晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供晶片的加工方法，该晶片的加工方法即使实施边缘修剪加工，也能够降低引起器件不良的可能。一种晶片的加工方法，该晶片在表面上具有形成有多个器件的器件区域、以及围绕该器件区域的外周剩余区域，在外周缘部上具有从表面至背面的圆弧状的倒角部，其特征在于，该晶片的加工方法具备：片材粘贴步骤，经由配设在所述外周剩余区域的粘合剂将相对于晶片具有密合性以及粘力的片材粘贴到晶片的表面上；以及去除步骤，在实施了所述片材粘贴步骤后，从晶片的表面使切削刀具以规定的深度切入所述倒角部并且沿外周缘切削所述晶片来去除所述倒角部的一部分，并且至少使与所述器件区域相邻的一部分的所述粘合剂残存。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的加工方法，尤其是涉及将形成在晶片的外周的倒角部部分性去除的边缘修剪方法。
技术介绍
在半导体晶片的表面上形成有IC、LSI等大量器件，并且一个个器件通过形成为格子状的分割预定线(间隔道)而划分，通过磨削装置对该半导体晶片的背面进行磨削而加工为规定的厚度后，通过切削装置(Dicing(划线)装置)沿着分割预定线进行切削而被分割为一个个器件，分割出的器件被广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。伴随近年来的电子设备的小型化，要求将形成有多个器件的半导体晶片(下文中有时简称为晶片)最终磨削得更薄，例如100μm以下，进而50μm以下。此外，根据器件的不同，还存在在背面磨削之后实施例如将背面用金属膜覆盖的步骤、或者对背面进行清洗的步骤等其他步骤的情况。另一方面，为了防止晶片在制造工序中破裂或者产生灰尘而在其外周上形成有从晶片的表面直至背面的圆弧状的倒角。由此，如果将晶片磨削得较薄，则外周的倒角部分形成为刀刃状。如果晶片外周的倒角部分形成为刀刃状，则会产生从外周发生缺损而使晶片破损的问题。因此，在日本特开2007-152906号公报中提出了如下加工方法：通过切削刀具将外周的倒角部部分性去除后，即实施了边缘修剪加工后，对晶片的背面进行磨削直至晶片的厚度达到器件的最终厚度。专利文献1：日本特开2007-152906号公报但是，如果使切削刀具从晶片的表面切入晶片的倒角部来实施边缘修剪加工，则因加工而产生的污染物会附着在晶片的表面的器件上。由于如果在器件表面附着有污染物则会成为引起器件不良等的原因，因此成为问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这一点而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，即使实施边缘修剪加工也能够降低引起器件不良的可能。根据本专利技术，提供一种晶片的加工方法，该晶片在表面上具有形成有多个器件的器件区域、以及围绕所述器件区域的外周剩余区域，在外周缘部上具有从表面至背面的圆弧状的倒角部，其特征在于，该晶片的加工方法具备：片材粘贴步骤，经由配设在所述外周剩余区域的粘合剂将相对于晶片具有密合性以及粘力的片材粘贴到晶片的表面上；以及去除步骤，在实施了所述片材粘贴步骤后，从晶片的表面使切削刀具以规定的深度切入所述倒角部并且沿外周缘切削所述晶片来去除所述倒角部的一部分，并且至少使与所述器件区域相邻的一部分的所述粘合剂残存。优选所述晶片的加工方法还具有磨削步骤，在实施了所述去除步骤后，对晶片的背面进行磨削直至所述器件的最终厚度，在所述去除步骤中，使所述切削刀具从晶片的表面切入直至所述最终厚度的深度。在本专利技术中，在实施去除步骤(边缘修剪加工)前，将相对于晶片具有密合性以及粘力的片材粘贴到晶片的表面。因而，因去除步骤的切削而产生的污染物会附着到片材上，而不会附着到器件表面上。进而，由于片材通过配设于外周剩余区域的粘合剂而被粘贴到晶片上，因此防止了此后将片材从晶片上剥离时在器件上残存糊或者粘合剂。因而，能够降低因异物附着于器件上而引起的器件不良的可能。附图说明图1是半导体晶片的表面侧立体图。图2是示出片材粘贴步骤的剖视图。图3是示出去除步骤的局部剖视侧视图。图4是实施去除步骤后的晶片的剖视图。图5是示出磨削步骤的局部剖视侧视图。