公开了由提供具 有非随机微孔阵列的载体网并将导电粒子分散在微孔中而制造具有导电粒子的非随机阵 列的ACF的方法。优选地,粒子分散在载体网上,使得实质上每一孔中有一个粒子。载体网 经传输与粘合剂膜接触,且粒子在接触时便转移至膜上。 在载体网中形成微孔所使用的一种方法是使用例如穿过遮罩的KrF和ArF准分 子激光的激光烧蚀微切削。参见共同受让的美国公布2009/0053859 ;2010/0101700 ;和 2012/0295098,本文通过参考将其全文引入。 已报道了,采用通常数十到数百bar的相对高压的烧蚀卷流(plume),烧蚀聚合物 的局部表面温度可达到大于1000°K。已经观察到微结构形成,这是由于碎片再沉积和再 凝固的横向材料熔体从中心流动到激光辐照点的周边所致。对于尤其高长径比(即影像 或影像间隔的高度/宽度或深度/宽度之比)的细间距影像再生来说,因可归因于所使用 的遮罩和光热工艺引发的前述材料的熔体流动、碎片形成和再沉积的不希望的光衍射和散 射,通过这一方法可实现的分辨率通常严重劣化。 也已经报道了通过使用具有连贯影像修正的投影遮罩,各种基底上的各种波长的 多脉冲辐照,滤光辐照,液体辅助或水下辐照,可实现改进的高长径比和分辨率。然而,在所 有情况下,影像间隔的窄间距间隔(约<5um)和高长径比(约>1)的细间距(约<15um)影 像的制造仍然是主要挑战,尤其在卷装进出工艺中。 专利技术概述 专利技术之一表现为在制造诸如ACF、薄膜覆晶(COF)或玻璃覆晶(COG)之类的器件组 件中有用的载体,其中该载体包括可去除牺牲性IEL,借此而通过激光烧蚀在载体上形成微 孔。 已观察到在本专利技术的若干实施方案中产生的微孔阵列,在微孔载体膜的制造和固 定阵列ACF的卷装进出制造中的粒子填充和转移,提供显著改进的再现性和更宽的处理窗 口,正如以上引证的专利申请中所提出和图2中所描绘的。已经观察到在填充工艺中填充 效率(即微孔捕捉粒子的百分比)和粒子转移工艺中微孔网或环从粘合剂层中的释放效 率方面的显著改进。尽管不受理论束缚,但认为牺牲性IEL有效地预防碎片和低分子量激 光-劣化或光解/热解材料熔体直接接触基底或与之形成强烈的附着/内聚。低分子量激 光-劣化或光解/热解材料倾向于相当极性和有时充电。它们倾向于相当粘,但在溶解或 剥除IEL的后续影像显影工艺中被去除或洗去。结果,在粒子转移工艺中,本专利技术的微孔载 体网或环显示出针对粘合剂层显著较好的释放性能。另一方面,在粒子填充工艺中所观察 到的改进被认为是使用IEL所获得的较好的确定的孔间隔和轮廓的直接结果,其可以在卷 装进出射流粒子的填充工艺期间较好地包含粒子。专利技术之一表现为载体带,它包括基底和罩面涂布基底的增强对比层(IEL),其中 IEL是可激光烧蚀的且防止激光-劣化的材料干扰形成微孔并可产生具有细间距、高分辨 率和高长径比的微孔载体。 本专利技术的另一表现为使用具有通过激光烧蚀而在载体中形成微孔阵列的载体 片、网或带,制造诸如ACF之类的电子器件的工艺。微孔用导电粒子填充,且载体网以与 Liang' 700文献中所公开的工艺或卷装进出工艺中的网类似的方式使用。 本专利技术的另一表现为具有IEL的载体片、带或网,其中微孔以非随机但可变的图 案布局,以减少周期性缺陷的影响。 本专利技术的再一表现为具有高分辨率和高孔密度的微孔的非随机微孔载体片、带或 网用于微流体装置、微流控组装工艺和应用。 附图简述 图1A-1B是根据本专利技术之一的实施方案的载体片、网或带的截面示意图。 图IC和ID是图IA和IB的载体片、网或带的示意截面图,其显示根据本专利技术的两 个实施方案,通过激光烧蚀在基底内形成的微孔的位置。 