本发明专利技术涉及一种发光装置复合基板及具有该发光装置复合基板的LED模组。其中，发光装置复合基板包括金属基底、绝缘载体与电极，所述金属基底与所述绝缘载体分别具有相对的正面和背面，所述绝缘载体位于所述金属基底外围且与所述金属基底固定连接，所述电极位于所述绝缘载体上，所述电极贯穿所述绝缘载体，所述电极具有相对的正面和背面，所述绝缘载体的背面及所述电极的背面的高度小于所述金属基底的背面的高度。本发明专利技术还提供一种LED模组。上述发光装置复合基板具有可降低成本的优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED照明
，特别涉及一种发光装置复合基板及具有该发光装置复合基板的LED模组。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting D1de, LED)是一种能够将电能转化成可见光的固态半导体器件，其可以直接把电能转化为光。由于LED光源具有节能、寿命长、环保等特点，决定了 LED是替代传统光源的较理想光源，具有广泛的用途。LED模组通常包括LED芯片、COB (Chip On Board)基板、电路板及散热器；其中，LED芯片位于基板上并通过COB基板上的电极与电路板电性连接，散热器位于COB基板的下方，用于将LED芯片发光时所产生的热量散发出去。现有的COB基板上的电极通常都只设置在COB基板的正面侧，为减少焊接时出现异常，通常COB基板需要配合连接器(Connector) —起使用。然而，连接器一般具有较高的价格，因此其会造成LED模组成本的上升。
技术实现思路
因此，针对现有技术中的不足，本专利技术提出一种发光装置复合基板及具有该发光装置复合基板的LED模组。具体地，本专利技术实施例提供的一种发光装置复合基板，其包括金属基底、绝缘载体与电极，所述金属基底与所述绝缘载体分别具有相对的正面和背面，所述绝缘载体位于所述金属基底外围且与所述金属基底固定连接，所述电极位于所述绝缘载体上，所述电极贯穿所述绝缘载体，所述电极具有相对的正面和背面，所述绝缘载体的背面及所述电极的背面的高度小于所述金属基底的背面的高度。在本专利技术的一个实施例中，所述电极的背面的高度与所述金属基底的背面的高度差大于0.2mm，优选为0.25mm。在本专利技术的一个实施例中，所述金属基底优选由铜形成。在本专利技术的一个实施例中，所述金属基底形成有多个孔洞，所述孔洞内填充有绝缘材料，所述绝缘载体具有多个向所述金属基底方向延伸的凸出结构，所述凸出结构与所述孔洞内的绝缘材料相接。在本专利技术的一个实施例中，所述绝缘载体在靠近所述金属基底处形成有防水结构，其中所述防水结构为防水槽。在本专利技术的一个实施例中，所述防水结构具有依次连接的内侧面、上表面、外侧面及底面，所述内侧面靠近所述金属基底侧并形成光学反射面，所述外侧面与所述内侧面相对，所述上表面连接于所述外侧面与所述内侧面之间且构成槽面，所述底面与所述上表面相对，所述上表面及所述底面上分别形成有粗化结构。在本专利技术的一个实施例中，所述绝缘载体在与所述金属基底的连接面形成有粗化结构。在本专利技术的一个实施例中，所述绝缘载体在与所述电极的连接面形成有粗化结构。在本专利技术的一个实施例中，所述绝缘载体为一体成型结构。在本专利技术的一个实施例中，所述电极包括正极与负极。在本专利技术的一个实施例中，所述电极在靠近所述金属基底侧形成有焊线区。本专利技术实施例还提供的一种LED模组，其包括电路板、发光装置复合基板、LED芯片及散热器，其中发光装置复合基板包括金属基底、绝缘载体与电极，所述金属基底与所述绝缘载体分别具有相对的正面和背面，所述绝缘载体位于所述金属基底外围且与所述金属基底固定连接，所述电极位于所述绝缘载体上，所述LED芯片设于所述金属基底的正面并与所述电极电性连接，所述电极贯穿所述绝缘载体，所述电极具有相对的正面和背面，所述绝缘载体的背面及所述电极的背面的高度小于所述金属基底的背面的高度，所述电路板连接于所述绝缘载体的背面及所述电极的背面，所述电路板与所述电极形成电性连接，所述散热器与所述金属基底的背面热性接触。在本专利技术的一个实施例中，所述电极的背面的高度与所述金属基底的背面的高度差大于0.2mm，优选为0.25mm。在本专利技术的一个实施例中，所述电路板的厚度小于或等于所述电极背面与所述金属基底背面的高度差。