用于选择或隔离存储器单元的设备及方法技术

用于存储器单元的选择及/或隔离的方法及装置包含晶闸管的使用。举例来说，可至少部分地通过起始触发电位的施加以影响与存储器存储组件串联耦合的晶闸管的栅极而选择存储器存储组件以用于存取。所述晶闸管的所述栅极连接到存储器单元字线且准许用于使选定及未选定存储器阵列导体相对于例如双极结晶体管的常规选择器减小泄漏电流的高效极性方案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】 优先权主张 本申请案为主张在2013年3月15日提出申请的第61/798, 158号美国临时申请 案的优先权权益的非临时申请案。
本文中所揭示的标的物涉及存储器装置，且更特定来说涉及用于选择或隔离存储 器单元的设备及方法。
技术介绍
存储器装置可包括多个存储器单元。举例来说，多个存储器单元可以阵列配置及 /或堆叠式配置来布置。存储器装置还可包括可用于（举例来说）存取存储器存储组件的 接口。举例来说，例如作为读取操作的部分，接口可存取存储器存储组件以确定存储器单元 的经编程状态。例如作为写入操作的部分，接口还可存取存储器存储组件以在存储器单元 中确立经编程状态。举例来说，接口可耦合到可使用存储器装置的一或多个其它电路装置 (例如，处理器、收发器等）。 在特定实例性实例中，存储器装置可提供为可耦合到其它电路装置的单独组件 (例如，芯片、半导体裸片等）。在特定其它实例中，存储器装置可连同一或多个其它电路装 置一起提供（举例来说）为多芯片封装、一或多个半导体裸片、芯片上系统的部分，仅列举 几个。 在特定实例中，存储器装置可包括相变存储器（PCM)。举例来说，存储器单元可包 括PCM存储组件（例如，双向存储器开关（OMS)，例如硫属化物组件）及选择组件（例如，双 极晶体管、双向阈值开关（OTS)等）。【附图说明】 将参考以下图描述非限制性及非穷尽性实施方案，其中除非另外规定，否则贯穿 各个图的相似参考编号是指相似部件。 图1是展示根据一实施方案包含包括存储器存储组件（例如，PCM组件等）及晶 闸管的存储器单元的实例性设备的示意图。图2是图解说明根据一实施方案的晶闸管的实例性电流-电压特性的曲线图。 图3是展示根据一实施方案可用于图1的存储器装置中的包括阳极（A)、栅极（G) 及阴极（K)的实例性晶闸管电路的示意图。 图4A是展示根据一实施方案的图解说明于代表性垂直形成的堆叠中的呈3节点 硅控式整流器（SCR)形式的实例性晶闸管电路的示意图，所述代表性垂直形成的堆叠呈可 经制作以用于图1的存储器装置中的PNPN分层半导体配置。 图4B是展示根据一实施方案的可经制作以用于图1的存储器装置中的呈薄电容 耦合晶闸管（TCCT)形式的实例性晶闸管电路的示意图，其图解说明于具有额外栅极介电 部分的呈PNPN分层半导体配置的代表性垂直形成的堆叠中。 图5是根据一实施方案的可用于图1的存储器装置中以选择并存取存储器单元的 实例性方法的图示。 图6是根据另一实施方案的可用于图1的存储器装置中以选择并存取存储器存储 组件的另一实例性方法的图示。 图7是根据一实施方案的可用于图1的存储器装置中以选择性地隔离存储器单元 的实例性方法的图示。 图8是根据一实施方案的用于控制可经选择并经接通以用于存取及经关断以用 于隔离的存储器单元的实例性状态图。 图9到11是展示可用于图1的存储器装置中且包括根据特定替代实施方案布置 的存储器存储组件及晶闸管的实例性存储器单元的示意图。 图12是展示具有金属字线导体及埋入式字线导体的存储器单元的实例性配置的 示意图。 图13是展示包含双极结晶体管作为选择器的实例性存储器单元的示意图，其中 所述单元配置成2乘2 (2X2)阵列。 图14是展示根据一实施方案的包含晶闸管作为选择器的实例性存储器单元的示 意图，其中所述单元配置成2乘2(2X2)阵列。 图15是描绘包含双极结晶体管作为选择器的实例性存储器装置的一部分的等角 视图的图解说明。 图16A及16B是描绘包含双极结晶体管作为选择器的实例性存储器装置的横截面 图的图解说明。 图17是描绘根据一实施方案的包含晶闸管作为选择器的实例性存储器装置的一 部分的等角视图的图解说明。 图18A及18B是描绘根据一实施方案的包含晶闸管作为选择器的实例性存储器装 置的横截面图的图解说明。【具体实施方式】 贯穿本说明书对"一个实施方案"、"一实施方案"或"特定实施方案"的提及意指 结合（如果）所描述实施方案一起描述的特定特征、结构或特性可包含在所主张标的物的 至少一个实施方案中。因此，贯穿本说明书在各个地方出现的短语"在一个实例性实施方 案中"、"在实例性实施方案中"或"在特定实例性实施方案中"未必全部是指相同实施方案。 此外，可将特定特征、结构或特性组合在一或多个实施方案中。 图1是展示根据一实施方案的包括实例性存储器装置116的实例性设备100的示 意图。如所展示，存储器装置116可提供为电子装置118的部分或用于电子装置118中。 尽管此处识别为参考编号100,但如本文中所使用，"设备"可指（举例来说）系统、装置、电 路或其（如果）组件中的任一者或全部，不论个别地还是以组合形式。举例来说，根据本发 明，电子装置118及/或存储器装置116中的任一者或两者也可被视为"设备"。 电子装置118可表示可存取存储器装置116(例如）以传送表示某种形式的信息 (例如，编码为位、数据、值、元素、符号、字符、项、数字、数或类似物）的一或多个电信号的 任何电子装置或其部分。举例来说，电子装置118可包括计算机、通信装置、机器等，其中存 储器装置116可由电路装置150 (例如）经由接口 140来存取。电路装置150可表示可耦 合到存储器装置116的任何电路。因此，电路装置150可包括某种形式的处理电路（例如， 微处理器、微控制器等）、某种形式的通信电路（例如，接收器、发射器、总线接口等）、某种 形式的译码电路（例如，模/数转换器、数/模转换器、惯性传感器、相机、麦克风、显示装置 等）、另一存储器装置（例如，非易失性存储器、存储媒体等）及/或其组合，仅列举几个实 例。在特定实例性实例中，存储器装置116可提供为可耦合到电路装置150的单独组 件（例如，芯片、半导体裸片等）。在特定其它实例中，存储器装置116可连同一或多个其它 电路装置一起提供（举例来说）为多芯片封装、"受管理"存储器装置、模块、存储器卡、一或 多个半导体裸片及/或芯片上系统的部分，仅列举几个。如所展示，存储器装置116可（举例来说）包括多个存储器单元102-1到102-z。 为简明起见，在此说明中，术语"存储器单元102"或"如果存储器单元102"可用作对多个存 储器单元102-1到102-z(其中"z"表示整数）中的一或多者的一般参考。存储器单元102 可（举例来说）选择性地编程为表示某种形式的信息（例如（例如）二进制逻辑位（例如， "1"或"〇"））的状态。在特定实例性实施方案中，存储器单元102可能够选择性地编程为 三个或三个以上状态，其可表示1. 5个位，或者两个或两个以上二进制逻辑位。 在此实例中，存储器单元102-1到102-Z布置为存储器单元阵列114的部分。在 特定实例性实施方案中，存储器单元阵列114可根据图案来布置，例如数字线（例如，位线） 导体及字线导体的连接栅格。在特定实例性实施方案中，存储器单元阵列114可包括存储 器单元102堆叠（例如，多层布置）。在特定实例性实施方案中，存储器单元102可经由适 用存取线（例如位线（BL)导体106、字线（WL)导体108及返回线（returnline,RL)导体 109)来存取（例如，使用接口 140、选择电路1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，其包括：多个数字线导体；多个字线导体；存储器单元阵列，其处于所述数字线导体与所述字线导体的接合点处，每一存储器单元包括选择器晶闸管及存储器存储组件；每一存储器存储组件的第一节点耦合到所述数字线导体中的一者；每一存储器存储组件的第二节点耦合到所述对应选择器晶闸管的阳极；每一选择器晶闸管的栅极耦合到所述字线导体中的一者；且每一选择器晶闸管的阴极连接到共同返回线。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁卡·罗伦，奥古斯图·毕维努提，马可·瑞瓦，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US