光刻生产控制方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻生产控制方法，包括：步骤1：创建涂胶显影作业，涂胶显影作业包括：涂胶、曝光和显影；步骤2：执行涂胶作业；步骤3：检测判断涂胶作业是否遇到光刻胶不足，若遇到光刻胶不足，则报警提示更换光刻胶，进入步骤4，若光刻胶充足，则直接进入步骤5；步骤4：换胶前：缓存当前批次晶圆的涂胶显影作业进度，并寻找涂胶显影作业条件与当前批次不一致的晶圆，进行涂胶显影作业；换胶后：载入换胶前缓存的涂胶显影作业进度，返回步骤3；步骤5：将曝光条件与涂胶显影作业对应；步骤6：执行曝光作业和后续显影作业。本发明专利技术可以使光刻机能够连续不中断地工作，从而提高光刻机整体的产能。

【技术实现步骤摘要】
光刻生产控制方法
本专利技术涉及光刻机领域，特别涉及一种光刻生产控制方法。
技术介绍
在半导体制造领域中，光刻是至关重要的一环，它是将掩模版上的电路图形转移到晶圆基底的过程，通常由光刻机来完成这一过程。光刻机由涂胶显影机(Track)和曝光机(Scanner)两部分构成，晶圆(wafer)在涂胶显影机里完成涂胶后，经过一定的后处理，被送到曝光机内进行曝光，之后，完成曝光的晶圆被送回涂胶显影机进行显影，两部分机器有各自的作业条件，通常来说这些条件是一一对应的。如图1所示，涂胶显影机中光刻胶瓶10与终端的光刻胶喷嘴之间由管路连接，管路上设置有阀门50、泵30、过滤器40以及用来暂存光刻胶的L/Etank(缓冲容器)20。在实际的生产过程中，光刻胶属于易耗品，如图2所示，现有的光刻机的涂胶显影流程为：创建涂胶显影作业，执行涂胶显影作业，并在涂胶显影作业过程中检查是否遇到光刻胶不足的情况。当L/Etank20中的光刻胶的量小于预设值时，涂胶显影机将触发报警，提示相关人员及时更换光刻胶。遇到正在作业的晶圆需要用到的光刻胶不足，那么涂胶显影机会停止作业，直至完成光刻胶的更换，再进行曝光以及后续作业。在这期间，整个光刻机的产能受到了影响，无法进行其他作业，如果更换光刻胶的人员没有及时发现，这种影响将更大。
技术实现思路
本专利技术提供一种光刻生产控制方法，该方法可以使光刻机在光刻胶不足时，能够在不影响当前作业晶圆的情况下对后续晶圆继续作业，从而使光刻机能够连续不中断地工作，从而提高光刻机整体的产能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种光刻生产控制方法，包括：步骤1：创建涂胶显影作业，涂胶显影作业包括：涂胶、曝光和显影；步骤2：执行涂胶作业；步骤3：检测判断涂胶作业是否遇到光刻胶不足，若遇到光刻胶不足，则报警提示更换光刻胶，进入步骤4，若光刻胶充足，则直接进入步骤5；步骤4：换胶前：缓存当前批次晶圆的涂胶显影作业进度，并寻找涂胶显影作业条件与当前批次不一致的晶圆，进行涂胶显影作业；换胶后：载入换胶前缓存的涂胶显影作业进度，返回步骤3；步骤5：将曝光条件与涂胶显影作业对应；步骤6：执行曝光作业和后续显影作业。作为优选，所述步骤4中，换胶前的步骤包括：步骤411：停止当前批次晶圆的载入，缓存该批次晶圆的涂胶显影作业进度；步骤412：将当前批次中已完成涂胶作业的晶圆进行曝光，缓存当前批次未完成的曝光作业进度；步骤413：寻找涂胶显影作业条件与当前批次不一致的晶圆，并对寻找到的晶圆执行涂胶显影作业。作为优选，所述步骤4中，换胶后的步骤包括：步骤421：从涂胶显影机的软件缓存区载入涂胶显影作业进度；步骤422.继续执行晶圆的涂胶作业；步骤423：从曝光机的软件缓存区中载入曝光作业进度，恢复曝光作业；步骤424：返回步骤3。作为优选，每批次晶圆中均设置有与该批次晶圆的涂胶显影作业对应的代码，步骤413中，通过比对代码寻找涂胶显影作业条件与当前批次不一致的晶圆，这样保证了后续批次的晶圆都是不需要使用当前已不足的光刻胶。作为优选，步骤1中，创建涂胶显影作业的同时创建与该涂胶显影作业相对应的序列号；在执行涂胶显影作业过程中，通过该序列号将曝光机中的曝光作业与涂胶显影机中的涂胶和显影作业相匹配。作为优选，采用感应器检测判断步骤3中的涂胶显影作业是否遇到光刻胶不足。作为优选，所述感应器位于光刻胶瓶内部或者缓冲容器上。本专利技术还提供另外一种光刻生产控制方法，应用于专门负责涂布光刻胶的机器中，该方法具体包括：步骤1：创建涂胶作业；步骤2：执行涂胶作业；步骤3：检测判断涂胶作业是否遇到光刻胶不足，若遇到光刻胶不足，则报警提示更换光刻胶，进入步骤4，若光刻胶充足，则直接进入步骤5；步骤4：换胶前：缓存当前批次晶圆的涂胶作业进度，并寻找光刻机中其他批次的晶圆，执行涂胶作业；换胶后：载入换胶前缓存的涂胶作业进度，进入步骤5；步骤5：继续执行涂胶作业。作为优选，采用感应器检测判断步骤3中的涂胶作业是否遇到光刻胶不足。作为优选，所述感应器位于光刻胶瓶内部或者缓冲容器上。与现有技术相比，本专利技术在遇到光刻胶不足并停止作业时，能够对当前批次晶圆的涂胶显影作业进度进行缓存，并寻找需要作业的其他批次晶圆，不需要使用已经不足的光刻胶，从而可以保证机台连续作业。待光刻胶得到补充之后，缓存里的未完成的涂胶显影作业进度(包括涂胶进度和曝光进度)可以恢复。在涂胶显影机台和曝光机台的作业都完成之后这些晶圆将与同一批次已完成的曝光的晶圆合并，进入后续作业。本专利技术能够在光刻胶不足时，能够缓存当前的涂胶显影作业条件，并且选择下一批次不需要使用已经不足的光刻胶的待作业晶圆，从而使光刻机能够在相关人员补充光刻胶之前连续地进行作业，也避免了由于人员疏忽而导致的光刻胶不足的报警没有被及时发现而造成的光刻机产能的浪费。附图说明图1为光刻胶瓶与光刻胶喷嘴之间的管路结构示意图；图2为现有技术中光刻生产控制方法的流程图；图3为本专利技术实施例1中光刻生产控制方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。需说明的是，本专利技术附图均采用简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本专利技术的目的在于，提供一种光刻生产控制方法，能够在光刻胶存在不足时，能够在不影响当前作业晶圆的情况下对后续晶圆继续作业，从而使光刻机能够连续不中断地工作，从而提高光刻机整体的产能。实施例1如图3所示，本实施例提供的光刻生产控制方法，应用于光刻设备中，该光刻设备包括涂胶显影机台和曝光机台，其中，晶圆在涂胶显影机台涂胶后，进入到曝光机台中进行曝光处理，接着返回所述涂胶显影机台中进行显影作业。具体地，所述光刻生产控制方法，具体包括以下步骤：步骤1：创建涂胶显影作业，涂胶显影作业包括：涂胶、曝光和显影。所谓创建涂胶显影作业即为根据晶圆的实际用途和需求，确定涂胶、曝光和显影等作业中的各工艺参数。较佳的，在创建涂胶显影作业的同时，光刻设备还创建了与该涂胶显影作业相对应的序列号；因此，在执行涂胶显影作业过程中，只需通过该序列号便可以将曝光机中的曝光作业与涂胶显影机中的涂胶和显影作业相匹配。步骤2：接着，根据上述的涂胶显影作业，涂胶显影机台执行涂胶作业；步骤3：检测判断涂胶作业是否遇到光刻胶不足，若遇到光刻胶不足，则报警提示更换光刻胶，进入步骤4，若光刻胶充足，则直接进入步骤5；需要说明的是，当发生光刻胶不足时，正在执行涂胶显影作业的该批次晶圆分布于三个区域：停留在晶圆盒里的部分晶圆W1，已经载入涂胶显影机但未进行涂胶作业的晶圆W2，以及已经完成涂胶作业的晶圆W3。此外，在涂胶显影机的作业列表上，还存在和当前批次晶圆的涂胶显影作业条件完全一致的批次LOT2，以及和当前批次晶圆的涂胶显影作业条件不一致的批次LOT3。进一步的，每批次的晶圆中均设置有与该批次晶圆的涂胶显影作业相对应的代码，该代码中存在代表涂胶显影作业条件的特定代码，步骤413中，通过比对该代码中的特定代码即可寻找涂胶显影作业条件与当前批次不一致的晶圆。步骤4：包括换胶前的步骤和换胶后的步骤。具体地，换胶前的步骤包括：步骤411：涂胶显影机停止当前批次的晶圆的继续载入，并提示换胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻生产控制方法，其特征在于，包括：步骤1：创建涂胶显影作业，涂胶显影作业包括：涂胶、曝光和显影；步骤2：执行涂胶作业；步骤3：检测判断涂胶作业是否遇到光刻胶不足，若遇到光刻胶不足，则报警提示更换光刻胶，进入步骤4，若光刻胶充足，则直接进入步骤5；步骤4：换胶前：缓存当前批次晶圆的涂胶显影作业进度，并寻找涂胶显影作业条件与当前批次不一致的晶圆，进行涂胶显影作业；换胶后：载入换胶前缓存的涂胶显影作业进度，返回步骤3；步骤5：将曝光条件与涂胶显影作业对应；步骤6：执行曝光作业和后续显影作业。

【技术特征摘要】
1.一种光刻生产控制方法，其特征在于，包括：步骤1：创建涂胶显影作业，涂胶显影作业包括：涂胶、曝光和显影；步骤2：执行涂胶作业；步骤3：检测判断涂胶作业是否遇到光刻胶不足，若遇到光刻胶不足，则报警提示更换光刻胶，进入步骤4，若光刻胶充足，则直接进入步骤5；步骤4：换胶前：缓存当前批次晶圆的涂胶显影作业进度，并寻找涂胶显影作业条件与当前批次不一致的晶圆，进行涂胶显影作业；换胶前的步骤包括：步骤411：停止当前批次晶圆的载入，缓存该批次晶圆的涂胶显影作业进度；步骤412：将当前批次中已完成涂胶作业的晶圆进行曝光，缓存当前批次未完成的曝光作业进度；步骤413：寻找涂胶显影作业条件与当前批次不一致的晶圆，并对寻找到的晶圆执行涂胶显影作业；换胶后：载入换胶前缓存的涂胶显影作业进度，返回步骤3；步骤5：将曝光条件与涂胶显影作业对应；步骤6：执行曝光作业和后续显影作业。2.如权利要求1所述的光刻生产控制方法，其特征在于，所述步骤4中，换胶后的步骤包括：步骤421：从涂胶显影机的软件缓存区载入涂胶显影作业进度；步骤422.继续执行晶圆的涂胶作业；步骤423：从曝光机的软件缓存区中载入曝光作业进度，恢复曝光作业；步骤424：返回步骤3。3.如权利要求2所述的光刻生产控制方法，其特征在于，每批次晶圆中均设置有与该批次晶圆的涂胶显影作业对应的代码，步骤413中，通过比对代码寻找涂胶显影作业条件与当前批次不一致的晶圆。4.如权利要求2所述的光刻生产...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗华明，甘志锋，毛智彪，杨正凯，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31