图IE-I至图1E-15是使用具有5ym直径和3ym宽分区的重复圆形开口的交错 的6-8ym间距光罩,在有和无约0. 5ymIEL罩面层情况下,各种PET基底的SEM显微照 片。除非清楚地指明,在所有状况下,调整激光能量以产生具有约4-5ym深度的孔的微孔 载体。图中所示的所有SEM照片为在IEL剥除后拍摄。 根据本专利技术的一个实施方案,提供图IE-I用于比较,且是在由包含着色PET(获自 DuPontTeijinFilms的MELINEX339? )组成的载体(其不包括IEL)中形成的微孔的 SEM照片,和图1E-2是用由PKFE(获自InChemCorp.,SouthCarolina的苯氧基树脂)形 成的约0. 5um厚的IEL预涂布的MELINEX339?基底上形成的微孔的SEM照片。 图1E-3是在透明PETMELINEX454?薄膜上形成的微孔的SEM照片,和图1E-4 至1E-15是在用约0. 5um厚的IEL预涂布的MELINEX4:54雜薄膜上形成的微孔的照片,其 中所述IEL由苯氧基树脂PKHB(图1E-4)和PKCP(图1E-5)(二者均获自InChemCorp.); Novolac树脂Rezicure? 3500(图 1E-6)和 3100(图 1E-7)(二者均获自SIGroup,NY);聚 苯乙烯Mw= 35, 000 (图1E-8),聚苯乙烯-马来酸酐共聚物,Mw= 1,700 (图1E-9),聚(苯乙 烯-共-甲基丙烯酸甲酯),Mw= 30, 000 (图IE-10),PMMA,Mw= 350, 000 (图IE-11),聚乙烯 醇,88 %水解Mw= 30, 000 (图1E-12),聚乙烯缩丁醛,Mw= 50, 000 (图1E-13),醋酸丁酸纤 维素Mw= 50, 000 (图 1E-14)(所有均获自Sigma-Aldrich),和获自的Michelman,Inc.,OH PE-WaxME48040M2(图 1E-15)形成。 图IF-I和1F-2是在分别不具有和具有由PKHB形成的约0. 5um厚的IEL情况下, 在聚(萘二甲酸乙二酯)(获自DuPontTeijinFilms的PENQ51薄膜)上形成的微孔的 SEM照片。 图IG-I和1G-2是在分别不具有和具有由PKHB形成的约0. 5um厚的IEL情况下, 在获自DuPont的Kapton趣聚酰亚胺VN-300薄膜上形成的微孔的SEM照片。 图2是根据本专利技术的一个实施方案的制造工艺的示意性描绘,其中使用载体网或 带,在卷装进出工艺中形成ACF,其中如Liang' 700中所公开的,导电粒子从微孔转移到并 置的粘合剂层。图3是在本专利技术的一个实施方案中使用的用于在载体网中形成微孔的激光投影 系统的示意性描绘。 详细说明 Liang'700在本文中通过参考全文引入。图IA是根据本专利技术一个实施方案的载体片、网或带10的截面图。载体片10包 括用IEL14罩面涂布的基底12,IEL1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种在形成含基底和增强对比层(IEL)的微孔中使用的载体片、网或带,该基底和IEL是可激光烧蚀的,该增强对比层直接沉积在基底上或者沉积在置于IEL和基底之间的微孔形成层内。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁荣昌,曾经仁,TC·吴,梁家彦,安之瑶,马安妤,M·K·昂,
申请(专利权)人:兆科学公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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