本发明专利技术提供了一种移相器，其包括介质片、金属片、铁氧体和波导，所述介质片和金属片通过导电胶粘合固定，金属片相邻介质片的表面挖设有凹槽，介质片相邻金属片的表面对应凹槽处贴设有微带线，凹槽与介质片围成的空腔内注入有向列型液晶，介质片的外表面和金属片的外表面依次分别设有至少两层铁氧体，铁氧体内穿设有激励导线，介质片、金属片、铁氧体均位于波导的内腔中，波导的两端分别设有第一匹配介质和第二匹配介质，介质片以及金属片的两端与第一匹配介质相接触，铁氧体的两端与第二匹配介质相接触，其中，第一匹配介质的介电常数大于第二匹配介质的介电常数。本发明专利技术能够在超宽带微波频段下实现移相。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波器件领域，特别是涉及一种移相器。
技术介绍
移相器是对波的相位进行调节的一种装置，在雷达、导弹姿态控制、加速器、通信以及仪器仪表领域都有着广泛的应用。目前铁氧体器件广泛用于各种雷达系统中，其中波导类微波铁氧体器件占据了半壁江山。无源相控阵雷达及子阵有源相控阵雷达体系都需要使用大量的这类器件。波导类铁氧体器件在天馈线中能对通过的微波信号实现幅度或相位的控制，但必须通过一定的介质匹配器实现铁氧体波导与空波导的匹配。随着雷达技术的发展，宽带工作已成为发展的趋势，而波导类微波铁氧体器件一贯以来采用的常规匹配方式已经逐渐成为影响系统带宽的瓶颈，造成在品质因数、调谐比、调谐速度、线性度等方面存在或多或少的问题。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种移相器，能够在超宽带微波频段下实现移相。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种移相器，包括介质片、金属片、铁氧体和波导，所述介质片和金属片通过导电胶粘合固定，所述金属片相邻所述介质片的表面挖设有凹槽，所述介质片相邻所述金属片的表面对应所述凹槽处贴设有微带线，所述凹槽与所述介质片围成的空腔内注入有向列型液晶，所述介质片的外表面和所述金属片的外表面依次分别设有至少两层铁氧体，所述铁氧体内穿设有激励导线，所述介质片、金属片、铁氧体均位于所述波导的内腔中，所述波导的两端分别设有第一匹配介质和第二匹配介质，所述介质片以及所述金属片的两端与所述第一匹配介质相接触，所述铁氧体的两端与所述第二匹配介质相接触，其中，所述第一匹配介质的介电常数大于所述第二匹配介质的介电常数。优选地，所述介质片为陶瓷片。优选地，所述波导的材质为铜。区别于现有技术的情况，本专利技术的有益效果是:利用向列型液晶在不加偏压和加偏压时，产生的介电各向异性变化来实现移相的目的，从而能够在超宽带微波频段下实现移相，相比传统的移相器，具有工作频率高、工作电压较低、插耗低、小型化、造价低廉、批量生广成品率尚等优点。【附图说明】图1是本专利技术实施例移相器的结构示意图。图2是本专利技术实施例移相器的介质片和金属片的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。—并参见图1和图2，本实施例的移相器包括介质片1、金属片2、铁氧体3和波导4。介质片I和金属片2通过导电胶粘合固定，金属片2相邻介质片I的表面挖设有凹槽21，介质片I相邻金属片2的表面对应凹槽21处贴设有微带线11，凹槽21与介质片I围成的空腔内注入有向列型液晶，介质片I的外表面和金属片2的外表面依次分别设有至少两层铁氧体3，铁氧体3内穿设有激励导线，介质片1、金属片2、铁氧体3均位于波导4的内腔中，波导4的两端分别设有第一匹配介质5和第二匹配介质6，介质片I以及金属片2的两端与第一匹配介质5相接触，铁氧体3的两端与第二匹配介质6相接触，其中，第一匹配介质5的介电常数大于第二匹配介质6的介电常数。移相器工作时，激励导线连接驱动电路，当电流通过时，产生横向磁化场，磁力线在铁氧体3内形成回路。当高频场通过相移段时，由于在铁氧体3中有正负圆极化波的存在，正负圆极化波的磁导率不同，从而产生差相移。移相器在锁式态下工作，它可以工作在正负磁化态间的任意态。工作态控制由驱动电路来完成。同时，由于采用了向列型液晶作为电光材料，利用向列型液晶在不加偏压和加偏压时，产生的介电各向异性变化可以实现移相的目的。在本实施例中，介质片I为陶瓷片，波导4的材质为铜。通过上述方式，本专利技术实施例的移相器利用向列型液晶在不加偏压和加偏压时，产生的介电各向异性变化来实现移相的目的，从而能够在超宽带微波频段下实现移相，相比传统的移相器，具有工作频率高、工作电压较低、插耗低、小型化、造价低廉、批量生产成品率尚等优点。以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。【主权项】1.一种移相器，其特征在于，包括介质片、金属片、铁氧体和波导，所述介质片和金属片通过导电胶粘合固定，所述金属片相邻所述介质片的表面挖设有凹槽，所述介质片相邻所述金属片的表面对应所述凹槽处贴设有微带线，所述凹槽与所述介质片围成的空腔内注入有向列型液晶，所述介质片的外表面和所述金属片的外表面依次分别设有至少两层铁氧体，所述铁氧体内穿设有激励导线，所述介质片、金属片、铁氧体均位于所述波导的内腔中，所述波导的两端分别设有第一匹配介质和第二匹配介质，所述介质片以及所述金属片的两端与所述第一匹配介质相接触，所述铁氧体的两端与所述第二匹配介质相接触，其中，所述第一匹配介质的介电常数大于所述第二匹配介质的介电常数。2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述介质片为陶瓷片。3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述波导的材质为铜。【专利摘要】本专利技术提供了一种移相器，其包括介质片、金属片、铁氧体和波导，所述介质片和金属片通过导电胶粘合固定，金属片相邻介质片的表面挖设有凹槽，介质片相邻金属片的表面对应凹槽处贴设有微带线，凹槽与介质片围成的空腔内注入有向列型液晶，介质片的外表面和金属片的外表面依次分别设有至少两层铁氧体，铁氧体内穿设有激励导线，介质片、金属片、铁氧体均位于波导的内腔中，波导的两端分别设有第一匹配介质和第二匹配介质，介质片以及金属片的两端与第一匹配介质相接触，铁氧体的两端与第二匹配介质相接触，其中，第一匹配介质的介电常数大于第二匹配介质的介电常数。本专利技术能够在超宽带微波频段下实现移相。【IPC分类】H01P1/19【公开号】CN105070980【申请号】CN201510430555【专利技术人】蒋孝林, 李翔 【申请人】成都中微电微波技术有限公司【公开日】2015年11月18日【申请日】2015年7月21日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种移相器，其特征在于，包括介质片、金属片、铁氧体和波导，所述介质片和金属片通过导电胶粘合固定，所述金属片相邻所述介质片的表面挖设有凹槽，所述介质片相邻所述金属片的表面对应所述凹槽处贴设有微带线，所述凹槽与所述介质片围成的空腔内注入有向列型液晶，所述介质片的外表面和所述金属片的外表面依次分别设有至少两层铁氧体，所述铁氧体内穿设有激励导线，所述介质片、金属片、铁氧体均位于所述波导的内腔中，所述波导的两端分别设有第一匹配介质和第二匹配介质，所述介质片以及所述金属片的两端与所述第一匹配介质相接触，所述铁氧体的两端与所述第二匹配介质相接触，其中，所述第一匹配介质的介电常数大于所述第二匹配介质的介电常数。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋孝林，李翔，
申请(专利权)人：成都中微电微波技术有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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