本发明专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可有效改善与有源层相接触的绝缘层的界面缺陷，提高TFT导通时的电性能稳定性。该制备方法包括：在衬底基板上形成逐层设置且相互接触的有源层以及绝缘层的步骤；形成所述绝缘层的步骤包括：形成至少一层第一绝缘层；所述至少一层第一绝缘层中的一层与所述有源层相接触；其中，形成所述第一绝缘层的步骤包括：形成由硅氧化物构成的第一绝缘薄膜；利用含填充原子的修复源，对所述第一绝缘薄膜进行修复处理，以使所述第一绝缘薄膜中的至少部分硅悬挂键结合所述填充原子，形成第一绝缘层。用于薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的阵列基板、显示装置的制备。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显 示装置。
技术介绍
薄膜晶体管（Thin Film Transistor，简称TFT)由于其良好的开关特性，目前已广 泛应用于平板显示装置。薄膜晶体管通常由栅极、有源层、源极和漏极构成；其中，源极和漏 极分设于有源层的两端且分别与有源层相接触。 在TFT中，有源层总是与一个绝缘层相邻接；其中，绝缘层的材料通常由氧化硅构 成，氧化硅材料在制备过程中，在与有源层相接触的界面处会产生大量的硅悬挂键，导致界 面态密度较大，使得TFT导通时产生有源层载流子迀移率下降、亚阈值电压（Vth)摆幅增大、 漏电流（Iciff)增大等诸如缺陷，降低了 TFT导通时的电性能稳定性。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，可有效 改善与有源层相接触的绝缘层的界面缺陷，提高TFT导通时的电性能稳定性。 为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案： -方面、本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管的制备方法，所述制备方法包括：在 衬底基板上形成逐层设置且相互接触的有源层以及绝缘层的步骤；形成所述绝缘层的步骤 包括：形成至少一层第一绝缘层；其中，所述至少一层第一绝缘层中的一层与所述有源层 相接触；形成所述第一绝缘层的步骤包括：形成由硅氧化物构成的第一绝缘薄膜；利用含 填充原子的修复源，对所述第一绝缘薄膜进行修复处理，以使所述第一绝缘薄膜中的至少 部分硅悬挂键结合所述填充原子，形成第一绝缘层。 优选的，所述填充原子为氧原子。 进一步优选的，所述含填充原子的修复源为含氧等离子体。 进一步优选的，所述含氧等离子体为N2O等离子体和/或O2等离子体。 进一步优选的，所述形成所述第一绝缘层的步骤，具体包括：以N2O等离子体、SiH 4等离子体为反应源，形成由硅氧化物构成的第一绝缘薄膜；停止3以4等离子体的通入，在预 设时间内继续通入所述N2O等离子体，利用所述N2O等离子体，对所述第一绝缘薄膜进行修 复处理，以使所述第一绝缘薄膜中的硅悬挂键结合氧原子，形成所述第一绝缘层。 进一步优选的，所述预设时间为20~80s。 进一步优选的，形成的所述第一绝缘薄膜的厚度为2~10nm。 在上述基础上优选的，所述形成所述绝缘层的步骤包括：形成两层或三层所述第 一绝缘层。 在上述基础上优选的，形成所述绝缘层的步骤还包括：形成远离所述有源层的第 二绝缘层；其中，针对所述绝缘层位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的情况，所述形成 所述绝缘层的步骤具体包括：依次形成所述第一绝缘层、所述第二绝缘层；针对所述绝缘 层位于所述有源层靠近所述衬底基板一侧的情况，所述形成所述绝缘层的步骤具体包括： 依次形成所述第二绝缘层、所述第一绝缘层。 进一步优选的，所述第二绝缘层由硅氧化物和/或硅氮化物构成。 本专利技术实施例还提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：位于衬底基板上 的逐层设置且相互接触的有源层以及绝缘层；所述绝缘层包括：至少一层第一绝缘层；其 中，所述至少一层第一绝缘层中的一层与所述有源层相接触；所述第一绝缘层为利用含填 充原子的修复源对第一绝缘薄膜进行修复处理得到的；所述第一绝缘薄膜由硅氧化物构 成；所述修复处理用于使所述第一绝缘薄膜中的至少部分硅悬挂键结合所述填充原子。 优选的，所述填充原子为氧原子。 优选的，所述第一绝缘层的厚度为2~IOnm0 优选的，所述绝缘层包括两层或三层所述第一绝缘层。 优选的，所述绝缘层还包括：远离所述有源层的第二绝缘层。 优选的，所述第二绝缘层由硅氧化物和/或硅氮化物构成。 在上述基础上优选的，所述绝缘层为所述薄膜晶体管中的栅绝缘层和/或刻蚀阻 挡层。 另一方面、本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括 在衬底基板上形成薄膜晶体管的步骤；所述薄膜晶体管采用上述任一项所述的制备方法获 得。 本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括位于衬底基板上的如上 述任一项所述的薄膜晶体管。 再一方面、本专利技术实施例又提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述所述的 阵列基板。 基于此，通过本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管的制备方法，在形成靠近有源 层的第一绝缘层时，利用能够与构成第一绝缘层的第一绝缘薄膜中的硅悬挂键结合的填充 原子，填充第一绝缘薄膜中的硅悬挂键，相当于对界面处的第一绝缘层进行了修复，避免由 于界面处存在大量硅悬挂键而导致TFT导通时出现有源层中载流子迀移率下降、亚阈值电 压Vth摆幅增大、漏电流I μ增大等诸如缺陷，提高了 TFT导通时的电性能稳定性。【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。 图Ia为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图一； 图Ib为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图二； 图Ic为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图三； 图Id为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图四； 图2为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法中步骤SOl的结构示意 图； 图3为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法中步骤S02的结构示意 图； 图4为对应于图2中形成的第一绝缘薄膜在界面处的晶格结构示意图； 图5为对应于图3中采用填充原子R对第一绝缘薄膜310中的硅悬挂键进行填充 后在界面处的晶格结构不意图； 图6a为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图五； 图6b为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图六； 图6c为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图七。 附图标记： 01-薄膜晶体管；10-衬底基板；20-有源层；30-绝缘层；31-第一绝缘层；310-第 一绝缘薄膜；32-第二绝缘层；40-栅极；50-层间绝缘层；61-源极；62-漏极。【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本专利技术保护的范围。 需要指出的是，除非另有定义，本专利技术实施例中所使用的所有术语（包括技术和 科学术语）具有与本专利技术所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸 如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义 相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。 并且，本专利技术专利申请说明书以及权利要求书中所使用的术语"上"等指示的方位 或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而 不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此 不能理解为对本专利技术的限制。 本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管01的制备方法，该制备方法包括：如图Ia或 图本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底基板上形成逐层设置且相互接触的有源层以及绝缘层的步骤；形成所述绝缘层的步骤包括：形成至少一层第一绝缘层；其中，所述至少一层第一绝缘层中的一层与所述有源层相接触；形成所述第一绝缘层的步骤包括：形成由硅氧化物构成的第一绝缘薄膜；利用含填充原子的修复源，对所述第一绝缘薄膜进行修复处理，以使所述第一绝缘薄膜中的至少部分硅悬挂键结合所述填充原子，形成第一绝缘层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：田宏伟，牛亚男，左岳平，徐文清，许晓伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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