标号说明11：半导体晶片；11e：倒角部；12：切削单元；15：器件；16：切削刀具；17：器件区域；18：圆形凹部；19：外周剩余区域；20：磨削单元；23：粘合剂；25：片材；26：磨轮；30：磨具。具体实施方式下面参照附图对本专利技术的实施方式进行详细的说明。参照图1，示出了半导体晶片11的表面侧立体图。半导体晶片(下文中有时简称为晶片)11例如由厚度为700μm的硅晶片构成，在其表面11a上，多个分割预定线(间隔道)13形成为格子状，并且在由多个间隔道13划分出的各区域中形成有IC、LSI等器件15。这样构成的晶片11在其表面的平坦部上具备：器件区域17，其上形成有器件15；以及外周剩余区域19，其围绕器件区域17。在晶片11的外周部形成有圆弧状的倒角部11e。标号21是作为示出硅晶片的结晶方向的标记的缺口。在本专利技术的晶片的加工方法中，首先如图2所示实施片材粘贴步骤：在晶片11的外周剩余区域19上配设粘合剂23，经由粘合剂23将相对于晶片具有密合性以及粘力的片材25粘贴到晶片11的表面11a上。粘合剂23既可以配设于晶片11的外周剩余区域19的全周，也可以不连续地配设。当在对晶片11的背面11b进行磨削时只通过片材25来吸引保持晶片的表面侧的情况下，优选在外周剩余区域19的全周配设粘合剂23，以使磨削液不会进入晶片11的器件区域17。但是，当在剥离片材25之后将保护带粘贴到晶片11的表面11a上的情况下，粘合剂23可以不连续地配设于外周剩余区域19。对于片材25而言，优选虽然在与器件抵接的面上不具有粘合层，但具有相对于晶片的密合性以及能够追随器件凹凸的粘力，并且具有适当的厚度和容易操作的张力。其材料优选是例如树脂或橡胶、陶瓷制成的材料等，优选例如由因商品名SaranWrap(莎纶包装纸)(注册商标)而公知的聚偏二氯乙烯膜形成的食品用包装膜。食品用包装膜相对于晶片11具有密合性以及粘力(吸附性)。但是，也可以替代食品用包装膜而粘贴其他的树脂制片材。实施了片材粘贴步骤之后，如图3所示，通过切削装置的卡盘工作台10吸引保持晶片11的背面11b侧，使片材25露出。在图3中，切削装置的切削单元12包含：主轴，其被驱动而旋转；以及切削刀具16，其安装于主轴14的末端部。优选切削刀具16是整体由切刃构成的厚度较厚的所谓套圈刀具。并且，以如下方式实施去除步骤(边缘修剪步骤)：从晶片11的表面11a将沿箭头A方向高速旋转的切削刀具16以规定的深度(从晶片11的表面11a至最终厚度的深度)切入晶片11的倒角部11e，使卡盘工作台10沿箭头B方向以低速旋转，沿晶片11的外周缘对晶片进行切削来去除倒角部11e的一部分，并且至少使与器件区域17相邻的一部分的粘合剂23残存。图4示出实施了去除步骤后的晶片11的剖视图。如果实施去除步骤，则晶片11的倒角部11e的一部分被去除而在晶片11的外周形成有环状的切口(环状的槽)27。在本实施方式的去除步骤(边缘修剪步骤)中，由于在晶片11的表面11a上粘贴有片材25，因此因去除步骤而产生的污染物会附着到片材25上，而不会附着到器件15的表面上。实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该晶片在表面上具有形成有多个器件的器件区域、以及围绕所述器件区域的外周剩余区域，在外周缘部上具有从表面至背面的圆弧状的倒角部，其特征在于，该晶片的加工方法具备：片材粘贴步骤，经由配设在所述外周剩余区域的粘合剂将相对于晶片具有密合性以及粘力的片材粘贴到晶片的表面上；以及去除步骤，在实施了所述片材粘贴步骤后，从晶片的表面使切削刀具以规定的深度切入所述倒角部并且沿外周缘切削所述晶片来去除所述倒角部的一部分，并且至少使与所述器件区域相邻的一部分的所述粘合剂残存。

【技术特征摘要】
2014.05.16 JP 2014-1019931.一种晶片的加工方法，该晶片在表面上具有形成有多个器件的器件区域、以
及围绕所述器件区域的外周剩余区域，在外周缘部上具有从表面至背面的圆弧状的倒
角部，其特征在于，该晶片的加工方法具备：
片材粘贴步骤，经由配设在所述外周剩余区域的粘合剂将相对于晶片具有密合性
以及粘力的片材粘贴到晶片的表面上；以及
去除步骤，在实施了所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔·普利瓦西尔，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP