一种液晶面板、TFT基板及其检测方法技术

本发明专利技术公开了一种液晶面板、TFT基板以及TFT基板的检测方法。TFT基板包括多个像素单元，第2n+1行的第一像素单元的辅像素区与第2n+2行的第二像素单元的电容电连接，第2n+2行的第二像素单元的辅像素区与第2n+1行的第一像素单元的电容电连接，对第一像素单元和第二像素单元分别提供不相等的电压信号。通过上述方式，本发明专利技术能检测出同一像素单元中的电容与辅像素区是否短接，从而及时进行修补，改善产品品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种液晶面板、TFT基板及其检测方法。
技术介绍
在大视角的液晶显示器中，通常将像素单元分为主像素区(Main区)和辅像素区(Sub区)，并使得Sub区的电压低于Main区的电压。为了使得Sub区的电压低于Main区的电压，“电荷分享”(charge-sharing)是一种常用的方式，具体请参阅图1，图1为现有技术的采用“电荷分享”方式的像素单元的结构图。图1所示的像素单元100分为Main区101和Sub区102，当扫描线Gll提供扫描驱动信号时，开关管103和104同时打开时，信号线Sll (Data)同时向Main区101和Sub区102的像素电极，即ITO(Indium tin oxide氧化铟锡)薄膜充电，然后扫描线Gll停止提供扫描驱动信号，共享扫描线G12开始提供扫描驱动信号，开关管105打开，分压电容Cll与Sub区102的像素电极导通，分担一部分Sub区102的像素电极上的电荷，使Sub区102的像素电极的电压降低到适当比例，从而与main区101的像素电极一起显示，以形成大视角的效果。然而图1所示的像素单元100是在4Mask(掩膜)制程的中制得，分压电容Cll通常采用MII (双层金属)电容结构，即分压电容Cll结构为:M1 (第一层金属)、G-SiNx (栅层氮化硅)，PA-SiNx (填充氮化层)，ITO导电薄膜。然而，对于包含有该MII电容结构的像素单元，在制程过程中很容易因为ITO微粒(particle)的存在，会出现蚀刻残留，容易产生ITO残留，导致Sub区102的ITO与分压电容Cll的ITO发生短接(Short)。从而当扫描线Gll提供扫描驱动信号时，数据线Sll同时对Sub区102像素电极和Main区101像素电极以及分压电容Cll充电。当扫描线Gll停止提供扫描驱动信号，共享扫描线G12提供扫描驱动信号时，由于分压电容Cll的ITO电位与Sub区102的ITO电位相等，分压电容Cll无法分担Sub区102电荷，使得分压失效，从而无法拉低Sub区102电位，不能形成大视角的效果。进一步的，还会使得该缺陷像素比正常像素更亮，从而在中低灰阶下产生微亮点，影响液晶面板的品质。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种液晶面板、TFT基板及其检测方法，能够检测出同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否发生短接，从而可以及时进行修补，改善产品品质。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种TFT基板，该TFT基板包括:多个呈矩阵设置的像素单元，其中每一所述像素单元包括主像素区、辅像素区和电容，所述像素单元包括分布于奇数行的第一像素单元和分布于偶数行的第二像素单元，第2n+l行的所述第一像素单元的辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的电容电连接，第2n+2行的所述第二像素单元的辅像素区与第2n+l行的所述第一像素单元的电容电连接，η为自然数；其中，对所述第一像素单元和所述第二像素单元分别提供不相等的电压信号以检测同一所述像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否短接。其中，第2η+1行的所述第一像素单元的辅像素区与第2η+2行的所述第二像素单元的辅像素区彼此靠近，第2η+1行的所述第一像素单元的主像素区与第2η+2行的所述第二像素单元的主像素区彼此远离；第2η+1行的所述第一像素单元的电容设置在其辅像素区与第2η+2行的所述第二像素单元之间，第2η+2行的所述第二像素单元的电容设置在其辅像素区与第2η+1行的所述第一像素单元之间。其中，同一行像素单元中的主像素区和辅像素区接收的电压信号相等。其中，所述TFT基板还包括第一扫描线、第二扫描线、共享扫描线、第一开关管和第二开关管，其中:所述第一扫描线电连接所述第一像素单元；所述第二扫描线电连接所述第二像素单元；所述第一开关管分别电连接所述共享扫描线、第2η+1行的第一像素单元的所述辅像素区和第2η+2行的第二像素单元的所述电容；所述第二开关管分别电连接所述共享扫描线、第2η+2行的第二像素单元的所述辅像素区和第2η+1行的第一像素单元的所述电容；所述共享线进一步电连接所述第一扫描线，使得对所述第一扫描线提供扫描驱动信号时，所述共享扫描线上的所述第一开关管和所述第二开关管均导通。其中，对所述第一扫描线和对所述第二扫描线分时提供扫描驱动信号。其中，对所述第一像素单元和所述第二像素单元提供的电压信号的差值大于或等于6V。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是:提供一种液晶面板，该液晶面板包括如前文所述的任一项的TFT基板。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是:提供一种TFT基板的检测方法，其中，该TFT基板为前文所述的前四项TFT基板，该检测方法包括以下步骤:向第二像素单元提供扫描驱动信号，以对所述第二像素单元提供电压信号；向第一像素单元提供扫描驱动信号，以对所述第一像素单元提供不同于第二像素单元的电压信号，同时打开第一开关管和第二开关管，使得第2η+1行的第一像素单元的辅像素区通过第一开关管电连接第2η+2行的第二像素单元的电容，以及第2η+2行的第二像素单元的辅像素区通过第二开关管电连接第2η+1行的第一像素单元的电容；通过检测所述第二像素单元的辅像素区的电压信号是否变化来检测同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否短接，其中，若检测到所述第二像素单元的辅像素区的电压信号发生变化，则检测为同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区发生短接；若检测到所述第二像素单元的辅像素区的电压信号没有变化，则检测为同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区没有发生短接。其中，所述向第一像素单元提供扫描驱动信号的步骤之前还包括:停止向第二像素单元提供扫描驱动信号。其中，对所述第一像素单元和所述第二像素单元提供的电压信号的差值大于或等于6V。本专利技术的有益效果是:区别于现有技术的情况，本专利技术的TFT基板括多个呈矩阵设置的像素单元，其中每一所述像素单元包括主像素区、辅像素区和电容，所述像素单元包括分布于奇数行的第一像素单元和分布于偶数行的第二像素单元，第2n+l行的所述第一像素单元的辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的电容电连接，第2n+2行的所述第二像素单元的辅像素区与第2n+l行的所述第一像素单元的电容电连接，η为自然数。其中，对所述第一像素单元和所述第二像素单元分别提供不相等的电压信号以检测同一所述像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否短接。由此，能够检测出同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否发生短接，从而可以及时进行修补，改善产品品质。【附图说明】图1是现有技术的像素单元的结构图；图2是本专利技术实施例提供的一种液晶面板的结构示意图；图3是图2所示的液晶面板中的相邻的两行像素单元的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种TFT基板的检测方法的流程图。【具体实施方式】请一并参阅图2和图3，图2是本专利技术实施例提供的一种液晶面板的结构示意图，图3是图2所示的液晶面板中的相邻的两行像素单元的结构示意图。如图2和图3所示，本实施例的液晶面板200包括TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板20，TFT基板20包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括：多个呈矩阵设置的像素单元，其中每一所述像素单元包括主像素区、辅像素区和电容，所述像素单元包括分布于奇数行的第一像素单元和分布于偶数行的第二像素单元，第2n+1行的所述第一像素单元的辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的电容电连接，第2n+2行的所述第二像素单元的辅像素区与第2n+1行的所述第一像素单元的电容电连接，n为自然数；其中，对所述第一像素单元和所述第二像素单元分别提供不相等的电压信号以检测同一所述像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否短接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桓，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44