芯片晶圆及其制作方法技术

本申请公开了一种芯片晶圆及其制作方法，芯片晶圆包括：衬底；层间介质层，设置在衬底上，层间介质层上还开设有多个接触孔，接触孔沿垂直于衬底的方向贯穿层间介质层；金属层，设置在层间介质层上；以及多个连接部，一一对应地位于多个接触孔内，连接金属层与衬底；层间介质层包括第一区和围绕第一区的第二区，第一区和第二区上均设置有接触孔，第一区的厚度大于第二区的厚度。本申请将位于芯片晶圆的边缘的层间介质层的厚度减小，即使第二区变薄，从而使得接触孔能够更容易地贯穿层间介质层，避免出现接触孔无法贯穿层间介质层的问题，保障设置在接触孔中的连接部能够可靠地将金属层与衬底连接，提高了芯片晶圆的边缘部分的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路领域，更具体地，涉及一种芯片晶圆及其制作方法。
技术介绍
现有技术中，如图1所示，在芯片晶圆的层间介质层20’上会开设接触孔23’，以便在接触孔23’中制作连接部，连接位于层间介质层20’两侧的衬底10’与金属层30’。现有技术中常用刻蚀的方法制作接触孔23’，但是由于硬件设备的限制，芯片晶圆的边缘的刻蚀速率相对较低，这直接导致位于芯片晶圆的边缘的接触孔23’的特征尺寸变小。根据实验统计，芯片晶圆的中心部位的接触孔23’的平均直径为73nm，然而距离芯片晶圆的中心140mm的接触孔23’的平均直径下降至60nm，甚至会出现部分接触孔23’’无法贯穿层间介质层20’的情况，该接触孔23’’中无法形成连接部，导致这部分芯片报废，造成浪费。
技术实现思路
本申请旨在提供一种芯片晶圆及其制作方法，以解决现有技术的晶圆边缘的接触孔特征尺寸变小，甚至无法贯穿层间介质层的问题。为解决上述技术问题，根据本申请的一个方面，提供了一种芯片晶圆，包括：衬底；层间介质层，设置在衬底上，层间介质层上还开设有多个接触孔，接触孔沿垂直于衬底的方向贯穿层间介质层；金属层，设置在层间介质层上；以及多个连接部，一一对应地位于多个接触孔内，连接金属层与衬底；层间介质层包括第一区和围绕第一区的第二区，第一区和第二区上均设置有接触孔，第一区的厚度大于第二区的厚度。进一步地，金属层的远离层间介质层的表面是平面。进一步地，金属层包括第一部和围绕第一部的第二部，第一部与第一区对应，第二部与第二区对应，第一部与第一区的厚度之和等于第二部与第二区的厚度之和。进一步地，金属层沿垂直于衬底的方向包括多层金属互联层，每层金属互联层的与第一区对应的部分的厚度均小于与第二区对应的部分的厚度。进一步地，第一区的中心距离第二区的最短距离大于或等于140mm。根据本申请的另一个方面，还提供了一种芯片晶圆的制作方法，包括：在衬底上制作层间介质层，层间介质层包括第一区和围绕第一区的第二区，第一区的厚度大于第二区的厚度；在第一区和第二区上均制作接触孔。进一步地，制作层间介质层包括：在衬底上沉积绝缘材料；去除一部分与第二区对应的绝缘材料，使与第二区对应的绝缘材料的厚度小于与第一区对应的绝缘材料的厚度。进一步地，采用化学机械抛光去除绝缘材料，在化学机械抛光过程中，施加在与第二区对应的绝缘材料上的压力大于施加在与第一区对应的绝缘材料上的压力。进一步地，芯片晶圆的制作方法还包括：制作接触孔后，在接触孔内形成连接部并在层间介质层上制作金属层，使金属层的远离层间介质层的表面呈平面。进一步地，制作金属层包括：在层间介质层上沉积导体材料；去除一部分与第二区对应的导体材料，使得与第二区对应的导体材料的厚度小于与第一区对应的导体材料的厚度。进一步地，采用化学机械抛光去除导体材料，在化学机械抛光过程中，施加在与第一区对应的导体材料上的压力大于施加在与第二区对应的导体材料上的压力。进一步地，制作金属层包括：多次沉积导体材料，每次沉积导体材料均形成一导体材料层；每沉积一层导体材料，均去除导体材料层的一部分与第二区对应的导体材料。本申请将位于芯片晶圆的边缘的层间介质层的厚度减小，即使第二区变薄，从而使得接触孔能够更容易地贯穿层间介质层，避免出现接触孔无法贯穿层间介质层的问题，保障设置在接触孔中的连接部能够可靠地将金属层与衬底连接，提高了芯片晶圆的边缘部分的成品率。此外，由于位于芯片晶圆的中心部分的层间介质层的厚度不变，即第一区的厚度相比现有的层间介质层的厚度不变，所以位于第一区的接触孔的特征尺寸不会变大，从而避免造成短路等问题。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施方式及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1示意性示出了现有技术中的芯片晶圆的剖视图；图2示意性示出了本申请中的一种芯片晶圆的迫使图；以及图3示意性示出了本申请中的另一种芯片晶圆的迫使图。图中附图标记：10、衬底；20、层间介质层；21、第一区；22、第二区；23、接触孔；30、金属层；31、第一部；32、第二部；301、第一金属互联层；302、第二金属互联层；303、第三金属互联层。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施方式来详细说明本申请。需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用属于“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位旋转90度或处于其他方位，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。下面将更详细地描述根据本申请的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。正如
技术介绍
中所介绍的，现有技术中常用刻蚀的方法制作接触孔23’，但是由于硬件设备的限制，芯片晶圆的边缘的刻蚀速率相对较低，这直接导致位于芯片晶圆的边缘的接触孔23’的特征尺寸变小。根据实验统计，芯片晶圆的中心部位的接触孔23’的平均直径为73nm，然而距离芯片晶圆的中心140mm的接触孔23’的平均直径下降至60nm，甚至会出现部分接触孔23’’无法贯穿层间介质层20’的情况，该接触孔23’’中无法形成连接部，导致这部分芯片报废，造成浪费。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片晶圆，包括：衬底(10)；层间介质层(20)，设置在所述衬底(10)上，所述层间介质层(20)上还开设有多个接触孔(23)，所述接触孔(23)沿垂直于衬底(10)的方向贯穿所述层间介质层(20)；金属层(30)，设置在层间介质层(20)上；以及多个连接部，一一对应地位于多个所述接触孔(23)内，连接所述金属层(30)与所述衬底(10)；其特征在于，所述层间介质层(20)包括第一区(21)和围绕所述第一区(21)的第二区(22)，所述第一区(21)和所述第二区(22)上均设置有所述接触孔(23)，所述第一区(21)的厚度大于所述第二区(22)的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种芯片晶圆，包括：
衬底(10)；
层间介质层(20)，设置在所述衬底(10)上，所述层间介质层(20)上还开设有多
个接触孔(23)，所述接触孔(23)沿垂直于衬底(10)的方向贯穿所述层间介质层(20)；
金属层(30)，设置在层间介质层(20)上；以及
多个连接部，一一对应地位于多个所述接触孔(23)内，连接所述金属层(30)与所
述衬底(10)；
其特征在于，
所述层间介质层(20)包括第一区(21)和围绕所述第一区(21)的第二区(22)，
所述第一区(21)和所述第二区(22)上均设置有所述接触孔(23)，所述第一区(21)
的厚度大于所述第二区(22)的厚度。
2.根据权利要求1所述的芯片晶圆，其特征在于，所述金属层(30)的远离所述层间介质层
(20)的表面是平面。
3.根据权利要求2所述的芯片晶圆，其特征在于，所述金属层(30)包括第一部(31)和围
绕所述第一部(31)的第二部(32)，所述第一部(31)与所述第一区(21)对应，所述
第二部(32)与所述第二区(22)对应，所述第一部(31)与所述第一区(21)的厚度之
和等于所述第二部(32)与所述第二区(22)的厚度之和。
4.根据权利要求3所述的芯片晶圆，其特征在于，所述金属层(30)沿垂直于所述衬底(10)
的方向包括多层金属互联层，每层所述金属互联层的与所述第一区(21)对应的部分的厚
度均小于与所述第二区(22)对应的部分的厚度。
5.根据权利要求1所述的芯片晶圆，其特征在于，所述第一区(21)的中心距离所述第二区
(22)的最短距离大于或等于140mm。
6.一种芯片晶圆的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底(10)上制作层间介质层(20)，所述层间介质层(20)包括第一区(21)和
围绕所述第一区(21)的第二区(22)，所述第一区(21)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志高，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31