本发明专利技术公开了一种阵列基板，其包括多个像素结构，每一像素结构包括设置于玻璃基板上的薄膜晶体管以及像素电极，所述薄膜晶体管与所述像素电极之间设置有钝化层，所述像素电极通过设置于所述钝化层中的过孔电性连接到所述薄膜晶体管，其中，所述钝化层中设置有沟槽结构，所述沟槽结构包括周期性排列的多个凹陷部以及间隔每两个相邻凹陷部的凸起部；所述钝化层中还设置有一第二沟槽，所述第二沟槽环绕于所述沟槽结构的四周，所述第二沟槽将多个凹陷部相互连通；所述像素电极呈一整面地覆设于所述凹陷部和所述凸起部上，并且，所述像素电极的边缘延伸至所述第二沟槽中。本发明专利技术还公开了包含如上所述阵列基板的液晶面板。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
,尤其涉及一种阵列基板，还涉及包含该阵列基板的液晶面板。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)，为平面超薄的显示设备，液晶面板是液晶显示器的重要组成部分。常用的液晶面板至少包括相对设置的阵列基板(arraysubstrate)和滤光基板(colorfiltersubstrate)以及位于阵列基板和滤光基板之间的液晶层。现有技术中，垂直取向(VerticalAlignment，VA)模式的液晶显示器使用表现出负介电各项异性的液晶来构成液晶层。在垂直取向模式的液晶显示器不施加电压的情况下，液晶分子垂直于导电玻璃排列；在垂直取向模式的液晶显示器施加电压的情况下，液晶分子趋向于垂直电场的方向排列。但是，垂直取向模式的液晶显示器，大视角下会发生严重的色偏(colorwashout)问题，目前只要采用多畴(multidomain)显示的像素结构设计，来改善这一问题。参阅图1和图2，现有的一种像素结构，其包括钝化层1和设置于钝化层1上的像素电极2。具体地，所述钝化层1中设置有沟槽结构3，所述沟槽结构3包括周期性排列的多个凹陷部3a以及间隔每两个相邻凹陷部3a的凸起部3b，所述像素电极2呈一整面连续地覆设于所述凹陷部3a和所述凸起部3b上。其中，如图1所示，所述钝化层1中，以其中心为原点，设置X轴和Y轴，X轴和Y轴将所述钝化层1分为第一畴1a、第二畴1b、第三畴1c和第四畴1d。所述沟槽结构3的凸起部3a和凹陷部3b在第一畴1a、第二畴1b、第三畴1c和第四畴1d中分别具有不同的倾斜角度。相应的，覆设于所述凹陷部3a和所述凸起部3b上的像素电极2，在第一畴1a、第二畴1b、第三畴1c和第四畴1d中也分别形成具有不同的倾斜角度的条状电极，由此可以改善大视角下发生的色偏问题。但是，在如上的像素结构中，在像素电极2的边缘部分，参阅图3和图4，由于像素电极2具有与凹陷部3a和凸起部3b相似的形状，不管是沿X方向还是沿Y方向，像素电极2的边缘都是突变的台阶结构，这样会使得像素结构边缘的液晶分子倒向紊乱。在液晶面板中，均匀稳定的液晶倒向行为应该是从像素结构的中心开始，逐渐推动外围的液晶分子倾倒。如果像素结构边缘的液晶分子倒向紊乱，则倒向紊乱的带动力与从像素结构中心开始的倒向推动力相遇，容易在像素结构中促使液晶分子紊乱，产生不规则的暗纹区，降低了液晶面板的光线透过率。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的不足，本专利技术首先提供了一种阵列基板，通过对阵列基板中的像素结构进行改进，以使像素结构中可以得到更加均匀稳定的液晶分子倒向，提高了液晶面板的光线透过率。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下的技术方案：一种阵列基板，包括多个像素结构，每一像素结构包括设置于玻璃基板上的薄膜晶体管以及像素电极，所述薄膜晶体管与所述像素电极之间设置有钝化层，所述像素电极通过设置于所述钝化层中的过孔电性连接到所述薄膜晶体管，其中，所述钝化层中设置有沟槽结构，所述沟槽结构包括周期性排列的多个凹陷部以及间隔每两个相邻凹陷部的凸起部；所述钝化层中还设置有一第二沟槽，所述第二沟槽环绕于所述沟槽结构的四周，所述第二沟槽将多个凹陷部相互连通；所述像素电极呈一整面地覆设于所述凹陷部和所述凸起部上，并且，所述像素电极的边缘延伸至所述第二沟槽中。其中，所述过孔设置于所述沟槽结构的中心。其中，以所述过孔为原点，设置X轴和Y轴，将所述沟槽结构所在区域分为第一畴、第二畴、第三畴和第四畴，所述凸起部和所述凹陷部在第一畴、第二畴、第三畴和第四畴内均相对于X轴倾斜；其中，第一畴和第二畴的凸起部和凹陷部与第三畴和第四畴内的凸起部和凹陷部关于X轴对称，第一畴和第四畴内的凸起部和凹陷部与第二畴和第三畴内的凸起部和凹陷部关于Y轴对称。其中，所述第一畴中的凸起部和凹陷部相对于X轴呈45°倾斜，所述第二畴中的凸起部和凹陷部相对于X轴呈135°倾斜，所述第三畴中的凸起部和凹陷部相对于X轴呈-135°倾斜，所述第四畴中的凸起部和凹陷部相对于X轴呈-45°倾斜。其中，所述凸起部和所述凹陷部的宽度相等。其中，所述凹陷部的深度小于钝化层的厚度。其中，所述第二沟槽与所述凹陷部的深度相等，所述第二沟槽的宽度大于所述凹陷部的宽度。其中，所述像素电极的材料为ITO。其中，所述钝化层的材料为SiNx或SiOx。本专利技术还提供了一种液晶面板，包括相对设置的阵列基板和滤光基板以及位于所述阵列基板和滤光基板之间的液晶层，其中，所述阵列基板采用了如上所述的阵列基板。相比于现有技术，本专利技术实施例提供的阵列基板以及液晶面板，通过对阵列基板中的像素结构进行改进，在钝化层中的沟槽结构四周还设置有第二沟槽，像素电极呈一整面连续地覆设于沟槽结构上，并且像素电极的边缘延伸至第二沟槽中，像素电极的边缘不管是沿X方向还是沿Y方向，均连续平滑地延伸一定的长度。因此，像素结构边缘的液晶分子不会发生倒向紊乱，使得像素结构中可以得到更加均匀稳定的液晶分子倒向，提高了液晶面板的光线透过率。附图说明图1是现有的一种像素结构中钝化层的俯视图。图2是如图1中A部分的剖面图，图中还示出了位于钝化层上的像素电极。图3是如图1中B部分的剖面图，图中还示出了位于钝化层上的像素电极。图4是如图1中C部分的剖面图，图中还示出了位于钝化层上的像素电极。图5是本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图。图6是本专利技术实施例的像素结构中钝化层的俯视图。图7是如图6中D部分的剖面图，图中还示出了位于钝化层上的像素电极。图8是本专利技术实施例提供的液晶面板的结构示意图。图9是本专利技术实施例提供的液晶面板的光线透过率曲线图。具体实施方式下面将结合附图以及具体实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行详细地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实例，而不是全部实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护范围。参阅图5，本实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板100包括玻璃基板10以及形成在所述玻璃基板10上的多个像素结构20(附图中仅示例性示出了其中的一个像素结构20的局部剖面图)。每一像素结构20包括设置于玻璃基板10上的薄膜晶体管30以及像素电极40，所述薄膜晶体管30与所述像素电极40之间设置有钝化层50。具体地，如图5所示的，所述薄本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个像素结构(20)，每一像素结构(20)包括设置于玻璃基板(10)上的薄膜晶体管(30)以及像素电极(40)，所述薄膜晶体管(30)与所述像素电极(40)之间设置有钝化层(50)，所述像素电极(40)通过设置于所述钝化层(50)中的过孔(60)电性连接到所述薄膜晶体管(30)，其特征在于，所述钝化层(50)中设置有沟槽结构(51)，所述沟槽结构(51)包括周期性排列的多个凹陷部(511)以及间隔每两个相邻凹陷部(511)的凸起部(512)；所述钝化层(50)中还设置有一第二沟槽(52)，所述第二沟槽(52)环绕于所述沟槽结构(51)的四周，所述第二沟槽(52)将多个凹陷部(511)相互连通；所述像素电极(40)呈一整面连续地覆设于所述凹陷部(511)和所述凸起部(512)上，并且，所述像素电极(40)的边缘延伸至所述第二沟槽(52)中。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括多个像素结构(20)，每一像素结构(20)包括
设置于玻璃基板(10)上的薄膜晶体管(30)以及像素电极(40)，所述薄膜
晶体管(30)与所述像素电极(40)之间设置有钝化层(50)，所述像素电极
(40)通过设置于所述钝化层(50)中的过孔(60)电性连接到所述薄膜晶
体管(30)，其特征在于，所述钝化层(50)中设置有沟槽结构(51)，所述
沟槽结构(51)包括周期性排列的多个凹陷部(511)以及间隔每两个相邻凹
陷部(511)的凸起部(512)；所述钝化层(50)中还设置有一第二沟槽(52)，
所述第二沟槽(52)环绕于所述沟槽结构(51)的四周，所述第二沟槽(52)
将多个凹陷部(511)相互连通；所述像素电极(40)呈一整面连续地覆设于
所述凹陷部(511)和所述凸起部(512)上，并且，所述像素电极(40)的
边缘延伸至所述第二沟槽(52)中。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔(60)设置
于所述沟槽结构(51)的中心。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，以所述过孔(60)为
原点，设置X轴和Y轴，将所述沟槽结构(51)所在区域分为第一畴(51a)、
第二畴(51b)、第三畴(51c)和第四畴(51d)，所述凸起部(512)和所述
凹陷部(511)在第一畴(51a)、第二畴(51b)、第三畴(51c)和第四畴(51d)
内均相对于X轴倾斜；其中，第一畴(51a)和第二畴(51b)的凸起部(512)
和凹陷部(511)与第三畴(51c)和第四畴(51d)内的凸起部(512)和凹陷
部(...
【专利技术属性】
技术研发人员：甘启明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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