用于气泵调速的电路制造技术

本发明专利技术公开了用于气泵调速的电路，包括电阻R1到R6、压敏电阻R7、压敏电阻R8、光电耦合器A、双向可控硅金闸管D、电容C1、电容C2、三端接口B1和两端接口B2，所述光电耦合器A上的端口1连接上拉电阻R2，光电耦合器A上的端口2连接上拉电阻R1，光电耦合器A的端口3同时连接接口B1的端口1、双向可控硅金闸管D的端口1、压敏电阻R7和电容C3，光电耦合器A的端口4连接电阻R3的一端。本发明专利技术通过上述原理，能够实现从零点开始对气泵进行人为控制延时时间，从而实现对气泵速度的调节，该方法调节的气泵速度更准确，该电路中还设置滤波部分和保护电路部分，使用寿命长。

【技术实现步骤摘要】
用于气泵调速的电路
本专利技术涉及气泵领域，具体涉及用于气泵调速的电路。
技术介绍
气泵调速主要是指能通过电控方式调节气泵流量参数的一种微型气泵。它最显著的特点就是使用了适合变速工作的隔膜和高档的全功能无刷电机。它可以通过电子线路的脉宽调速（PWM）功能来调节电机转速，从而改变流量。比起在管路中加装“流量调节阀”方案更加简便、更适合自动控制。“调速气泵”对无刷电机、隔膜、运动零件的要求很高，制造工艺也很讲究。相应的产品有fml系列、FAC等。在现有的气泵调速领域中，由于无法实现从零点开始对气泵进行延时，从而导致气泵调节速度不准确，另外，现有的气泵调速领域中缺乏保护和滤波部分，容易受其它信号干扰且使用寿命不长。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术的不足，提供用于气泵调速的电路，能够实现从零点开始对气泵进行人为控制延时时间，从而实现对气泵速度的调节，该方法调节的气泵速度更准确，该电路中还设置滤波部分和保护电路部分，使用寿命长。为解决上述的技术问题，本专利技术采用以下技术方案：用于气泵调速的电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、压敏电阻R7、压敏电阻R8、光电耦合器A、双向可控硅晶闸管D、电容C1、电容C2、三端接口B1和两端接口B2，所述光电耦合器A上的端口1连接电阻R2，光电耦合器A上的端口2连接电阻R1，光电耦合器A的端口3同时连接三端接口B1的端口1、双向可控硅晶闸管D的端口1、压敏电阻R7和电容C3，光电耦合器A的端口4连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端还同时连接双向可控硅晶闸管D的端口2和电容C1一端，电容C1另一端连接双向可控硅晶闸管D的端口3，电阻R4并联在电容C1的两端，在光电耦合器A的端口2上还设置气泵连接端PUMP；所述双向可控硅晶闸管D的端口1和端口3之间依次串联电阻R5和电容C2；所述三端接口B1的端口1和端口3之间连接压敏电阻R7，三端接口B1的端口2悬空，在三端接口B1的端口3和双向可控硅晶闸管D的端口3之间还串联压敏电阻R8，压敏电阻R8与三端接口B1的公共端同时连接两端接口B2的端口1、电容C3一端和电阻R6一端，电阻R6另一端还同时连接两端接口B2的端口2和双向可控硅晶闸管D的端口3。对于需要调速的气泵通过气泵连接端PUMP接入用于气泵调速的电路，光电耦合器A上的光敏二极管接通发出光源，光的强度取决于激励电流的大小，此光照射到封装在一起的光电耦合器上的受光器上后，因光电效应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就可以实现低压电到光，然后由光到高压电的转换。转换后的高压电经过双向可控硅晶闸管D的整流作用，当正弦交流电压处于正半周时，只有在控制极也就是双向可控硅晶闸管D的端口2外加触发脉冲时，可控硅才被触发导通，负载上才会有电压输出，因此可以通过改变控制极上触发脉冲到来的时间，来进一步调节负载上输出电压的平均值，达到可控整流的作用。当两端接口B2接通电机工作后，使双向可控硅晶闸管D的端口1和端口3导通，控制极也就是双向可控硅晶闸管D的端口2在光电耦合器A感应电压的触发下工作，而光电耦合器A上产生的触发脉冲到来的时间则可以人为控制。而三端接口B1具有三路接口，可将一路接口连接零点检测电路，当零点检测电路检测到零点以后再作用于双向可控硅晶闸管D开始延时，而延时的时间则可以通过控制双向可控硅晶闸管D触发的时间来达到人为控制。而其中的电阻R1和电阻R2则是用于保护光电耦合器A的端口1和端口2，压敏电阻R7和压敏电阻R8则用于分别保护三端接口B1和两端接口B2被过大的电压损坏。而电容C3与电阻R6、电阻R5与电容C2、电容C1与电阻R3则组成RC滤波，用于滤除电路中的杂波。本电路能够实现从零点开始对气泵进行人为控制延时时间，从而实现对气泵速度的调节，该方法调节的气泵速度更准确，该电路中还设置滤波部分和保护电路部分，使用寿命长。所述光电耦合器A的型号为MOC3021。该型号能够及时触发，保证气泵调速的效率。所述双向可控硅晶闸管D的型号为BTA12。当交流电过零，就是正弦波的电压是大小变化的，会有零电压，电压为零时再重新触发导通，若不触发它就相当于关断了，这样就能够准确的检测出零点开始进行延时。所述两端接口B2的接口1和接口2之间连接电机。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：1、本电路能够实现从零点开始对气泵进行人为控制延时时间，从而实现对气泵速度的调节，该方法调节的气泵速度更准确，该电路中还设置多处RC滤波部分，压敏电阻R7和压敏电阻R8用于保护三端接口和两端接口，使用寿命长。附图说明图1为本专利技术的电路原理图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步阐述，本专利技术的实施例不限于此。实施例1：如图1所示，本专利技术包括5.1千欧的电阻R1、510欧的电阻R2、820欧的电阻R3、一千欧的电阻R4、510欧每0.5瓦的电阻R5、1千欧的电阻R6、AC470V/10K的压敏电阻R7、AC470V/10K的压敏电阻R8、光电耦合器A、双向可控硅晶闸管D、102/2KV的电容C1、102/2KV的电容C2、0.1UF/AC275V的电容C3、三端接口B1和两端接口B2，电阻R1和R2一端均连接3.3V电源，三端接口B1连接AC220V电源和过零检测电路，所述光电耦合器A上的端口1连接电阻R2，光电耦合器A上的端口2连接电阻R1，光电耦合器A的端口3同时连接三端接口B1的端口1、双向可控硅晶闸管D的端口1、压敏电阻R7和电容C3，光电耦合器A的端口4连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端还同时连接双向可控硅晶闸管D的端口2和电容C1一端，电容C1另一端连接双向可控硅晶闸管D的端口3，电阻R4并联在电容C1的两端，在光电耦合器A的端口2上还设置气泵连接端PUMP；所述双向可控硅晶闸管D的端口1和端口3之间依次串联电阻R5和电容C2；所述三端接口B1的端口1和端口3之间连接压敏电阻R7，三端接口B1的端口2悬空，在三端接口B1的端口3和双向可控硅晶闸管D的端口3之间还串联压敏电阻R8，压敏电阻R8与三端接口B1的公共端同时连接两端接口B2的端口1、电容C3一端和电阻R6一端，电阻R6另一端还同时连接两端接口B2的端口2和双向可控硅晶闸管D的端口3。光电耦合器A上的发光二极管正极连接电阻R2，负极连接气泵连接端PUMP。对于需要调速的气泵通过气泵连接端PUMP接入用于气泵调速的电路，光电耦合器A上的光敏二极管接通发出光源，光的强度取决于激励电流的大小，此光照射到封装在一起的光电耦合器上的受光器上后，因光电效应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就可以实现低压电到光，然后由光到高压电的转换。转换后的高压电经过双向可控硅晶闸管D的整流作用，当正弦交流电压处于正半周时，只有在控制极也就是双向可控硅晶闸管D的端口2外加触发脉冲时，可控硅才被触发导通，负载上才会有电压输出，因此可以通过改变控制极上触发脉冲到来的时间，来进一步调节负载上输出电压的平均值，达到可控整流的作用。当两端接口B2接通电机工作后，使双向可控硅晶闸管D的端口1和端口3导通，控制极也就是双向可控硅晶闸管D的端口2在光电耦合器A感应电压的触发下工作，而光电耦合器A上产生的触发脉冲到来的时间则可以人为控制。而三端接口B本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于气泵调速的电路，其特征在于：包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、压敏电阻R7、压敏电阻R8、光电耦合器A、双向可控硅金闸管D、电容C1、电容C2、三端接口B1和两端接口B2，所述光电耦合器A上的端口1连接上拉电阻R2，光电耦合器A上的端口2连接上拉电阻R1，光电耦合器A的端口3同时连接接口B1的端口1、双向可控硅金闸管D的端口1、压敏电阻R7和电容C3，光电耦合器A的端口4连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端还同时连接双向可控硅金闸管D的端口2和电容C1一端，电容C1另一端连接双向可控硅金闸管D的端口3，电阻R4并联在电容C1的两端，在光电耦合器A的端口2上还设置气泵连接端PUMP；所述双向可控硅金闸管D的端口1和端口3之间依次串联电阻R5和电容C2；所述三端接口B1的端口1和端口3之间连接压敏电阻R7，三端接口B1的端口2悬空，在三端接口B1的端口3和双向可控硅金闸管D的端口3之间还串联压敏电阻R8，压敏电阻R8与三端接口B1的公共端同时连接两端接口B2的端口1、电容C3一端和电阻R6一端，电阻R6另一端还同时连接两端接口B2的端口2和双向可控硅金闸管D的端口3。...

【技术特征摘要】
1.用于气泵调速的电路，其特征在于：包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、压敏电阻R7、压敏电阻R8、光电耦合器A、双向可控硅晶闸管D、电容C1、电容C2、三端接口B1和两端接口B2，所述光电耦合器A上的端口1连接电阻R2，光电耦合器A上的端口2连接电阻R1，光电耦合器A的端口3同时连接三端接口B1的端口1、双向可控硅晶闸管D的端口1、压敏电阻R7和电容C3，光电耦合器A的端口4连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端还同时连接双向可控硅晶闸管D的端口2和电容C1一端，电容C1另一端连接双向可控硅晶闸管D的端口3，电阻R4并联在电容C1的两端，在光电耦合器A的端口2上还...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文，
申请(专利权)人：成都千里电子设备有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51