本发明专利技术公开了一种光耦隔离开关电路，包括电源芯片及与所述电源芯片电性连接的电压驱动芯片，电压驱动芯片包括光电耦合器件，光电耦合器件包括发光器件和光敏器件，其中电源芯片的第一输出端连接至发光器件的第一端，发光器件的第二端接地，电源芯片的第二输出端连接至光敏器件的第一端，光敏器件的第二端连接至光电耦合器件的输出端；光电耦合器件根据电源芯片的第一输出端输出的控制电压大小控制发光器件的工作状态；光敏器件根据发光器件的工作状态导通或截止，电源芯片的第二输出端输出驱动电压，并在发光器件导通时通过光电耦合器件的输出端输出。实施本发明专利技术实施例，可防止由于闩锁效应导致的电压驱动芯片损坏。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，具体涉及一种光耦隔离开关电路。
技术介绍
CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)是电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。CMOS电路(PMOS管和NMOS管互补共同构成的MOS集成电路)中在电源和地线之间由于寄生的PNP和NPN双极型晶体管相互影响可能会产生一低阻抗通路，它的存在会使电源和地线之间产生大电流，这就称为闩锁效应(Latchup)。在液晶显示领域中，薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)通过一电压驱动芯片提供驱动电压，该电压驱动芯片中存在CMOS电路，电源芯片为该电压驱动芯片提供控制电压和驱动电压，当控制电压比驱动电压先起(即控制电压在时序上先于驱动电压)时，CMOS电路不会产生闩锁效应，当控制电压比驱动电压后起(即控制电压在时序上晚于驱动电压)时，该电压驱动芯片中的CMOS电路容易出现闩锁效应。当所述电压驱动芯片中的CMOS电路出现闩锁效应时，会导致该电压驱动芯片中的MOS管损坏。因此，为了防止该电压驱动芯片中的CMOS电路出现闩锁效应，通常的做法是在给电源芯片内部增加时序控制电路以使控制电压比驱动电压先起。然而，在该电源芯片中增加时序控制电路后，若时序控制电路出现异常，则容易导致所述电压驱动芯片中的CMOS电路容易出现闩锁效应。
技术实现思路
本专利技术提供了一种光耦隔离开关电路，可以解决电压驱动芯片出现闩锁效应(latchup)的问题。本专利技术提供了一种光耦隔离开关电路，包括电源芯片及与所述电源芯片电性连接的电压驱动芯片，所述电压驱动芯片包括光电耦合器件，所述光电耦合器件包括发光器件和光敏器件，其中：所述电源芯片的第一输出端连接至所述发光器件的第一端，所述发光器件的第二端接地，所述电源芯片的第二输出端连接至所述光敏器件的第一端，所述光敏器件的第二端连接至所述光电耦合器件的输出端；所述光电耦合器件根据所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压大小控制所述发光器件的工作状态，所述光敏器件根据所述发光器件的工作状态导通或截止，所述电源芯片的第二输出端输出驱动电压，并在所述发光器件导通时通过所述光电耦合器件的输出端输出。其中，所述驱动电压大于所述控制电压，所述光电耦合器件的输出端用于为所述电压驱动芯片中的有源器件供电。其中，当所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压为高电平时，所述光电耦合器件根据所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压为高电平来控制所述发光器件处于发光状态，所述光敏器件根据所述发光器件处于发光状态而导通，所述电源芯片的第二输出端输出驱动电压至所述光电耦合器件的输出端。其中，当所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压为低电平时，所述光电耦合器件根据所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压为低电平来控制所述发光器件处于熄灭状态，所述光敏器件根据所述发光器件处于熄灭状态而截止，所述电源芯片的第二输出端停止输出驱动电压至所述光电耦合器件的输出端。其中，所述电路还包括第一电阻，所述电源芯片的第一输出端通过所述第一电阻连接至所述发光器件的第一端。其中，所述电路还包括第二电阻，所述光敏器件的第二端通过所述第二电阻接地。其中，所述发光器件包括发光二极管，所述电源芯片的第一输出端通过所述第一电阻连接至所述发光二极管的正极，所述发光二极管的负极接地。其中，所述光敏器件包括光敏三极管，所述电源芯片的第二输出端连接至所述光敏三极管的集电极，所述光敏三极管的发射极通过所述第二电阻接地，所述光敏三极管的发射极连接至所述电压驱动芯片中所述光电耦合器件的输出端。其中，所述电压驱动芯片为高压驱动芯片，所述光敏三极管包括NPN型光敏三极管，所述电源芯片的第二输出端连接至所述NPN型光敏三极管的集电极，所述NPN型光敏三极管的发射极通过所述第二电阻接地，所述NPN型光敏三极管的发射极连接至所述高压驱动芯片中所述光电耦合器件的输出端，所述电源芯片的第二输出端用于输出驱动电压至所述NPN型光敏三极管的集电极。其中，所述电压驱动芯片为低压驱动芯片，所述光敏三极管包括PNP型光敏三极管，所述电源芯片的第二输出端连接至所述PNP型光敏三极管的集电极，所述PNP型光敏三极管的发射极通过所述第二电阻接地，所述PNP型光敏三极管的发射极连接至所述低压驱动芯片中所述光电耦合器件的输出端，所述电源芯片的第二输出端用于输出驱动电压至所述PNP型光敏三极管的集电极。本专利技术中的光耦隔离开关电路，是通过所述电压驱动芯片内部增加光电耦合器件，所述光电耦合器件包括发光器件和光敏器件，所述电源芯片的第一输出端连接至所述发光器件的第一端，所述电源芯片的第一输出端用于输出控制电压，所述发光器件的第二端接地，所述电源芯片的第二输出端连接至所述光敏器件的第一端，所述电源芯片的第二输出端用于输出驱动电压，所述光敏器件的第二端连接至所述光电耦合器件的输出端，所述光电耦合器件的输出端用于为所述电压驱动芯片中的有源器件供电，所述光电耦合器件根据所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压大小控制所述发光器件的工作状态，所述光敏器件根据所述发光器件的工作状态导通或截止，所述电源芯片的第二输出端输出驱动电压，并在所述发光器件导通时通过所述光电耦合器件的输出端输出；实施本专利技术实施例中的光耦隔离开关电路，可以解决电压驱动芯片出现闩锁效应(latchup)的问题，可以防止由于闩锁效应导致的电压驱动芯片损坏。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是电压驱动芯片的电平转换(levelshifter)电路的示意图；图2是本专利技术实施例公开的一种光耦隔离开关电路的示意图；图3是本专利技术实施例公开的另一种光耦隔离开关电路的示意图；图4是本专利技术实施例公开的另一种光耦隔离开关电路的示意图；图5是本专利技术实施例公开的另一种光耦隔离开关电路的示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式是本专利技术的一部分实施方式，而不是全部实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光耦隔离开关电路，包括电源芯片及与所述电源芯片电性连接的电压驱动芯片，其特征在于，所述电压驱动芯片包括光电耦合器件，所述光电耦合器件包括发光器件和光敏器件，其中：所述电源芯片的第一输出端连接至所述发光器件的第一端，所述发光器件的第二端接地，所述电源芯片的第二输出端连接至所述光敏器件的第一端，所述光敏器件的第二端连接至所述光电耦合器件的输出端；所述光电耦合器件根据所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压大小控制所述发光器件的工作状态，所述光敏器件根据所述发光器件的工作状态导通或截止，所述电源芯片的第二输出端输出驱动电压，并在所述发光器件导通时通过所述光电耦合器件的输出端输出。
【技术特征摘要】
1.一种光耦隔离开关电路，包括电源芯片及与所述电源芯片电性连接的电
压驱动芯片，其特征在于，所述电压驱动芯片包括光电耦合器件，所述光电耦
合器件包括发光器件和光敏器件，其中：
所述电源芯片的第一输出端连接至所述发光器件的第一端，所述发光器件
的第二端接地，所述电源芯片的第二输出端连接至所述光敏器件的第一端，所
述光敏器件的第二端连接至所述光电耦合器件的输出端；所述光电耦合器件根
据所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压大小控制所述发光器件的工作状
态，所述光敏器件根据所述发光器件的工作状态导通或截止，所述电源芯片的
第二输出端输出驱动电压，并在所述发光器件导通时通过所述光电耦合器件的
输出端输出。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述驱动电压大于所述控制
电压，所述光电耦合器件的输出端用于为所述电压驱动芯片中的有源器件供电。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，当所述电源芯片的第一输出
端输出的控制电压为高电平时，所述光电耦合器件根据所述电源芯片的第一输
出端输出的控制电压为高电平来控制所述发光器件处于发光状态，所述光敏器
件根据所述发光器件处于发光状态而导通，所述电源芯片的第二输出端输出驱
动电压至所述光电耦合器件的输出端。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述电源芯片的第一输出
端输出的控制电压为低电平时，所述光电耦合器件根据所述电源芯片的第一输
出端输出的控制电压为低电平来控制所述发光器件处于熄灭状态，所述光敏器
件根据所述发光器件处于熄灭状态而截止，所述电源芯片的第二输出端停止输
出驱动电压至所述光电耦合器件的输出端。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括第一电...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐枫程，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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