本发明专利技术公开了一种蒸镀材料清除装置及蒸镀装置。其中，该蒸镀材料清除装置包括：设置在蒸发源上方的挡板；控制所述挡板相对所述蒸发源进行水平方向移动和竖直方向移动的移位部件；设置在所述挡板上的电机部件；以及与所述电机部件连接并被所述电机驱动的清除部件，所述清除部件能够在蒸发源的出口阻塞有蒸镀材料时对所述蒸镀材料进行清理。通过本发明专利技术，达到了能够及时清除阻塞在蒸发源出口的有机材料，从而提高了晶振片上感知的薄膜厚度和基板上实际蒸镀的薄膜厚度的一致性的效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种蒸镀材料清除装置及蒸镀装置。
技术介绍
近年来，有机发光二极管(Organic Light Emitting D1de，简称为0LED)已经成为国内外非常热门的新兴平板显示器产品，同现今平板显示技术主流的LCD技术相比，OLED具有自发光、广视角(可达175°以上)、短反应时间(I μ S)、广色域、低工作电压(3-10V)、面板薄、易于做成柔性面板以及工作温度范围广等优势。虽然同其他显示技术相比，OLED技术尚显不够成熟，但是随着技术的不断发展，OLED有望成为未来的终极显示器。在OLED器件中，顶发光器件在色纯度、效率以及开口率等方面都明显优于底发光器件。但是，顶发光器件存在比较明显的微共振腔效应，在显示器件中如果微共振腔效应得不到适当的控制，会直接导致发光强度和颜色随着视角的改变而变化。下面简单介绍一下微共振腔效应。微共振腔效应是指器件组件内部的光学干扰。在OLED器件中，不论是顶发光器件还是底发光器件都有不同程度的微共振腔效应。微共振腔效应主要是指不同能态的光子密度被重新分配，使得只有特定波长的光在符合微共振腔模式后，才得以在特定的角度射出，因此光波的半宽高(FWHM)会变窄，不同角度的光强度和视觉效果也会不一样。对于底发射器件，由于阳极是透明的，具有很高的穿透性，所以微共振腔效应就不太明显。但对于顶发射器件，由于阳极是反射率很高的氧化铟锡(Indium-Tin Oxide，简称为ΙΤ0)膜/金属，阴极通常是半透明的金属薄膜，因此这种半透明阴极结构就会增加光的反射，从而在两电极之间形成多光子束的干涉(这种干涉现象属于广角干涉)，微共振腔效应就变得明显。在显示器件中，由于顶发光器件在效率、色纯度和开口率等方面的优势，所以在器件结构上的设计基本都采用顶发光结构，因此强烈的微共振腔效应会影响发光的强度和视角，显示器画面的颜色会随着视角的改变而发生变化。因此，在顶发光器件中，如何利用和控制好微共振腔效应就变成了一个十分重要的问题。而整个微共振腔的镀膜厚度是影响发光特性的关键，在使用坩祸对顶发光器件进行蒸镀以形成各有机层的过程中，由于阻塞在坩祸口部位的有机材料得不到及时清除，导致晶振片感知到的镀膜厚度与实际蒸镀的镀膜厚度并不一致，进而造成顶发光器件中的微共振腔的镀膜厚度准确性很低。所以，如何能够及时清除阻塞在坩祸口部位的有机材料，以提高微共振腔的镀膜厚度的精准性成为一个亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种能够及时清除阻塞在坩祸口部位的有机材料，以提高微共振腔的镀膜厚度的精准性的技术方案，旨在解决由于顶发光器件中的微共振腔的镀膜厚度准确性较低影响顶发光器件发光特性的技术问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种蒸镀材料清除装置，包括:设置在蒸发源上方的挡板；控制所述挡板相对所述蒸发源进行水平方向移动和竖直方向移动的移位部件；设置在所述挡板上的电机部件；以及与所述电机部件连接并被所述电机驱动的清除部件，所述清除部件能够在蒸发源的出口阻塞有蒸镀材料时对所述蒸镀材料进行清理。优选地，所述清除部件为钻头。优选地，所述钻头为圆锥形。优选地，所述圆锥形钻头的底面的直径范围为0.5cm至3cm。 优选地，所述直径与所述蒸发源的出口的直径相匹配。优选地，所述钻头的材料包括:陶瓷材料。优选地，所述蒸镀材料清除装置还包括:金属罩，设置在所述挡板的下表面上且围绕在所述电机部件和所述清除部件的外周，用于阻挡所述清除部件清除掉的蒸镀材料进入蒸镀腔体。本专利技术还提供了一种蒸镀装置，包括蒸镀腔体、位于所述蒸镀腔体中的蒸发源以及用于对所述蒸发源的出口形成打开或遮挡状态的小挡板，还包括:上述蒸镀材料清除装置。优选地，所述蒸镀装置还包括:监测部件，用于监测所述蒸镀腔体中是否出现蒸发源的出口被蒸镀材料阻塞的情况，在监测结果为是的情况下，启动所述蒸镀材料清除装置对被堵塞的蒸发源进行处理。优选地，所述蒸镀装置还包括:故障处理部件，用于检测所述小挡板的工作状态，在检测到所述小挡板发生故障的情况下，启动所述蒸镀材料清除装置对所述蒸发源的出口进行打开或遮挡操作。与现有技术相比，本专利技术所述的蒸镀材料清除装置及蒸镀装置，能够及时清除阻塞在蒸发源出口的有机材料，从而提高了晶振片上感知的薄膜厚度和基板上实际蒸镀的薄膜厚度的一致性，最终保证了 OLED器件微腔厚度的准确性。【附图说明】图1是根据本专利技术实施例的蒸镀材料清除装置的剖视示意图；图2是根据本专利技术实施例的蒸镀材料清除装置与小挡板相对于蒸发源出口的位置示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例主要目的在于提供一种技术方案，使用该技术方案，可以改善各有机层蒸镀膜厚的准确性，从而确保不同器件结构之间微腔膜厚调节的一致性。为达到上述目的，本专利技术实施例提供了一种蒸镀材料清除装置。请参考图1，图1是根据本专利技术实施例的蒸镀材料清除装置的剖视示意图，如图1所示，该蒸镀材料清除装置可以包括:设置在蒸发源上方的挡板I ;控制所述挡板I相对所述蒸发源进行水平方向移动和竖直方向移动的移位部件(未示出)；设置在所述挡板I上的电机部件(未示出)；以及与所述电机部件连接并被所述电机驱动的清除部件2，所述清除部件2能够在蒸发源的出口阻塞有蒸镀材料时对所述蒸镀材料进行清理。在实际应用中，该蒸镀材料清除装置可以是在对OLED蒸镀工艺中采用的小挡板(source shutter或small shutter)进行改进的基础上得到。在蒸镀工艺中，small shutter是蒸发源上部存在的一块不可或缺的挡板，只有当small shutter打开，使用加热源进行加热升温使有机材料达到一定温度被蒸发出来之后，QCM(石英晶体微天平)传感器上才能够检测到蒸发源的蒸发速率。目前，small shutter通常设置在蒸发源出口的上方一侧，在需要关闭蒸发源的情况下small shutter才会移动到蒸发源出口的正下方并遮盖住蒸发源出口以停止有机材料的蒸镀过程。在蒸镀过程中，这种现有的small shutter只能起到控制开闭蒸发源的作用。基于此，在本专利技术实施例中，可以在蒸发源出口的上方另一侧再设置一个smallshutter作为上述蒸镀材料清楚装置中的挡板，进而在该小挡板上设置上述电机部件和清除部件。也就是说，在本专利技术实施例中，在蒸发源上方的两侧设置有两个small shutter,其中一个为现有的，另一个即为用于设置电机部件和清除部件以构成上述蒸镀材料清除装置的挡板。此处，为了便于理解该两个small shutter与蒸发源(出口)的位置关系，请参考图2 (图2是根据本专利技术实施例的蒸镀材料清当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种蒸镀材料清除装置，其特征在于，包括：设置在蒸发源上方的挡板；控制所述挡板相对所述蒸发源进行水平方向移动和竖直方向移动的移位部件；设置在所述挡板上的电机部件；以及与所述电机部件连接并被所述电机驱动的清除部件，所述清除部件能够在蒸发源的出口阻塞有蒸镀材料时对所述蒸镀材料进行清理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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