抗静电表面保护膜制造技术

本发明专利技术提供对被粘附体的污染少且无经时劣化并具有优良的抗剥离静电性能的抗静电表面保护膜。其是依次经过：在由透明树脂构成的基材膜(1)的单面形成由含有共聚物的丙烯酸类聚合物，进而还含有(D)二官能以上的异氰酸酯化合物、(E)交联促进剂及(F)酮-烯醇互变异构体化合物的粘结剂组合物构成的粘结剂层(2)的工序；将在树脂膜(3)的单面层叠含抗静电剂的剥离剂层(4)而成的剥离膜(5)，通过剥离剂层(4)贴合于粘结剂层(2)表面的工序而制作，剥离剂层(4)由含有以二甲基聚硅氧烷作为主要成分的剥离剂、20℃下是液体的聚硅氧烷类化合物和抗静电剂的树脂组合物形成，粘结剂层(2)的剥离静电压为±0.6kV以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种粘结剂组合物和表面保护膜。详细而言，涉及具有抗静电性能的 抗静电表面保护膜。更详细而言，本专利技术提供一种对被粘附体的污染性少，且无经时劣化还 具有优良的抗剥离静电性能的抗静电表面保护膜的制造方法、以及抗静电表面保护膜。
技术介绍
目前，当制造、搬运偏光板、相位差板、显示器用透镜膜、防反射膜、硬涂膜、触摸面 板用透明导电膜等的光学用膜、以及使用了它们的显示器等光学产品时，通过在该光学用 膜的表面贴合表面保护膜而防止后续工序中的表面污染和刮伤。为了节省对表面保护膜进 行剥离后再进行贴合的劳力和时间从而提高作业效率，对作为产品的光学用膜的外观检查 而言，有时也在光学用膜上贴合着表面保护膜的状态下直接实施。 以往以来，为了在光学产品的制造工序中防止伤痕和污垢的附着，通常使用在基 材膜的单面设置了粘结剂层的表面保护膜。表面保护膜是通过微粘结力的粘结剂层被贴合 于光学用膜上。将粘结剂层设定为微粘结力的原因在于，为了将使用完毕的表面保护膜从 光学用膜表面剥离而去除时，能够容易地进行剥离，并且为了防止粘结剂附着并残留在作 为被粘附体的产品的光学用膜上（所谓的防止粘结剂残留的发生）的现象。 近年来，在液晶显示面板的生产工序中，由于将贴合于光学用膜上的表面保护膜 剥离而去除时产生的剥离静电压，会破坏用于控制液晶显示面板的显示画面的驱动IC等 电路部件，还有液晶分子的取向会损伤，虽然这些现象发生的件数少但也在发生。 另外，为了减少液晶显示面板的电耗，液晶材料的驱动电压趋于降低，随之驱动IC 的击穿电压也趋于降低。最近，要求将剥离静电压控制在+〇. 7kV~一 0. 7kV的范围内。 因此，为了防止从作为被粘附体的光学用膜上剥离表面保护膜时因剥离静电压高 所引起的缺陷，有人提出了一种表面保护膜，其使用了含有用于降低剥离静电压的抗静电 剂的粘结剂层。 例如，在专利文献1中，公开了一种使用由烷基三甲基铵盐、含羟基的丙烯酸类聚 合物、聚异氰酸酯组成的粘结剂的表面保护膜。 另外，在专利文献2中，公开了一种由离子性液体和酸值为I. 0以下的丙烯酸聚合 物组成的粘结剂组合物、以及使用了该组合物的粘结片类。 另外，在专利文献3中，公开了一种由丙烯酸聚合物、聚醚多元醇化合物、通过阴 离子吸附性化合物处理过的碱金属盐组成的粘结剂组合物、以及使用了该组合物的表面保 护膜。 另外，在专利文献4中，公开了一种由离子性液体、碱金属盐、玻璃化转变温度为 〇°C以下的聚合物组成的粘结剂组合物、以及使用了该组合物的表面保护膜。 另外，在专利文献5、6中，公开了在表面保护膜的粘结剂层中混合聚醚改性聚硅 氧烧的
技术实现思路
。 上述专利文献1~4中，在粘结剂层内部添加有抗静电剂，但粘结剂层的厚度越 厚，并且随着时间的推移，抗静电剂从粘结剂层向表面保护膜所贴合的被粘附体移动的量 会越多。另外，在LR(LowReflective)偏光板、AG(AntiGlare)-LR偏光板等的光学用膜 中，由于采用聚硅氧烷化合物或氟化物等对光学用膜表面施加了防污染处理，因此，当从作 为被粘附体的光学用膜上剥离该光学用膜所使用的表面保护膜时，剥离静电压变高。 另外，如专利文献5、6所述，当在粘结剂层中混合了聚醚改性聚硅氧烷时，难以对 表面保护膜的粘结力进行微调。另外，由于在粘结剂层内混合有聚醚改性硅氧烷，因此，当 在基材膜上涂布、干燥粘结剂组合物的条件发生变化时，表面保护膜上形成的粘结剂层表 面的特性微妙地发生变化。并且，从保护光学用膜表面的观点出发，无法使粘结剂层的厚度 设定为极薄。因此，根据粘结剂层的厚度，需要增加粘结剂层内混合的聚醚改性聚硅氧烷的 添加量，结果容易污染被粘附体表面，随时间的粘结力和对被粘附体的污染性发生变化。 近年来，伴随着3D显示器（立体视觉显示器）的普及，有在偏光板等光学用膜的 表面贴合FPR(图案相位差膜，FilmPatternedRetarder)膜的情况。剥离在偏光板等光 学用膜的表面所贴合的表面保护膜后，贴合FPR膜。