一种半导体组件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体组件的制造方法，包括下述步骤：将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上；将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，将晶片切割成粒；将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片；将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。本发明专利技术将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属导体上并使用模具固定，再进行熔焊，使产品的成品率提高；在半导体致冷元件外侧设密封胶带，防止环氧树脂流入半导体致冷器件中部，而影响半导体致冷器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新型的制造方法，尤其涉及一种半导体致冷组件的制造方法，属于半导体制造

技术介绍
半导体致冷器件的工作原理是基于帕尔帖原理，该效应是在1834年由J.A.C帕尔帖首先发现的，即利用当两种不同的导体A和B组成的电路且通有直流电时，在接头处除焦耳热以外还会释放出某种其它的热量，而另一个接头处则吸收热量，且帕尔帖效应所引起的这种现象是可逆的，改变电流方向时，放热和吸热的接头也随之改变，吸收和放出的热量与电流强度I成正比。 现如今大多数的厂家在生产半导体致冷组件的生产效率较低，废品较多，产品不美观且性能不佳。因此，需要提供一种新的半导体组件的制造方法。
技术实现思路
为了克服上述现有技术中存在的技术缺陷，本专利技术的目的在于提供，生产效率高，成本低，使用性能好。为了实现上述专利技术目的，本专利技术的技术方案如下: ，该方法包括下述步骤: (1)将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上； (2)喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，然后再将晶片切割成粒； (3)将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片； (4)将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。其中，所述步骤(I)中的加温温度为1010?1090°C。其中，所述步骤(3)中的熔焊温度为708?745°C。具体的，所述步骤(3)中的熔焊时间为8h。其中，所述步骤(2)中，所述镀镍的厚度为0.1-lmm，所述镀锡的厚度为0.2-lmm,所述镀铜的厚度为0.1-lmm。优选的，该方法还包括在制得半导体致冷器件半成品进行水洗的步骤。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是: 1.将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属导体上并使用模具固定，再进tx恪焊，使广品的成品率提尚;2.在半导体致冷元件外侧设有一圈密封胶带，然后在密封胶带外侧用环氧树脂密封，有效防止环氧树脂流入半导体致冷器件中部，而影响半导体致冷器件的性能。 3.步骤I中晶片需先进行喷镍，增加喷镍工艺后使得晶粒牢固焊于陶瓷片上不容易脱落。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本专利技术的技术方案做进一步详细的描述说明。本实施例的，该方法包括下述步骤: (1)将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上； (2)喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，然后再将晶片切割成粒； (3)将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片； (4)将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。其中，所述步骤(I)中的加温温度为1010?1090°C。其中，所述步骤(3)中的熔焊温度为708?745°C。具体的，所述步骤(3)中的熔焊时间为8h。其中，所述步骤(2)中，所述镀镍的厚度为0.1-lmm，所述镀锡的厚度为0.2-lmm，所述镀铜的厚度为0.1-lmm。优选的，该方法还包括在制得半导体致冷器件半成品进行水洗的步骤。实施例1 本实施例包括下述步骤: (1)将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，加温温度为1050°C，均匀喷于晶片表面上； (2)喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，所述镀镍的厚度为0.1mm，所述镀锡的厚度为0.2mm，所述镀铜的厚度为0.5，然后再将晶片切割成粒； (3)将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，熔焊温度为740°C，熔焊时间为8h，制得半导体致冷片； (4)将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。在制得半导体致冷器件半成品后，再进行水洗。实施例2 本实施例包括下述步骤: (1)将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，加温温度为1040°C，均匀喷于晶片表面上； (2)喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，所述镀镍的厚度为0.2mm，所述镀锡的厚度为0.2mm，所述镀铜的厚度为0.2，然后再将晶片切割成粒； (3)将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，熔焊温度为730°C，熔焊时间为8h，制得半导体致冷片； (4)将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。在制得半导体致冷器件半成品后，再进行水洗。实施例3 本实施例包括下述步骤: (1)将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，加温温度为10350°C，均匀喷于晶片表面上； (2)喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，所述镀镍的厚度为0.1mm，所述镀锡的厚度为0.3mm，所述镀铜的厚度为0.5，然后再将晶片切割成粒； (3)将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，熔焊温度为720°C，熔焊时间为8h，制得半导体致冷片； (4)将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。在制得半导体致冷器件半成品后，再进行水洗。综上所述，本实施例将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属导体上并使用模具固定，再进行熔焊，使产品的成品率提高； 在半导体致冷元件外侧设有一圈密封胶带，然后在密封胶带外侧用环氧树脂密封，有效防止环氧树脂流入半导体致冷器件中部，而影响半导体致冷器件的性能。 步骤I中晶片需先进行喷镍，增加喷镍工艺后使得晶粒牢固焊于陶瓷片上不容易脱落。 需要说明的是，以上较佳实施例仅供说明本专利技术之用，而非对本专利技术的限制，有关
的技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，所作出各种变换或变型，均属于本专利技术的范畴。【主权项】1.，其特征在于，该方法包括下述步骤: (1)将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上； (2)喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，然后再将晶片切割成粒； (3)将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片； (4)将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述步骤(I)中的加温温度为1010?1090 °C。3.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述步骤(3)中的熔焊温度为708?745 °C。4.根据权利要求3所述的，其特征在于，所述步骤(3)中的熔焊时间为8h。5.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述步骤(2)中，所述镀镍的厚度为0.1-lmm，所述镀锡的厚度为0.2_lmm，所述镀铜的厚度为0.1-lmm。6.根据权利要求1所述的，其特征在于，该方法还包括在制得半导体致冷器件半成品进行水洗的步骤。【专利摘要】本专利技术公开了，包括下述步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体组件的制造方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：（1）将N型和P型半导体晶棒切割成片，清洗后，置于传送带上，镍丝经过加温后，均匀喷于晶片表面上；（2）喷好镍后将晶片再镀一层镍、一层锡和一层铜，然后再将晶片切割成粒；（3）将N型半导体晶粒和P型半导体晶粒间隔地排列于金属陶瓷片上并使用模具固定，进行熔焊，制得半导体致冷片；（4）将绝缘陶瓷片上侧刮涂胶水，将半导体致冷元件固定于两块绝缘陶瓷片之间，制得半导体致冷器件半成品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施勇，
申请(专利权)人：海门市明阳实业有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32