电极图案的制作方法技术

一种电极图案的制作方法，包括如下步骤。首先，提供一基板，并在该基板的一表面沉积一层导电材料。然后，通过曝光方法对该导电材料的一部分进行退火处理，使该导电材料具有经过退火处理的第一部分以及未经过退火处理的第二部分。最后，去除该导电材料的第一部分与第二部分的其中之一，形成电极图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
铟锡氧化物（ITO)等透明导电材料因其具有高电导率、高可见光透过率、与玻璃 基底结合牢固、抗擦伤等优良的物理性能以及良好的化学稳定性被广泛的应用于各种电子 装置（如手机、便携式电脑、个人数字助理（PDA)、平板电脑、媒体播放器等触控显示装置） 以制作电极图案。目前，一种较为普遍的ITO图案制作方法是光刻法，其需要通过清洗基 板、光阻涂布、曝光、显影、蚀刻等多个步骤来形成特定的ITO图案的透明电极。这种方法所 需的步骤较多，导致制程成本较高。
技术实现思路
为解决以上问题，有必要提供一种，包括如下步骤。 首先，提供一基板，并在该基板的一表面沉积一层导电材料。 然后，通过曝光方法对该导电材料的一部分进行退火处理，使该导电材料具有经 过退火处理的第一部分以及未经过退火处理的第二部分。 最后，去除该导电材料的第一部分与第二部分的其中之一，形成电极图案。 相较于现有技术，本专利技术使用掩膜直接对导电材料进行曝光和退火处理，然后通 过湿蚀刻法去除未经退火处理的导电材料部分，即可形成电极图案，从而有效降低制程成 本。【附图说明】 图1至图3为本专利技术一第一实施例的制作流程示意图。 图4和图5是一实施例中上述制作流程形成的电极图案的示意图。 图6至图8为本专利技术一第二实施例的制作流程示意图。 主要元件符号说明 【具体实施方式】 本专利技术提供的主要是使用掩膜并施加光脉冲对透明导电材 料的其中一部分进行老化（annealing)处理，然后通过蚀刻直接实现ITO图案化的方法，进 而可省略传统光刻制程中的光阻涂布等步骤，以减少制程成本。为便于理解，下面将结合具 体实施例及图示作进一步的详细说明。 为使熟习所属
的技术人员能进一步了解本【具体实施方式】，下文特列举优 选实施例，并配合附图，详细说明【具体实施方式】的构成内容。需注意的是附图仅以说明为目 的，并未依照原尺寸作图。此外，在文中使用的例如"第一"与"第二"等术语，仅用以区别【具体实施方式】中的不同构成部分，而并不是对其所代表构成部分的产生顺序的限制。另外， 文中使用的"上"、"下"、"左"、"右"等术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或 位置关系而做的描述，其只是为了便于说明【具体实施方式】的简化描述，而不是指示或暗示 所指元件必须具有的特定方位或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对具体实施方 式的限制。 请参阅图1至图3,图1至图3为本专利技术一第一实施例的制作 流程示意图。 首先，如图1所示，提供一基板11并在该基板11的一表面沉积一层导电材料12。 本实施例中，该基板11为透明基板。该透明基板可以是，但不限于，玻璃基板、 塑料基板或柔性（Flexible)基板等。若为塑料基板或柔性基板，其可以是聚碳酸酯 (Polycarbonate，PC)基板、聚酯（Polyester，PET)基板、环稀共聚物（Cyclic olefin copolymer，C0C)基板、金属络合物基材-环稀共聚物（metallocene-based cyclic olefincopolymer，mCOC)基板等。若为玻璃基板，可以是一薄型玻璃（Thin Glass)基板。 在沉积该导电材料12前，该基板11需先进过清洗，以清除吸附在该基板11表面的各种有 害杂质或油污。清洗方法可是利用各种化学浓剂（如氢氧化钾，K0H)和有机浓剂与吸附在 玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或通过磨刷喷洗等物理措施，使杂质 或油污从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水冲洗，从而获得洁净的基板表面。经清洗 后，该基板11再通过干燥处理，即可在表面沉积所述导电材料12。 本实施例中，涂布在该基板11上的导电材料12的厚度小于或等于50纳米（nm)。 该导电材料12为非晶状（amorphous)的透明导电材料，例如，优选为氧化铟锡（Indium Tin Oxide，IT0)。此外，该导电材料12也可以是铟锌氧化物（Indium Zinc Oxide，IZ0)、错锌 氧化物（Aluminum Zinc Oxide，AZ0)、透明导电膜，或其它类似的透明导电材料。 然后，如图2所示，对该导电材料12进行曝光。优选地，本实施例中，使用一位于 该导电材料12远离基板11的一侧的掩膜13对该导电材料12进行曝光。该掩膜13与该 导电材料12远离基板11 一侧的表面具有一间距G。该间距G小于或等于100微米。该掩 膜13为硬质掩膜，其包括多个间隔设置的遮光部131以及分别位于相邻遮光部131之间的 透光部132。 本实施例中，曝光过程采用的光源为红外光源或近红外光源。该光源穿过掩膜13 的透光部132使正对该透光部132的部分导电材料12的温度提高，从而对该部分导电材料 12进行退火（annealing)处理。经过曝光处理之后，该导电材料12包括经过退火处理的第 一部分121以及未经过退火处理的第二部分122。该第一部分121与掩膜13的透光部132 对应，该第二部分122与掩膜13的遮光部131对应。此外，该第一部分121经过退火处理 之后，其特性由非晶状变为微晶状（microcrystal)或多晶状（poly-crystal)。使用该光源 对导电材料12进行曝光的时间小于100毫秒，且该光源的能量大于lj/cm2 (1焦耳每平方 厘米）。 最后，如图3所示，去除所述导电材料12的第一部分121与第二部分122的其中 之一，形成电极图案。 具体地，本实施例中，首先移除掩膜13,然后对曝光后的导电材料12进行蚀刻，去 除该导电材料12未经退火处理的第二部分122,从而未被蚀刻掉的第一部分121间隔排列 形成位于基板10表面的多个电极，该多个电极间隔排列形成电极图案。本实施例中，对导 电材料12的蚀刻方法为湿蚀刻方法。由于导电材料12经过退火处理的第一部分121的韧 性强于未经退火处理的第二部分122,从而使得该第一部分121不会被蚀刻掉，以形成所述 电极图案。该第一部分121的表面电阻小于180欧姆，其电子迀移率大于3cm2AVs)。该电 极图案可用于手机、便携式电脑、个人数字助理（PDA)、平板电脑、媒体播放器等电子装置。 例如，该电极图案可作为触控显示装置的触控电极。 此外，其它实施例中，如图4所示，所述第一部分121的其中一部分会被蚀刻掉，从 而形成上下两表面的宽度不均匀的电极123。该电极123为梯形，其包括上表面和下表面以 及连接于该上表面和下表面的斜面，该斜面的倾斜角度9小于30度。该倾斜角度是指该 斜面与垂直于该上表面或下表面的垂直面之间的夹角。此外，该实施例中，该电极123的上 表面的宽度小于下表面的宽度。在其它实施例中，如图5所示，该电极123的上面的宽度也 可以大于下表面的宽度。 所应说明的是，其它实施例中，也可通过其它方法去除所述经过退火处理的第一 部分121，而保留所述未经退火处理的第二部分122,该第二部分122间隔排列形成所述电 极图案。[002当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电极图案的制作方法，其特征在于，该方法包括：提供一基板，并在该基板的一表面沉积一层导电材料；通过曝光方法对该导电材料的一部分进行退火处理，使该导电材料具有经过退火处理的第一部分以及未经过退火处理的第二部分；及去除该导电材料的第一部分与第二部分的其中之一，形成电极图案。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾德仁，谢嘉铭，林子祥，
申请(专利权)人：业成光电深圳有限公司，英特盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44