但是，当偏光板等的光学用膜表面被表 面保护膜使用的粘结剂、抗静电剂所污染时，存在难以粘接FPR膜的问题。因此，对该用途 上使用的表面保护膜而言，要求其对被粘附体的污染少。 另一方面，在一些液晶面板制造厂商中，作为表面保护膜对被粘附体的污染性的 评价方法，是采用如下方法：对偏光板等的光学用膜上贴合的表面保护膜进行一次剥离，在 混入了气泡的状态下进行再贴合，对再贴合后的物件在规定条件下加热处理，然后剥离表 面保护膜并观察被粘附体的表面。在这种评价方法中，即使被粘附体的表面污染是微量的， 若在混入气泡的部分与表面保护膜的粘结剂相接触的部分之间存在被粘附体表面污染的 差异，则会作为气泡痕迹（有时也称作"气泡污痕"）残留。因此，作为对被粘附体表面的污 染性的评价方法，会是非常严格的评价方法。近年来，即使是以这种严格的评价方法进行判 定的结果，也需要对被粘附体的表面污染性方面没有问题的表面保护膜。但目前的状况是， 在以往所提出的使用了含有抗静电剂的粘结剂层的表面保护膜中，难以解决该课题。 因此，需要一种在光学用膜中使用的表面保护膜，其对被粘附体的污染非常少、且 对被粘附体的污染性没有经时变化（不随着时间推移发生变化）。并且，需要将从被粘附体 上剥离时的剥离静电压抑制得低的表面保护膜。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2005-131957号公报 专利文献2 :日本特开2005-330464号公报 专利文献3 :日本特开2005-314476号公报 专利文献4 :日本特开2006-152235号公报 专利文献5 :日本特开2009-275128号公报 专利文献6 :日本特许第4537450号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 为了解决该课题，本专利技术人等进行了精心研究。 为了减少对被粘附体的污染并且也减少抗静电性能的经时变化，需要降低被推测 是污染被粘附体的原因的抗静电剂的添加量。但是，当降低抗静电剂的添加量时，会导致从 被粘附体上剥离表面保护膜时的剥离静电压变高。本专利技术人等研究了在不增加抗静电剂 添加量的绝对量的情况下较低地抑制从被粘附体上剥离表面保护膜时的剥离静电压的方 法。其结果发现，不在粘结剂组合物中添加抗静电剂并进行混合而形成粘结剂层，而是涂布 粘结剂组合物并进行干燥而层叠粘结剂层后，通过对粘结剂层表面赋予适量的抗静电剂成 分，能够较低地抑制从作为被粘附体的光学用膜上剥离表面保护膜时的剥离静电压，并基 于上述发现完成了本专利技术。 本专利技术就是鉴于上述情况而完成的，其课题在于提供一种对被粘附体的污染少、 且具有无经时劣化（不随着时间推移发生劣化）的优良的抗剥离静电性能的抗静电表面保 护膜。 解决课题的方法 为了解决上述课题，本专利技术抗静电表面保护膜的技术思想在于，在涂布粘结剂组 合物并进行干燥而层叠粘结剂层后，对该粘结剂层的表面赋予适量的20°C下是液体的聚硅 氧烷（silicone、硅酮）类化合物和抗静电剂，由此，能够较低地抑制对被粘附体的污染性， 而且能够较低地抑制从作为被粘附体的光学用膜上剥离时的剥离静电压。 为了解决上述课题，本专利技术提供一种抗静电表面保护膜，其是依次经过下述工序 (1)~本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗静电表面保护膜，其是依次经过下述工序(1)～(2)制造，工序(1)：在由具有透明性的树脂构成的基材膜的单面上形成由粘结剂组合物构成的粘结剂层的工序，所述粘结剂组合物包括：(A)烷基的碳原子数为C4～C18的(甲基)丙烯酸酯单体中的至少一种与选自于作为可共聚单体组的不包括含羧基的可共聚单体而由(B)含羟基的可共聚单体和(C)不含羟基而含氮的乙烯基单体或者含烷氧基的(甲基)丙烯酸烷基酯单体所组成的可共聚单体组中的至少一种的共聚物的丙烯酸类聚合物；还包括(D)二官能以上的异氰酸酯化合物、(E)交联促进剂以及(F)酮‑烯醇互变异构体化合物，工序(2)：将在树脂膜单面上层叠含有抗静电剂的剥离剂层而成的剥离膜，通过所述剥离剂层贴合于所述粘结剂层的表面上的工序，所述剥离剂层是由含有以二甲基聚硅氧烷作为主要成分的剥离剂、20℃下是液体的聚硅氧烷类化合物和所述抗静电剂的树脂组合物来形成，所述粘结剂层的剥离静电压为±0.6kV以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：长仓毅，长谷川良，小林弘幸，春日充，新见洋人，
申请(专利权)人：藤森工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP