低电压LED芯片及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种低电压LED芯片及其制造方法，涉及LED芯片制造技术领域。包括P电极、N电极和N电极引线，所述的P电极位于芯片中心，P电极中心与芯片中心重合；所述的N电极引线呈口字型分布在芯片上表面四周；所述的N电极为扇形，N电极中心与芯片顶点重合。能够解决传统手指型引线导致的电压与亮度相互影响的问题。使用闭合式的口字型引线取代传统的手指型引线，能够降低同一方向上电流密度，使电流最大限度的扩展开，从而达到降低电压而不影响亮度的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED芯片制造
，具体涉及一种低电压LED芯片及其制造方法。
技术介绍
随着当今电子技术和电子产业的发展，LED照明设备已经被广泛的应用于人们的生活和生产中，同时LED照明设备因其低能耗、环保，控制方便等优点，具有极好的市场前景。现在阶段，在全球追求健康，环保压力，能源危机极大的情况下，半导体照明已被世界公认为一种健康节能环保的重要途径，正以更快的速度拓展其应用范围。长期以来，国内外学者都不断提出各种方案，国内外一些科研院所和公司也对此进行大量研究和实验，取得了一些成果。常见的中大功率LED芯片的引线一般为手指型，在小尺寸芯片的制造过程中，亮度和电压是一对矛盾体，即想要降低电压必须增加电极引线，增加引线会使芯片亮度降低；反之，减少引线电压又会升高。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种低电压LED芯片及其制造方法，能够解决传统手指型引线导致的电压与亮度相互影响的问题。为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现:一种低电压LED芯片，包括P电极、N电极和N电极引线。所述的P电极为圆形，其中心与芯片中心重合；所述的N电极引线呈口字型分布在芯片上表面四周；所述的N电极为扇形，N电极中心与芯片顶点重合。其中，所述的P电极半径为15 μπι-20 μπι。其中，所述的N电极扇形的角度为90度，扇形半径为15μηι-20μηι。其中，所述的N电极的中心与芯片四个顶点中任一顶点重合。其中，所述的N电极引线宽度为2 μm-3 μm。一种低电压LED芯片制造方法，包括以下步骤:S1:根据待加工芯片尺寸设计光罩；S2:根据待加工芯片尺寸调整待加工P电极、N电极和N电极引线尺寸；S3:对待加工芯片进行Mesa光刻；S4:对待加工芯片进行ITO蚀刻；S5:对待加工芯片进行Pad光刻。本专利技术提供了一种低电压LED芯片及其制造方法，使用闭合式的口字型引线取代传统的手指型引线，能够降低同一方向上电流密度，使电流最大限度的扩展开，从而达到降低小尺寸版型LED芯片电压而不影响亮度的目的。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术的俯视结构示意图。图中1、P电极，2、N电极，3、口字型引线。【具体实施方式】为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本专利技术实施例所述的一种低电压LED芯片，包括P电极1、N电极2和N电极引线3。所述的P电极I位于芯片中心，P电极I中心与芯片中心重合；所述的N电极引线3呈口字型分布在芯片上表面四周；所述的N电极2为扇形，N电极2中心与芯片顶点重合。在小尺寸芯片版图设计时，将N电极引线3设计为围绕P电极I的闭合式口字型引线，这样N电极引线3足够长且不占用发光面。通过使用闭合式的口字型引线取代传统的手指型引线，使电流最大限度的扩展开，从而降低小尺寸版型LED芯片电压。其中，所述的P电极半径为15 μ m-20 μ m。所述的N电极扇形角度为90度，扇形半径为15μπι-20μπι，Ν电极中心可与芯片四个顶点中任一顶点重合。所述的N电极引线宽度为2 μπι-3 μπι。能够适应不同尺寸的芯片从而增加产品的适用面。—种低电压LED芯片制造方法，包括以下步骤:S1:根据待加工芯片尺寸设计光罩；S2:根据待加工芯片尺寸调整待加工P电极、N电极和N电极引线尺寸；S3:对待加工芯片进行Mesa光刻；S4:对待加工芯片进行ITO蚀刻；S5:对待加工芯片进行Pad光刻。综上所述本专利技术提供的一种低电压LED芯片及其制造方法，能够解决传统手指型引线导致的电压与亮度相互影响的问题。使用闭合式的口字型引线取代传统的手指型引线，能够降低同一方向上电流密度，使电流最大限度的扩展开，与无引线、手指型引线相比电压降低0.1V-0.2V，从而达到降低电压而不影响亮度的目的。需要说明的是，在本文中术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本专利技术各实施例技术方案的精神和范围。【主权项】1.一种低电压LED芯片，包括P电极、N电极和N电极引线，其特征在于:所述的P电极为圆形，其中心与芯片中心重合；所述的N电极引线呈口字型分布在芯片上表面四周；所述的N电极为扇形，N电极中心与芯片顶点重合。2.如权利要求1所述的低电压LED芯片，其特征在于:所述的P电极半径为15 μ m-20 μ m。3.如权利要求1所述的低电压LED芯片，其特征在于:所述的N电极扇形角度为90度，扇形半径为15 μ m-20 μ m。4.如权利要求1和3所述的低电压LED芯片，其特征在于:所述的N电极的中心与芯片四个顶点中任一顶点重合。5.如权利要求1所述的低电压LED芯片，其特征在于:所述的N电极引线宽度为2 μ m-3 μ m。6.一种低电压LED芯片制造方法，其特征在于包括以下步骤: 51:根据待加工芯片尺寸设计光罩； 52:根据待加工芯片尺寸调整待加工P电极、N电极和N电极引线尺寸； 53:对待加工芯片进行Mesa光刻； 54:对待加工芯片进行ITO蚀刻； 55:对待加工芯片进行Pad光刻。【专利摘要】本专利技术公开一种低电压LED芯片及其制造方法，涉及LED芯片制造
包括P电极、N电极和N电极引线，所述的P电极位于芯片中心，P电极中心与芯片中心重合；所述的N电极引线呈口字型分布在芯片上表面四周；所述的N电极为扇形，N电极中心与芯片顶点重合。能够解决传统手指型引线导致的电压与亮度相互影响的问题。使用闭合式的口字型引线取代传统的手指型引线，能够降低同一方向上电流密度，使电流最大限度的扩展开，从而达到降低电压而不影响亮度的目的。【IPC分类】H01L33/62, H01L33/00, H01L33/38【公开号】CN105047781【申请号】CN201510341388【专利技术人】吴化胜, 刘莉, 宣圣柱, 严贞贞 【申请人】合肥彩虹蓝光科技有限公司【公开日】2015年11月11日【申请日】2015年6月18日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电压LED芯片，包括P电极、N电极和N电极引线，其特征在于：所述的P电极为圆形，其中心与芯片中心重合；所述的N电极引线呈口字型分布在芯片上表面四周；所述的N电极为扇形，N电极中心与芯片顶点重合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴化胜，刘莉，宣圣柱，严贞贞，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34