着色组合物制造技术

本发明专利技术的课题在于提供一种耐热性比现有的着色组合物高的着色组合物。另外，本发明专利技术涉及“一种聚合物，其具有来自下述单体的单体单元，所述单体具有(i)阳离子性若丹明衍生物和(ii)烯键式不饱和键，所述(i)阳离子性若丹明衍生物具有下述阴离子作为抗衡阴离子，所述阴离子为含有具有吸电子性取代基的芳基和阴离子基团的阴离子”；“一种单体，其具有(i)阳离子性若丹明衍生物和(ii)烯键式不饱和键，所述(i)阳离子性若丹明衍生物具有下述阴离子作为抗衡阴离子，所述阴离子为含有具有吸电子性取代基的芳基和阴离子基团的阴离子”；“含有上述聚合物或单体的着色组合物”；以及“含有上述聚合物或单体的彩色滤光片用着色组合物”。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】着色组合物
本专利技术涉及一种用于彩色滤光片等着色像素形成用途、印刷油墨、喷墨油墨及涂料等用途的聚合物、以及含有该聚合物的着色组合物。
技术介绍
作为液晶显示元件、固体摄像元件等的彩色滤光片的制造中的彩色像素的形成方法，已知有：使用染料作为着色剂的染色法或染料分散法、使用颜料的颜料分散法、电沉积法、印刷法等。近年来，作为彩色滤光片的特性，特别要求亮度和对比度的提高。利用使用了颜料的颜料分散法时，由于耐热性、耐光性比染料高，因此在面板制造时的加热工序中劣化少，并且，能够得到长期可靠性高的彩色像素。因此，目前颜料分散法成为主流。但是，在使用颜料的情况下，由于颜料自身具有粒径，因此存在对比度因光的散射而下降的问题。虽然也尝试过将颜料微粒化，但微粒化也存在极限，另外，确保微粒化的颜料的分散稳定性也成为课题。另一方面，作为能够消除上述问题的方法，目前正在研究使用染料来形成彩色像素的方法。在使用染料的情况下，光散射被抑制，因此对比度提高。但是，与颜料相比，染料的耐热性低，根据种类还存在具有升华性的染料，因此存在亮度下降、褪色、色相变化等问题。因此，对于使用染料的方法而言，要求消除该问题。关于使用了染料的彩色滤光片，已有多种报道，例如日本特开2012-83651中报道了使用若丹明衍生物作为染料的着色树脂组合物。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-83651
技术实现思路
专利技术所要解决的课题对日本特开2012-83651中报道的使用了若丹明衍生物的着色树脂组合物进行了研究，结果未得到实用范围的耐热性。因此，本专利技术的课题在于提供一种耐热性比现有的着色组合物高的着色组合物。用于解决课题的手段鉴于上述情况，本专利技术人进行了深入研究，结果发现，通过使用下述化合物或者具有来自该化合物的单体单元的聚合物作为染料，能够得到耐热性优异、染料的溶出少的着色组合物，所述化合物具有含有特定的阴离子作为抗衡阴离子的阳离子性若丹明衍生物和烯键式不饱和键，从而完成了本专利技术。即，本专利技术涉及：“一种聚合物，其具有来自下述化合物的单体单元，所述化合物具有(i)阳离子性若丹明衍生物和(ii)烯键式不饱和键，所述(i)阳离子性若丹明衍生物具有下述阴离子作为抗衡阴离子，所述阴离子为含有具有吸电子性取代基的芳基和阴离子基团的阴离子”；“一种化合物，其具有(i)阳离子性若丹明衍生物和(ii)烯键式不饱和键，所述(i)阳离子性若丹明衍生物具有下述阴离子作为抗衡阴离子，所述阴离子为含有具有吸电子性取代基的芳基和阴离子基团的阴离子”；“包含上述聚合物或化合物而成的着色组合物”；以及“包含上述聚合物或化合物而成的彩色滤光片用着色组合物”。专利技术的效果使用本专利技术的聚合物或化合物作为着色剂时，即使是在230℃下加热30分钟的情况下，由加热引起的褪色也少，发挥高耐热效果。即，包含本专利技术的聚合物或化合物的着色组合物具有比现有的着色组合物更优异的耐热效果。另外，本专利技术的聚合物或化合物在将它们作为着色剂混合到抗蚀剂材料中来使用的情况下，可发挥染料(着色剂)的溶出少的效果。因此，与现有的着色组合物相比，能够提供不存在色浓度下降、混色等问题的优异的着色组合物。具体实施方式[含有具有吸电子性取代基的芳基和阴离子基团的阴离子]作为阳离子性若丹明衍生物所具有的阴离子(以下有时简称为本专利技术的阴离子)中的阴离子基团，例如可以举出磺酸根阴离子基团、季硼阴离子基团、硝酸根离子、磷酸根离子等，优选为磺酸根阴离子基团、季硼阴离子基团，更优选为季硼阴离子基团。作为本专利技术的阴离子中的吸电子性取代基，例如可以举出碳原子数为1～3的卤代烷基、卤代基、硝基等，其中优选卤代基、硝基，特别优选卤代基。作为该碳原子数为1～3的卤代烷基，例如可以举出氯甲基、三氯甲基、2-氯乙基、2,2,2-三氯乙基、2-氯丙基、3-氯丙基、2-氯-2-丙基等氯代烷基；溴甲基、三溴甲基、2-溴乙基、2,2,2-三溴乙基、2-溴丙基、3-溴丙基、2-溴-2-丙基等溴代烷基；碘甲基、三碘甲基、2-碘乙基、2,2,2-三碘乙基、2-碘丙基、3-碘丙基、2-碘-2-丙基等碘代烷基；氟甲基、三氟甲基、2-氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、五氟乙基、3-氟丙基、3,3,3-三氟丙基、2,2,3,3-四氟丙基、七氟丙基等氟代烷基。其中优选氟代烷基，特别优选三氟甲基。作为上述卤代基，可以举出氟基、氯基、溴基、碘基，优选氟基。本专利技术的阴离子中的吸电子性取代基在上述具体例中优选吸电子力强的吸电子性取代基，优选三氟甲基、氟基、硝基，更优选氟基、硝基。作为本专利技术的阴离子中的芳基，例如可以举出苯基、萘基等，优选苯基。作为本专利技术的阴离子中的具有吸电子性取代基的芳基，例如可以举出下述通式(XI)和(XII)表示的芳基。(式中，m表示1～5的整数，m个R41各自独立地表示碳原子数为1～3的卤代烷基、卤原子或硝基，*表示结合键)(式中，k表示1～7的整数。R41、*与上述相同。k个R41可以相同也可以不同)m通常为1～5的整数，在R41为卤原子的情况下，优选为2～5、更优选为3～5、进一步优选为5。在R41为硝基的情况下，优选为1～3、更优选为1。在R41为卤代烷基的情况下，优选为1～5。k通常为1～7的整数，在R41为卤原子的情况下，优选为2～7。在R41为硝基的情况下，优选为1～3、更优选为1。在R41为卤代烷基的情况下，优选为1～7。通式(XI)和通式(XII)中的R41的碳原子数为1～3的卤代烷基可以举出与上述本专利技术的阴离子中的吸电子性取代基中的碳原子数为1～3的卤代烷基相同的卤代烷基，优选的卤代烷基也相同。通式(XI)和通式(XII)中的卤原子可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，其中优选氟原子。通式(XI)和通式(XII)中的R41的优选的具体例与上述本专利技术的阴离子中的吸电子性取代基的优选例相同。通式(XI)表示的基团具体可以举出例如三氟甲基苯基、二(三氟甲基)苯基、三(三氟甲基)苯基、单氟苯基、二氟苯基、三氟苯基、全氟苯基、单氯苯基、二氯苯基、三氯苯基、全氯苯基、单溴苯基、二溴苯基、三溴苯基、全溴苯基、单碘苯基、二碘苯基、三碘苯基、全碘苯基、硝基苯基、二硝基苯基、三硝基苯基等，优选二氟苯基、三氟苯基、全氟苯基等，更优选全氟苯基。通式(XII)表示的基团具体可以举出例如三氟甲基萘基、二(三氟甲基)萘基、三(三氟甲基)萘基、单氟萘基、二氟萘基、三氟萘基、全氟萘基、一氯萘基、二氯萘基、三氯萘基、全氯萘基、单溴萘基、二溴萘基、三溴萘基、全溴萘基、单碘萘基、二碘萘基、三碘萘基、全碘萘基、硝基萘基、二硝基萘基、三硝基萘基等。本专利技术的阴离子中的具有吸电子性取代基的芳基在上述具体例中优选通式(XI)表示的基团，具体而言，优选三氟甲基苯基、硝基苯基、二硝基苯基、三硝基苯基、单氟苯基、二氟苯基、三氟苯基、全氟苯基，更优选二氟苯基、三氟苯基、硝基苯基、全氟苯基，进一步优选硝基苯基、全氟苯基。作为本专利技术的含有具有吸电子性取代基的芳基和阴离子基团的阴离子，具体可以举出例如下述通式(XIII)～(XVI)表示的阴离子。(式中，R41、m与上述相同。m个R41可以相同也可以不同)(式中，R41、k与上述相同。k个R41可以相同也可以不同)(式中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚合物，其具有来自下述化合物的单体单元，所述化合物具有(i)阳离子性若丹明衍生物和(ii)烯键式不饱和键，所述(i)阳离子性若丹明衍生物具有下述阴离子作为抗衡阴离子，所述阴离子为含有具有吸电子性取代基的芳基和阴离子基团的阴离子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.02.15 JP 2013-0279271.一种聚合物，其具有来自下述通式(I)表示的化合物的单体单元，式(I)中，R1～R4各自独立地表示氢原子、碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～6的羟基烷基、碳原子数为1～6的磺基烷基、碳原子数为2～7的羧基烷基、碳原子数为2～7的氰基烷基、碳原子数为2～6的烷氧基烷基、碳原子数为1～6的卤代烷基、具有取代基或无取代的苯基或苄基；R5～R7各自独立地表示氢原子或甲基；A1表示在链中具有-O-、-OCO-、-COO-或亚芳基中的至少一种基团且具有羟基作为取代基的碳原子数为1～21的亚烷基、在链中具有-O-、-OCO-、-COO-或亚芳基中的至少一种基团的碳原子数为1～21的亚烷基、碳原子数为1～9的亚烷基、或者具有羟基作为取代基的碳原子数为1～6的亚烷基；A2表示-NH-或-O-；An-表示含有具有吸电子性取代基的芳基和阴离子基团的阴离子。2.如权利要求1所述的聚合物，其中，所述An-中的具有吸电子性取代基的芳基是具有碳原子数为1～3的卤代烷基、卤原子和/或硝基的芳基。3.如权利要求1所述的聚合物，其中，所述An-中的具有吸电子性取代基的芳基为具有卤原子的芳基。4.如权利要求1所述的聚合物，其中，所述An-中的具有吸电子性取代基的芳基为具有氟原子的芳基。5.如权利要求1所述的聚合物，其中，所述An-中的具有吸电子性取代基的芳基为具有吸电子性取代基的苯基。6.如权利要求1所述的聚合物，其中，所述An-中的阴离子基团为季硼阴离子基团或磺酸根阴离子基团。7.如权利要求1所述的聚合物，其中，所述An-选自下述阴离子，8.如权利要求1所述的聚合物，其中，聚合物为共聚物。9.如权利要求8所述的聚合物，其中，共聚物以来自下述通式(II)、通式(III)、通式(IV)或通式(V)表示的化合物的单体单元中的1～2种和来自上述通式(I)表示的化合物的单体单元作为构成成分，式(II)中，R11表示氢原子或甲基；R12表示氢原子、碳原子数为1～18的烷基、碳原子数为1～10的羟基烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为7～13的芳烷基、碳原子数为2～9的烷氧基烷基、碳原子数为3～9的烷氧基烷氧基烷基、碳原子数为7～13的芳氧基烷基、碳原子数为5～7的吗啉基烷基、碳原子数为3～9的三烷基甲硅烷基、具有氧或不具有氧的碳原子数为6～10的脂环式烃基、碳原子数为3～9的二烷基氨基烷基、碳原子数为1～18的氟代烷基、或者碳原子数为1～6的N-亚烷基邻苯二甲酰亚胺基、下述通式(II-I)表示的基团、下述通式(II-II)表示的基团、下述通式(II-III)表示的基团，式(II-I)中，R15表示碳原子数为1～3的亚烷基；R16表示具有羟基作为取代基或无取代的苯基、或者碳原子数为1～3的烷基...

【专利技术属性】
技术研发人员：信太幸彦，金台燕，户塚智贵，高野和浩，
申请(专利权)人：和光纯药工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP