一种运算放大器制造技术

本实用新型专利技术提供一种运算放大器，包括第一级放大模块以及第二级放大模块；第一级放大模块具备：作为输入管的第一MOS管和第二MOS管；电流缓冲器；第一负载，第一负载连接在所电源和第一中间节点、第二中间节点之间，用于提高输出阻抗；第二级放大模块包括：作为输入管的第五BJT管和第六BJT管；正向反馈模块，正向反馈模块具备第三BJT管和第四BJT管；第二负载，连接在电源和正向输出端以及反向输出端之间。能够为模数转换电路产生余量输出，通过双极型晶体管(BJT管)和CMOS晶体管的BiCMOS工艺实现能够提高整个ADC电路的稳定性和速度。本实用新型专利技术采用了两级运放结构，具有大的信号摆幅，非常适合在低电源电压下工作。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种运算放大器，包括正向输入端、反向输入端、正向输出端以及反向输出端，其特征在于，还包括第一级放大模块以及第二级放大模块；所述第一级放大模块具备：作为输入管的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极连接至所述正相输入端，其源极接地，所述第二MOS管的栅极连接至所述反向输入端，其源极接地；电流缓冲器，所述电流缓冲器包括第一BJT管和第二BJT管，所述第一BJT管的发射极与所述第一MOS管的漏极相连接，其集电极连接至第二中间节点；所述第二BJT管的发射极与所述第二MOS管的漏极相连接，集电极连接至第一中间节点，所述第一BJT管和所述第二BJT管的基极共同连接至偏置电压端；第一负载，所述第一负载连接在所电源和所述第一中间节点、所述第二中间节点之间，用于提高输出阻抗；所述第二级放大模块包括：作为输入管的第五BJT管和第六BJT管，所述第五BJT管的基极与所述第一中间节点相连接，其发射极接地，其集电极连接至所述反向输出端，所述第六BJT管的基极与所述第二中间节点相连接；正向反馈模块，所述正向反馈模块具备第三BJT管和第四BJT管，所述第三BJT管的基极与所述第一中间节点相连接，其集电极与所述第二中间节点相连接，其发射极接地，所述第四BJT管的基极与所述 第二中间节点相连接，其集电极与所述第一中间节点相连接，其发射极接地；第二负载，连接在电源和所述正向输出端以及所述反向输出端之间。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张辉，高远，王海军，李丹，丁学欣，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31