结晶性层叠结构体以及半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体特性好，特别地，导电性的易控制性好，能够在纵方向导通，具有良好的电学特性的结晶性层叠结构体。所述层叠结构体在所含主要成分为单轴取向的金属之金属层上，直接或介由其他层具备半导体层，并且所述半导体层所含主要成分为结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体是含有从镓、铟以及铝中选择的一种或两种以上的金属的氧化物半导体，并且是单轴取向的。

【技术实现步骤摘要】
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【技术保护点】
一种结晶性层叠结构体，其中，在含有单轴取向的金属作为主要成分之金属层上，直接或介由其他层具备半导体层，并且该半导体层所含主要成分为结晶性氧化物半导体，其特征在于，就所述结晶性氧化物半导体而言，是含有从镓、铟以及铝中选择的一种或两种以上的金属之氧化物半导体，并且是单轴取向。

【技术特征摘要】
2014.05.08 JP 2014-0972411.一种结晶性层叠结构体，其中，在含有单轴取向的金属作为主要成分之金属层上，直接或
介由其他层具备半导体层，并且该半导体层所含主要成分为结晶性氧化物半导体，其特征在
于，
就所述结晶性氧化物半导体而言，是含有从镓、铟以及铝中选择的一种或两种以上的金属之
氧化物半导体，并且是单轴取向。
2.根据权利要求1所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述结晶性氧化物半导体是含有镓的氧化物半导体。
3.根据权利要求1或2所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述结晶性氧化物半导体是具有刚玉结构或β-gallia结构的氧化物半导体。
4.根据权利要求1～3的任意一项中所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述金属是铂、金或钯。
5.根据权利要求1～4的任意一项中所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述金属层由设置在底层基板上的金属膜构成。
6.根据权利要求5所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述底层基板是蓝宝石基板、Si基板、石英基板、氮化铝基板、氮化硼基板、SiC基板、玻
璃基板、SiGe基板或塑料基板。
7.一种半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置由权利要求1～6的任意一项中所述的结晶性层叠结构体构成。
8.一种半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置在权利要求1～6的任意一项中所述的结晶性...

【专利技术属性】
技术研发人员：人罗俊实，织田真也，高塚章夫，
申请(专利权)人：FLOSFIA株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP