本发明专利技术公开了一种具有电磁屏蔽功能的扩散增亮膜及其制备方法，包括透明基带，透明基带的其中一个光学面上具有棱锥结构层，另一个光学面上设有电磁屏蔽层，在电磁屏蔽层的表面设有扩散层；电磁屏蔽层为纳米银线涂层，棱锥结构层由多个等距设置的棱镜单体组成的棱镜阵列构成。制备方法包括纳米银线涂层的制备、扩散层的制备和棱锥结构层的制备。本扩散增亮膜将棱锥结构层、电磁屏蔽层和扩散层通过涂布、压印工艺，集中于同一张透明基带上，使其同时具有增亮、扩散、荧光以及电磁屏蔽的功能，使得背光模组产品在轻薄化的同时具有电磁屏蔽功能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学部件的制备工艺，尤其涉及一种具有电磁屏蔽功能的扩散增亮膜 及其制备方法。
技术介绍
由于具有低能耗、显色性好、重量轻以及环保节能等优点，液晶显示器已经成为目 前市场上主流的显示器，而液晶材料本身不发光，为了使得液晶显示器能正常显示，一般来 说需要在液晶面板背部放置一个背光模组为液晶面板提供照明的光源，背光模组主要由光 源、反射膜、导光板、下扩散膜、下增亮膜、上增亮膜和上扩散膜等组成，其中光学膜组为其 核心组件。 随着液晶显示器轻薄化的要求越来越高，人们希望能减少光学膜组的厚度，然而 目前市场上使用的仍是扩散膜加增亮膜的组合，而且扩散膜和增亮膜各有两张，这非常不 利于液晶显示器的轻薄化；另外，目前使用电子产品人越来越多，并且使用的时间也越来越 长，电磁辐射对人体的影响不再可以简单忽略，如何降低液晶显示的电磁辐射对人体的影 响也是目前液晶设计应考虑的问题，然而目前针对液晶显示的电磁屏蔽应用仍在少数。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供一种具有电磁屏蔽功能 的扩散增亮膜及其制备方法。本专利技术采用涂布工艺将棱锥结构层、电磁屏蔽层和扩散层集 中于同一张薄膜上，使其同时具有增亮、扩散、荧光以及电磁屏蔽的功能，使得背光模组产 品在轻薄化的同时具有电磁屏蔽功能。 本专利技术通过下述技术方案实现： -种具有电磁屏蔽功能的扩散增亮膜，包括透明基带11，所述透明基带11的其中 一个光学面上具有棱锥结构层10,另一个光学面上设有电磁屏蔽层12,在电磁屏蔽层12的 表面设有扩散层13。 所述电磁屏蔽层12为纳米银线涂层120,纳米银线涂层120中的数条银线相互连 接交织在一起，并构成交叉的网状结构。 所述棱锥结构层10由多个等距设置的棱镜单体组成的棱镜阵列构成。 所述扩散层13的整个表面分布有不规则凹凸结构，当光线入时，该不规凹凸结构 会使光线发生散射，使光线扩散。 所述各棱镜单体的横截面呈等腰三角形，其顶角角度为90°直角或者圆弧角。 每根纳米银线的直径为30~50nm、长度为30~50Iim。 上述具有电磁屏蔽功能的扩散增亮膜的制备方法如下： 步骤（1):纳米银线涂层的制备 取厚度为50ym的透明基带11，经过放料辑30放卷后，牵引透明基带11的端头穿 过烘箱后，连接至收料辊34上， 狭缝式涂布装置3的狭缝式模具上胶头312置于透明基带11光学面上方，胶桶内 盛装混合有纳米银线的胶水；启动狭缝式涂布装置3,缝式模具上胶头312开始涂布，涂布 完成的透明基带11由收料辊34牵引进入烘箱，经干燥后得到具有纳米银线涂层的光学膜 33,最后经收料辊34收卷； 步骤⑵：扩散层的制备 将步骤（1)得到的具有纳米银线涂层的光学膜33,装配到结构成型装置4上，将结 构辊411更换为表面分布有不规则凹凸结构的结构辊；启动结构成型装置4;滴胶式上胶系 统40在纳米银线涂层上继续上胶，即在纳米银线涂层上涂覆UV胶水层，接着光学膜33被 牵引至结结构辊411，由结构辊411表面分布的不规则凹凸结构对UV胶水层进行滚压成型， 在滚压的同时，设置在结构辊411下方的UV光源对UV胶水进行交联固化，得到在纳米银线 涂层上的具有不规则凹凸结构的扩散层13; 步骤⑶：棱锥结构层的制备 将步骤（2)得到具有纳米银线涂层和不规则凹凸结构扩散层的光学膜33,装配到 结构成型装置4上，将结构辊411更换为表面分布有棱锥结构阵列的结构辊；启动结构成型 装置4 ;滴胶式上胶系统40在透明基带11另一空白光学面上继续上胶，接着光学膜33被 牵引至结结构辊411，由结构辊411表面分布的棱锥结构阵列对UV胶水层进行滚压成型，在 滚压的同时，设置在结构辊411下方的UV光源对UV胶水进行交联固化，得到在具有棱锥结 构层10、电磁屏蔽层12和扩散层13的扩散增亮膜1。 本专利技术相对于现有技术，具有如下的优点及效果： 本专利技术将棱锥结构层、电磁屏蔽层和扩散层通过涂布、压印工艺，集中于同一张透 明基带上，使其同时具有增亮、扩散、荧光以及电磁屏蔽的功能，使得背光模组产品在轻薄 化的同时具有电磁屏蔽功能。 本专利技术的电磁屏蔽层采用纳米银线与胶水混合，纳米银线相互连接交织在一起， 并构成交叉的网状结构，形成电磁屏蔽层，大大简化了制备工艺，而且银的导电率极高，因 此其电磁屏蔽功能十分优越，另外由于其高导电率的缘故，因此可以将屏蔽层做得极薄。 将本专利技术扩散增亮膜应用于现有的侧入式背光模组或者直下式背光模组中，即可 以取代背光模组中上增亮膜和上扩散膜的使用，并且提供电磁屏蔽功能。 本专利技术采用现有设备进行工艺制备，具有设备简单，对环境要求低，操作简便，能 极大地提高生产效率和降低生产成本。【附图说明】图1为本专利技术具有电磁屏蔽功能的扩散增亮膜结构示意图。 图2为图1中的电磁屏蔽层结构示意图。 图3为采用现有狭缝式涂布装置制备纳米银线涂层的工艺流程图。 图4为采用现有结构成型装置制备扩散层、棱锥结构层的工艺流程图。图5为本专利技术具有电磁屏蔽功能的扩散增亮膜的另一结构示意图。【具体实施方式】 下面结合具体实施例对本专利技术作进一步具体详细描述。 实施例 如图1至5所示。本专利技术一种具有电磁屏蔽功能的扩散增亮膜，包括透明基带 11 (为PET膜，其厚度dl为38 ym~50 ym)，所述透明基带11的其中一个光学面上具有 棱锥结构层10,另一个光学面上设有电磁屏蔽层12,在电磁屏蔽层12的表面设有扩散层 13 (厚度 d0 为 5ym ~8ym)。 所述电磁屏蔽层12为纳米银线涂层120,纳米银线涂层120中的数条银线相互连 接交织在一起，并构成交叉的网状结构。每根纳米银线的直径为30~50nm、长度为30~ 50 ym。交叉的网状结构是二维随机网络交叉结构，银线之间的连接为自然接触交叉连接， 当电磁波在传播过程中遇到电磁屏蔽层时，电磁波会受到电磁屏蔽层的反射、吸收从而发 生损耗，进而使得电磁波不能通过被屏蔽区域，或者使得被屏蔽区域的电磁波无法向外传 播。电磁屏蔽层的电磁屏蔽包括屏蔽体表面的反射损耗，屏蔽材料的吸收损耗和屏蔽体内 部的多次反射损耗。为了描述和定量分析屏蔽体的屏蔽效果，通常采用屏蔽效能SE表示屏 蔽体对电磁干扰的屏蔽能力和效果，屏蔽效能是屏蔽材料对电磁信号的衰减值，其单位用 分贝（dB)表示。屏蔽效能SE可用如下方程式表示： SE =SEr+SEa+SEb SEr+屏蔽体表面的单次反射损耗 SEa-屏蔽材料的吸收反射损耗 SEb-屏蔽材料的吸收反射损耗 根据电磁学的有关知识，可分别得出SER、SEjP SE B的计算公式： SEr= 168-101g(f yJor) SEa= I. 3143t(f y r 〇 r)1/2 ^ = 201g(l-10 ) 上式中为屏蔽材料相对于铜的磁导率；〇 1^为屏蔽材料相对于铜的电导率；f 为电磁波的频率，Hz ;t为屏蔽材料厚度，m。 由上式可以看出，屏蔽材料导电性好，即电导率％大，吸收损耗和反射损耗均增 大，屏蔽效能也增大，本专利技术公开的具有电磁屏蔽功能的扩散增亮膜包含的电磁屏蔽层采 用纳米银线涂层，由于银的导电率极高，因此其电磁屏蔽功能十分优越，另外由于其高导电 率的缘故，因此可以将导电层做得极本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有电磁屏蔽功能的扩散增亮膜，其特征在于包括透明基带(11)，所述透明基带(11)的其中一个光学面上具有棱锥结构层(10)，另一个光学面上设有电磁屏蔽层(12)，在电磁屏蔽层(12)的表面设有扩散层(13)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：余树东，李宗涛，汤勇，李宇吉，陆龙生，万珍平，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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