本发明专利技术提供一种低温多晶硅薄膜、薄膜晶体管及各自制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的低温多晶硅薄膜均一性差的问题。本发明专利技术的低温多晶硅薄膜的制备方法，包括：在基底上方形成非晶硅薄膜；采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火，形成低温多晶硅薄膜；其中，所述掩模板包括透光区和将透光区包围的遮光区，且所述遮光区的两条相对的侧边为起伏结构。本发明专利技术的制备方法形成的低温多晶硅薄膜性能改到改善。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于显示
，具体涉及一种低温多晶硅薄膜、薄膜晶体管及其各自制备方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，人们对显示画质的需求日益增长，高画质、高分辨率的平板显示装置的需求越来越普遍，也越来越得到显示面板厂家的重视。薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是平板显示面板的主要驱动器件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，例如:非晶硅和多晶硅都是目前常用的薄膜晶体管制备材料。然而，非晶硅本身存在很多无法避免的缺点，比如:低迀移率、低稳定性等；与此相比，低温多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)具有较高的迀移率及稳定性，其迀移率可达非晶硅的几十甚至几百倍。因此，采用低温多晶硅材料形成薄膜晶体管的技术得到了迅速发展，由LTPS衍生的新一代液晶显示装置(Liquid Crystal Display:简称IXD)或有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting D1de:简称0LED)成为重要的显示技术，尤其是OLED显示装置，由于OLED具有超薄、低功耗、同时自身发光等特点，备受用户的青睐。虽然低温多晶硅薄膜晶体管具有上述优点，但是，在低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)中的低温多晶硅薄膜(也就是有源层)，是采用对非晶硅薄膜进行激光退火工艺形成的，而在激光退火过程中会引起多晶硅的晶粒尺寸不均一和多晶硅薄膜表面出现非常大的粗糙度，从而导致低温多晶硅薄膜晶体管的阈值电压和迀移率的均匀性不佳，尤其是当晶体管尺寸缩小时，阈值电压不均匀的问题将变得更为严重。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题包括，针对现有的低温多晶硅薄膜存在上述问题，提供一种均一性好、能够提高晶体管性能的一种低温多晶硅薄膜、薄膜晶体管及其各自制备方法、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种低温多晶硅薄膜的制备方法，包括如下步骤:在基底上方形成非晶硅薄膜；采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火，形成低温多晶硅薄膜；其中，所述掩模板包括透光区和将透光区包围的遮光区，且所述遮光区的两条相对的侧边为起伏结构。优选的是，所述采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火的步骤中，激光的扫描方向平行于所述起伏结构的波峰的指向方向。优选的是，所述采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火的步骤中，激光的能量密度为 350mJ/cm2至 550mJ/cm 2α优选的是，所述采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火的步骤中，激光的脉冲宽度为 30ns 至 200ns。优选的是，所述在基底上方形成非晶硅薄膜之前还包括:在基底上形成缓冲层的步骤。进一步优选的是，所述缓冲层包括氧化硅、氮化硅中的至少一层结构。进一步优选的是，所述缓冲层的厚度为150nm至300nmo优选的是，在所述起伏结构中各个波峰等间距分布，且两相邻波峰之间的距离为0.3 μ m 至 2 μ m0优选的是，所述起伏结构的形状为三角波或者波浪形。优选的是，所述激光退火具体为:准分子激光退火或连续波固态激光退火。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种低温多晶硅薄膜，其是采用上述制备方法制备的。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其包括上述的低温多晶硅薄膜的制备方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括通过工艺形成包括有源层的步骤，形成所述有源层的步骤具体包括:在基底上方形成非晶硅薄膜；采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火，形成低温多晶硅薄膜；其中，所述掩模板包括透光区和将透光区包围的遮光区，且所述遮光区的两条相对的侧边为起伏结构；对低温多晶硅薄膜通过构图工艺，形成包括有源层的图形。优选的是，所述在基底上方形成非晶硅薄膜之前还包括:在基底上形成缓冲层的步骤。优选的是，所述采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火的步骤中，激光的扫描方向平行于所述起伏结构的波峰的指向方向。进一步优选的是，所述形成包括有源层的图形之后还包括:通过构图工艺形成包括源极和漏极的图形；其中，所述源极和所述漏极中心连线的方向与所述激光的扫描方向平行。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种低温多晶硅薄膜晶体管，其是采用上述制备方法制备的。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述低温多晶硅薄膜晶体管。本专利技术具有如下有益效果:由于本专利技术的低温多晶硅薄膜的制备方法中采用了掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火以形成低温多晶硅薄膜，掩模板包括透光区和将透光区包围的遮光区，且掩模板遮光区的两条相对的侧边为起伏结构，故在通过激光退火形成的低温多晶硅薄膜将以未被照射的波峰位置的非晶硅为晶核生长，因此，形成的低温多晶硅薄膜的晶粒尺寸以及晶界位置均得到改善，将该低温多晶硅薄膜应用于晶体管中，可以提高晶体管的电学特性。【附图说明】图1为本专利技术的实施例1的低温多晶硅薄膜的制备方法的流程图；图2为本专利技术的实施例1的低温多晶硅薄膜的制备方法所采用的掩模板的示意图；图3为本专利技术的实施例1的低温多晶硅薄膜的制备方法的所制备出的低温多晶硅薄膜的示意图；图4为本专利技术的实施例2的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法的流程图；图5为本专利技术的实施例2的形成有源层的流程图；图6为本专利技术的实施例2的形成源极和漏极与有源层的位置关系示意图。其中附图标记为:10、掩模板；Q1、透光区；Q2、遮光区；20、未被照射的非晶硅薄膜；21、低温多晶硅薄膜；31、源极接触区；32、漏极接触区；33、沟道区。【具体实施方式】为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细描述。在本专利技术实施例中，构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本专利技术中所形成的结构选择相应的构图工艺。实施例1:如图1-3所示，本实施例提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法，包括如下步骤:步骤一、在基底上形成缓冲层。在该步骤中，基底采用玻璃等透明材料制成、且经过预先清洗。具体的，在基板I上采用派射方式、热蒸发方式、等离子体增强化学气相沉积(Plasm当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基底上方形成非晶硅薄膜；采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火，形成低温多晶硅薄膜；其中，所述掩模板包括透光区和将透光区包围的遮光区，且所述遮光区的两条相对的侧边为起伏结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李栋，陆小勇，李小龙，刘政，张帅，詹裕程，刘建宏，龙春平，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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