本发明专利技术公开了一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上依次形成包括第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极的图形；即在形成有机层之后，仅进行第二电极的常温沉积和湿法刻蚀，与现有的阵列基板的制作方法相比，无需进行绝缘层的高温沉积和干法刻蚀，从而可以避免高温环境使有机层释放出一定的气体和杂质而污染成膜设备和干法刻蚀设备；并且，在形成第一绝缘层之后无需对其进行构图工艺，与现有的需要对绝缘层进行光刻和干法刻蚀处理以露出接线端子的制作方法相比，可以简化阵列基板的制作工艺，降低生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置。
技术介绍
在现有的显示装置中，液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)具有功耗低、显示质量高、无电磁辐射以及应用范围广等优点，是目前较为重要的显示装置。液晶显示器主要由阵列基板、对向基板以及位于该两基板之间的液晶层组成；其中，阵列基板，如图1所示，一般包括:衬底基板101，以及位于衬底基板101上依次层叠设置的薄膜晶体管102、第一绝缘层103、有机层104、像素电极105、第二绝缘层106、公共电极107和公共电极线108。该阵列基板的制作过程一般包括如下步骤:首先，在衬底基板101上形成薄膜晶体管102 ;然后，依次形成第一绝缘层薄膜和有机层薄膜，对有机层薄膜进行曝光、显影处理后，对第一绝缘层薄膜进行刻蚀处理，以露出薄膜晶体管102中的漏极以及位于非显示区域109内的与数据线电性连接的第一接线端子和与栅线电性连接的第二接线端子110，获得第一绝缘层103和有机层104 ;接着，形成像素电极105，像素电极105通过第一绝缘层103和有机层104中的过孔与薄膜晶体管102中的漏极电性连接；之后，沉积第二绝缘层薄膜，对第二绝缘层薄膜进行光刻和干法刻蚀处理，以露出第一接线端子和第二接线端子110，获得第二绝缘层106 ;最后，形成公共电极107和公共电极线108。在上述阵列基板的制作过程中，在沉积第二绝缘层时，衬底基板上已形成有有机层，而第二绝缘层的沉积温度一般会达到240°C左右的高温，因此，在沉积第二绝缘层的过程中，高温环境会使有机层释放出一定的气体和杂质，从而会对成膜设备造成严重的污染；并且，后续对第二绝缘层进行的干法刻蚀处理也会达到120°C左右的高温，同样会使有机层释放出一定的气体和杂质，从而会对干法刻蚀设备造成一定的污染。因此，如何避免有机层释放气体和杂质而污染设备，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，用以避免有机层释放气体和杂质而污染设备。因此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括:衬底基板，位于所述衬底基板上依次层叠设置的第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；还包括:位于所述公共电极与所述有机层之间或位于所述公共电极上的公共电极线。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；还包括:位于所述公共电极与所述衬底基板之间或位于所述公共电极与所述第一绝缘层之间的公共电极线。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述薄膜晶体管，包括:在所述第一绝缘层上依次层叠设置的栅极、栅绝缘层、有源层、以及源极和漏极；所述像素电极通过贯穿所述第二绝缘层和所述有机层的第一过孔与所述漏极电性连接。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述第二绝缘层和所述有机层具有贯穿所述第二绝缘层和所述有机层以露出与数据线电性连接的第一接线端子的第二过孔。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述有机层、所述第二绝缘层和所述栅绝缘层具有贯穿所述有机层、所述第二绝缘层和所述栅绝缘层以露出与栅线电性连接的第二接线端子的第三过孔。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述有机层、所述第二绝缘层、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层具有贯穿所述有机层、所述第二绝缘层、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层以露出与所述公共电极线电性连接的第三接线端子的第四过孔。本专利技术实施例还提供了一种液晶显示面板，包括:本专利技术实施例提供的上述阵列基板和与所述阵列基板相对而置的对向基板，以及位于所述阵列基板与所述对向基板之间的液晶层。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括:本专利技术实施例提供的上述液晶显示面板。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括:在衬底基板上依次形成包括第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极的图形。 在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述方法中，形成包括第一电极的图形，具体包括:形成包括像素电极的图形；形成包括第二电极的图形，具体包括:形成包括公共电极的图形；在形成包括有机层的图形之后，在形成包括公共电极的图形之前，或在形成公共电极的图形之后，还包括:形成包括公共电极线的图形。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述方法中，形成包括第一电极的图形，具体包括:形成包括公共电极的图形；形成包括第二电极的图形，具体包括:形成包括像素电极的图形；在形成包括公共电极的图形之前，或在形成包括公共电极的图形之后，在形成包括第一绝缘层的图形之前，还包括:形成包括公共电极线的图形。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述方法中，形成包括薄膜晶体管的图形，具体包括:形成包括栅极的图形；在形成有所述栅极的图形的衬底基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成包括有源层的图形；在形成有所述有源层的图形的衬底基板上形成包括源极和漏极的图形；形成包括第二绝缘层和有机层的图形，具体包括:形成第二绝缘层薄膜；在所述第二绝缘层薄膜上形成有机层薄膜；以所述有机层薄膜为光刻胶对所述第二绝缘层薄膜进行构图工艺，形成贯穿所述第二绝缘层薄膜和所述有机层薄膜以电性连接漏极与将要形成的像素电极的图形的第一过孔。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述方法中，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺，形成第一过孔的同时，还包括:形成贯穿所述第二绝缘层薄膜和所述有机层薄膜以露出与数据线电性连接的第一接线端子的第二过孔。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述方法中，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺的同时，还包括:以所述有机层薄膜为光刻胶对所述第二绝缘层薄膜和所述栅绝缘层进行构图工艺，形成贯穿所述有机层薄膜、所述第二绝缘层薄膜和所述栅绝缘层以露出与栅线电性连接的第二接线端子的第三过孔。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述方法中，以有机层薄膜为光刻胶对第二绝缘层薄膜进行构图工艺的同时，还包括:以所述有机层薄膜为光刻胶对所述第二绝缘层薄膜、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层进行构图工艺，形成贯穿所述有机层薄膜、所述第二绝缘层薄膜、所述栅绝缘层和所述第一绝缘层以露出与所述公共电极线电性连接的第三接线端子的第四过孔。本专利技术实施例提供的上述阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，该阵列基板的制作方法包括:在衬底基板上依次形成包括第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极的图形；即在形成有机层之后，仅进行第二电极的常温沉积和湿法刻蚀，与现有的阵列基板的制作方法相比，无需进行绝缘层的高温沉积和干法刻蚀，从而可以避免高温环境使有机层释放出一定的气体和杂质而污染成膜设备和干法刻蚀设备；并且，在形成第一绝缘层之后无需对其进行构图工艺，与现有的需要对绝缘层进行当前第1页1 2 3&nb本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上依次层叠设置的第一电极、第一绝缘层、薄膜晶体管、第二绝缘层、有机层和第二电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡振飞，纪强强，刘国全，陈正伟，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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