本专利技术上述实施例的LED模组及发光装置复合基板，由于发光装置复合基板的电极贯穿绝缘载体，电极的背面可以用于和电路板直接电性连接，因此可以不需使用连接器，从而节省使用连接器的成本。通过以下参考附图的详细说明，本专利技术的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本专利技术的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。【附图说明】下面将结合附图，对本专利技术的【具体实施方式】进行详细的说明。图1为本专利技术第一实施例的发光装置复合基板的俯视示意图。图2为图1所示发光装置复合基板的仰视示意图。图3为图1所示发光装置复合基板沿II1-1II’线剖开的示意图。图4为图2所示发光装置复合基板沿IV-1V’线剖开的示意图。图5为图2所示发光装置复合基板沿V-V’线剖开的示意图。图6为图2所示发光装置复合基板的剖面示意图，且所述发光装置复合基板与LED芯片组合并用封装胶封装。图7为本专利技术第二实施例的发光装置复合基板的剖面示意图。图8为图7所不发光装置复合基板的局部VIII的放大不意图。图9为本专利技术第三实施例LED模组的剖面示意图。【具体实施方式】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。【第一实施例】请参见图1与图2，所示为本专利技术第一实施例的一种发光装置复合基板10，其包括金属基底11、绝缘载体13与电极15。金属基底11与绝缘载体13分别具有相对的正面和背面。绝缘载体13位于金属基底11外围且与金属基底11固定连接。电极15位于绝缘载体13上，电极15贯穿绝缘载体13。电极15具有相对的正面和背面。绝缘载体13的背面及电极15的背面的高度都小于金属基底11的背面的高度。换而言之，绝缘载体13的背面及电极15的背面向外凸出的程度都小于金属基底11的背面向外凸出的程度。由于电极15贯穿绝缘载体13，电极15的背面可以用于和电路板(PrintedCircuit Board)直接电性连接，因此可以不需使用连接器，从而节省使用连接器的成本。请参见图2与图3，具体在本实施例中，电极15的背面与金属基底11的背面的高度差D需大于0.2mm,最好为0.25mm ;而绝缘载体13的背面与金属基底11的背面的高度差可相等外，绝缘载体13的背面与金属基底11的背面的高度差还可略小于或大于电极15的背面与金属基底11的背面的高度差D。详细来说，在本实施例中，金属基底11可由铜形成。由于铜具有较高的导热系数，因此可便于将热量传导出去。金属基底11可形成有多个孔洞112，孔洞112内填充有绝缘材料114。请再参见图1与图3，孔洞112内填充的绝缘材料114可以是与绝缘载体13相分离的结构，即绝缘载体13上具有向金属基底11方向延伸出来的凸出结构131，而孔洞112内另外填充有绝缘材料114，凸出结构131与绝缘材料114相接，如此，绝缘载体13所使用的材质与孔洞112内填充的绝缘材料114所使用的材质可以相同也可以不同。通过在金属基底11设置孔洞112，且在孔洞112内填充有绝缘材料114，有利于增加耐电气绝缘性及有利于绝缘材料114与绝缘载体13之间的连接作用，提升金属基底11与绝缘载体13之间的连接强度，增强金属基底11固定的牢靠性。此外，可以理解，在本专利技术的其他实施例中，若绝缘载体13所使用的材质与孔洞112内填充的绝缘材料114所使用的材质是相同的，则凸出结构1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置复合基板，其包括金属基底、绝缘载体与电极，所述金属基底与所述绝缘载体分别具有相对的正面和背面，所述绝缘载体位于所述金属基底外围且与所述金属基底固定连接，所述电极位于所述绝缘载体上，其特征在于，所述电极贯穿所述绝缘载体，所述电极具有相对的正面和背面，所述绝缘载体的背面及所述电极的背面的高度小于所述金属基底的背面的高度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张景琼，郑子淇，
申请(专利权)人：开发晶照明厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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