可控硅电流保护电路和方法、调光电路及照明设备技术

本发明专利技术提供一种可控硅电流保护电路和方法、调光电路及照明设备，该可控硅电流保护电路包括：可控硅检测电路和保护电路；可控硅检测电路的第一端与可控硅调节器输出线路上设置的电流采样点连接，可控硅检测电路的第二端与功率转换电路连接，可控硅检测电路的第三端与保护电路的第一端连接；保护电路的第二端与功率转换电路连接；可控硅检测电路用于在可控硅接入时，检测电流采样点的电流并将电流转换成电压输出到保护电路；保护电路用于根据电流采样点的电压控制功率转换电路的启动或关闭，通过检测在可控硅调节器与功率转换电路线路通过的电流，逻辑控制功率转换器的开关，保护负载和可控硅不会被突变的电压破坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及电路领域，尤其涉及一种可控硅电流保护电路和方法、调光电路及照明设备。
技术介绍
可控硅是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、摄像机等及很多工业控制设备都大量使用了可控硅器件进行整流和调压等。以家用电器中的调光灯为例，由于LED具有发光效率高、使用寿命长、稳定性好等优点，调光灯一般使用的是LED照明灯或者LED背光源进行照明。用户在使用LED照明灯或LED背光源时，经常直接将LED照明电路接入现有的可控硅调光器，可控硅调光器中的可控硅器件对市电进行斩波之后，输入LED照明灯或者LED背光源的电压变小，输入电流有效值变大，导致LED照明灯或者LED背光源等负载被破坏。
技术实现思路
本专利技术实施例提供的可控硅电流保护电路和方法、调光电路及照明设备，用于解决用户直接将LED照明电路接入可控硅调光器，斩波之后的交流市电直接输入LED照明电路，输入电流有效值变大，造成LED照明灯或者LED背光源等负载被破坏的问题。本专利技术第一方面提供一种可控硅电流保护电路，包括:可控硅检测电路和保护电路；所述可控硅检测电路的第一端与可控硅调节器输出线路上设置的电流采样点连接，所述可控硅检测电路的第二端与功率转换电路连接，所述可控硅检测电路的第三端与保护电路的第一端连接；所述保护电路的第二端与功率转换电路连接；所述可控硅检测电路用于在可控硅接入时，检测电流采样点的电流并将所述电流转换成电压输出到所述保护电路；所述保护电路用于根据所述电流采样点的电压控制所述功率转换电路的启动或关闭。在本专利技术的一实施例中，所述可控硅电流保护电路还包括:整流电路，所述整流电路连接在所述电流采样点与所述可控硅调节器之间，用于将可控过调节器输出的电流进行整流再输出到所述电流采样点。在本专利技术的一实施例中，所述可控硅检测电路包括:电流电压转换电路和电压峰值处理电路；所述电流电压转换电路的第一端与所述电流采样点连接，所述电流电压转换电路的第二端与所述功率转换电路连接，所述电流电压转换电路的第三端与所述电压峰值处理电路的第一端连接；所述电压峰值处理电路的第二端与所述保护电路的第一端连接；所述电流电压转换电路用于在可控硅接入时，检测所述电流采样点通过的电流，并将所述电流转换为电压输出到所述电压峰值处理电路，所述电压峰值处理电路将所述电压进行峰值处理后输出到所述保护电路。在本专利技术的一实施例中，所述保护电路包括电压采样电路和迟滞比较器，所述电压采样电路的第一端与所述电压峰值处理电路的第二端连接，所述电压采样电路的第二端与所述迟滞比较器的第一输入端连接；所述迟滞比较器的第二输入端用于输入参考电压；所述迟滞比较器的输出端与所述功率转换电路连接；所述电压采样电路用于根据所述电压峰值处理电路输出的电压进行采样计算获取输出电压，所述迟滞比较器用于将所述输出电压与参考电压进行比较；若所述迟滞比较器比较出所述输出电压大于参考电压，则输出低电平关闭所述功率转换电路；若所述迟滞比较器比较出所述输出电压小于参考电压，则输出高电平启动所述功率转换电路。在本专利技术的一实施例中，所述电流电压转换电路包括第一电阻和温度采集模块；所述第一电阻的一端与所述电流采样点连接，所述第一电阻的另一端与所述功率转换电路连接，所述温度采集模块设置在所述第一电阻上，所述温度采集模块与所述电压峰值处理电路的第一端连接，所述温度采集模块用于在可控硅接入时，采集所述第一电阻的温度，并根据所述第一电阻的温度计算出所述第一电阻上的电压，并将所述电压输出到所述电压峰值处理电路。在本专利技术的一实施例中，所述可控硅检测电路包括电流传感器和检测电路，所述电流传感器的第一端与所述电流采样点连接，所述电流传感器的第二端与所述功率转换电路连接，所述电流传感器第三端与所述检测电路的第一端连接，所述检测电路的第二端与所述保护电路的第一端连接，所述电流传感器用于在可控硅接入时，检测所述电流采样点通过的电流，所述检测电路用于将所述电流转换成电压并输出到所述保护电路。在本专利技术的一实施例中，所述保护电路包括电压采样电路和迟滞比较器，所述电压采样电路的第一端与所述检测电路的第二端连接，所述电压采样电路的第二端与所述迟滞比较器的第一输入端连接；所述迟滞比较器的第二输入端用于输入参考电压；所述迟滞比较器的输出端与所述功率转换电路连接；所述电压采样电路用于根据所述检测电路输出的电压进行采样计算获取输出电压，所述迟滞比较器用于将所述输出电压与参考电压进行比较；若所述迟滞比较器比较出所述输出电压大于参考电压，则输出低电平关闭所述功率转换电路；若所述迟滞比较器比较出所述输出电压小于参考电压，则输出高电平启动所述功率转换电路。本专利技术第二方面提供一种可控硅电流保护方法，应用于可控硅电流保护电路，所述可控硅电流保护电路包括可控硅检测电路和保护电路；所述可控硅检测电路的第一端与可控硅调节器输出线路上设置的电流采样点连接，所述可控硅检测电路的第二端与功率转换电路连接，所述可控硅检测电路的第三端与保护电路的第一端连接；所述保护电路的第二端与功率转换电路连接；所述方法包括:在可控硅接入时，所述可控硅检测电路获取所述电流采样点的电流并转换成电压，并将所述电压输出到所述保护电路；所述保护电路将所述电压与参考电压进行比较，若峰值处理后的所述电流采样点的电压大于参考电压值，则控制功率转换电路停止功率转换，否则控制所述功率转换电路启动功率转换。本专利技术第三方面提供一种调光电路，包括:供电电路、可控硅调光器、功率转换电路和第一方面所述的任一种可控硅电流保护电路；所述供电电路与所述可控硅调节器的一端连接，所述可控硅调光器的另一端与所述可控硅电流保护电路的第一端连接；所述可控硅电流保护电路的第二端与所述功率转换电路的第一输入端连接；所述可控硅电流保护电路的第三端与所述功率转换电路的第二输入端连接，所述可控硅调光器包括可控硅。本专利技术第四方面提供一种照明设备，包括:第三方面所述的调光电路以及与所述调光电路连接的照明器件。本专利技术提供的可控硅电流保护电路和方法、调光电路及照明设备，该可控硅电流保护电路包括可控硅检测电路和保护电路，所述可控硅检测电路串联在可控硅调节器和功率转换电路之间，在可控硅接入时，检测通过可控硅调节器输出线路上设置的电流采样点的电流，并将该电流转换成电压输出至保护电路，该保护电路与功率转换电路连接，所述保护电路用于根据所述电流采样点的电压控制所述功率转换电路的启动或关闭，通过检测在可控硅调节器与功率转换电路线路通过的电流，逻辑控制功率转换器的开关，保护负载和可控硅不会被突变的电压破坏。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术可控硅电流保护电路实施例一的原理示意图；图2为本专利技术可控硅电流保护电路实施例二的原理示意图；图3为本专利技术可控硅电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可控硅电流保护电路，其特征在于，包括：可控硅检测电路和保护电路；所述可控硅检测电路的第一端与可控硅调节器输出线路上设置的电流采样点连接，所述可控硅检测电路的第二端与功率转换电路连接，所述可控硅检测电路的第三端与保护电路的第一端连接；所述保护电路的第二端与功率转换电路连接；所述可控硅检测电路用于在可控硅接入时，检测电流采样点的电流并将所述电流转换成电压输出到所述保护电路；所述保护电路用于根据所述电流采样点的电压控制所述功率转换电路的启动或关闭。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王中华，楼俊山，沈锦祥，
申请(专利权)人：浙江生辉照明有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33