绝缘性陶瓷糊料、陶瓷电子器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种绝缘性陶瓷糊料、陶瓷电子器件及其制造方法，能防止窄间距的端子电极间的焊料短路，并且在烧成工序时能抑制覆盖端子电极的一部分的绝缘体上产生裂纹。陶瓷电子器件包括：陶瓷多层基板(50)；端子电极(32a、33a)，该端子电极(32a、33a)形成在陶瓷多层基板(50)的表面；以及绝缘体陶瓷膜(34)，该绝缘体陶瓷膜(34)形成在陶瓷多层基板(50)的表面，并且被设置为覆盖端子电极(32a、33a)的一部分。绝缘体陶瓷膜(34)的表面露出部分(富钡长石晶体层)(34a)的热膨胀系数小于陶瓷多层基板(50)的热膨胀系数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及能防止窄间距的端子电极之间的焊料短路的绝缘性陶瓷糊料、陶瓷电 子器件及其制造方法。
技术介绍
以往，为了应对电子器件小型化的需求，已知有具备窄间距的端子电极的陶瓷电 子器件。然而，具备窄间距的端子电极的陶瓷电子器件被安装在印刷电路基板时，端子电极 之间容易经由焊料产生短路的问题。 因此，作为对策，专利文献1提出了在端子电极之间设置深10ym的槽的陶瓷模块 器件。该陶瓷模块器件利用槽使端子电极间的沿面距离变长，能防止端子电极之间经由焊 料的短路。 另外，专利文献2提出了端子电极的端部以向内层侧弯曲的状态进行埋设的陶瓷 多层基板。该陶瓷多层基板中，由于端子电极的端部被绝缘体覆盖，因此端子电极间的物理 距离变长，能防止端子电极之间经由焊料的短路。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本专利特开2005-108950号公报 专利文献2 :日本专利特开2005-286303号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题 然而，伴随着电子器件的进一步小型化，专利文献1的陶瓷模块器件存在端子电 极间的空间变窄，槽难以形成的问题。 另外，专利文献2的陶瓷多层基板在烧成工序冷却时，由于端子电极的冷却收缩 而被拉伸。因此，在覆盖端子电极的端部的绝缘体的部分产生裂纹，由于该裂纹的影响产生 端子电极剥离等问题。若为了防止该裂纹产生，而使覆盖端子电极的端部的绝缘体的厚度 变厚，则妨碍了陶瓷多层基板的薄板化。 因此，本专利技术的目的在于提供一种能防止窄间距的端子电极间的焊料短路，并且 在烧成工序时能抑制在覆盖端子电极的一部分的绝缘体上产生裂纹的绝缘性陶瓷糊料、陶 瓷电子器件及其制造方法。 解决技术问题所采用的技术方案 本专利技术是陶瓷电子器件，其特征在于，包括：陶瓷多层基板；多个端子电极，该多 个端子电极形成在陶瓷多层基板的表面；以及绝缘体陶瓷膜，该绝缘体陶瓷膜形成在陶瓷 多层基板的表面，并且被设置为至少覆盖端子电极的一部分，绝缘体陶瓷膜的表面露出部 分的热膨胀系数小于陶瓷多层基板的热膨胀系数。 另外，本专利技术中，优选地，绝缘体陶瓷膜设置在多个端子电极之间，形成为覆盖各 端子电极的一部分。 本专利技术中，由于绝缘体陶瓷膜被设置为至少覆盖端子电极的一部分，因此端子电 极间的物理距离增长，能防止端子电极之间经由焊料的短路。另外，绝缘体陶瓷膜形成在多 个端子电极之间，能更可靠地防止端子电极之间经由焊料的短路。 进一步地，由于绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的热膨胀系数小于陶瓷多层基板的 热膨胀系数，因此在烧成工序冷却时，绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的收缩量变小。由此， 压缩应力作用于绝缘体陶瓷膜的表面露出部分。结果，绝缘体陶瓷膜难以由于端子电极的 冷却收缩而被拉伸，在端子电极上的绝缘体陶瓷膜的部分难以产生裂纹。 另外，本专利技术中，优选地，绝缘体陶瓷膜包含钡长石晶体，与绝缘体陶瓷膜接触陶 瓷多层基板以及端子电极的部分的钡长石晶体的量相比，绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的 钡长石晶体的量比较多。 本专利技术中，热膨胀系数小的钡长石晶体相对较多地存在于绝缘体陶瓷膜的表面露 出部分的情况下，在端子电极上的绝缘体陶瓷膜的部分难以产生裂纹。 另外，本专利技术是陶瓷电子器件的制造方法，其特征在于，包括：在外层用陶瓷生片 的表面由导电性糊料形成端子电极的工序；在内层用陶瓷生片的表面由导电性糊料形成内 部电极的工序；形成未烧成的层叠体的工序，该未烧成的层叠体具有的结构为：外层用陶 瓷生片和内层用陶瓷生片层叠，在多个内层用陶瓷生片相互之间的界面上设置内部电极， 并且在外层用陶瓷生片的表面上设置端子电极；由绝缘性陶瓷糊料形成绝缘体陶瓷膜，将 形成在未烧成的层叠体表面的端子电极的至少一部分覆盖的工序；以及烧成未烧成的层叠 体得到烧结层叠体的工序，绝缘性陶瓷糊料至少含有：骨料；含有BaO成分的玻璃；以及含 有A1成分的无机物，并且含有BaO成分的玻璃的BaO含有量为20~30mol%，若设骨料、含 有A1成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃的总计含有量为100体积％，则（a)骨料的含 有量a为50. 0体积％fa5 70. 2体积％，（b)含有A1成分的无机物的含有量b为3. 0体 积％兰b兰18. 0体积％，（c)含有BaO成分的玻璃的含有量c为25. 0体积％兰c兰37. 0 体积％。 作为骨料的材料，优选地采用镁橄榄石。另外，作为含有A1成分的无机物的材料，例如 采用氧化铝或堇青石。 本专利技术中，烧成工序时，与绝缘体陶瓷膜接触陶瓷多层基板以及端子电极的部分 的钡长石晶体的量相比，绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的钡长石晶体形成的量比较多。由 此，能以优良的量产性制造出绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的热膨胀系数小于陶瓷多层基 板的热膨胀系数的陶瓷电子器件。 另外，本专利技术是绝缘性陶瓷糊料，其特征在于，至少含有：骨料、含有A1成分的无 机物、含有BaO成分的玻璃以及溶剂，含有BaO成分的玻璃的BaO含有量为20~30mol%， 若设骨料、含有A1成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃的总计含有量为100体积％，则 (a)骨料的含有量a为50. 0体积％fa5 70. 2体积％，（b)含有A1成分的无机物的含有 量b为3. 0体积％fb5 18. 0体积％，（c)含有BaO成分的玻璃的含有量c为25. 0体积％ 兰c兰37. 0体积％。 作为骨料的材料，优选地采用镁橄榄石。另外，作为含有A1成分的无机物的材料，例如 采用氧化铝或堇青石。 烧成本专利技术的绝缘性陶瓷糊料，则钡长石晶体相对较多地形成在表面露出部分， 得到表面露出部分的热膨胀系数较小的绝缘体陶瓷。 专利技术效果 根据本专利技术，烧成工序时，能抑制在绝缘体陶瓷膜产生裂纹，抑制端子电极的剥 离，并且能抑制端子电极间的焊料短路。 通过参照附图对用于实施以下专利技术的方式进行说明，将使本专利技术的上述目的、其 它目的、特征以及优点进一步明确。【附图说明】 图1是表示本专利技术涉及的陶瓷电子器件的第一实施方式的平面图。 图2是图1的II-II剖面图。 图3是表示本专利技术涉及的陶瓷电子器件的第二实施方式的平面图。 图4是表示本专利技术涉及的陶瓷电子器件的第三实施方式的平面图。 图5是表示本专利技术涉及的陶瓷电子器件的第四实施方式的平面图。 图6是用于说明图5所示的陶瓷电子器件的制造方法的剖面图。 图7是表不镁橄榄石、氧化错和含有BaO成分的玻璃的三种成分含有量的相关关系的 三角图。 图8是表不镁橄榄石、堇青石和含有BaO成分的玻璃的三种成分含有量的相关关系的 三角图。【具体实施方式】 对本专利技术涉及的的实施方式进行说 明。 1.第一实施方式 图1是表示第一实施方式的陶瓷电子器件1的平面图，图2是其垂直剖面图。陶瓷电 子器件1大致由陶瓷多层基板2、端子电极4、5、绝缘体陶瓷膜6以及过孔8、9构成。 当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷电子器件，其特征在于，包括：陶瓷多层基板；多个端子电极，该多个端子电极形成在所述陶瓷多层基板的表面；以及绝缘体陶瓷膜，该绝缘体陶瓷膜形成在所述陶瓷多层基板的表面，并且被设置为至少覆盖所述端子电极的一部分，所述绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的热膨胀系数小于所述陶瓷多层基板的热膨胀系数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：若木纯代，鹫见高弘，冈隆宏，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP