一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，步骤如下：①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜；②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜；③在保护膜上涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版；④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形；⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形；⑥依次去除光刻胶和保护膜，得到最终所需的NiCr图形。本发明专利技术中，保护膜与NiCr薄膜形成紧密的接触，从而能防止产生过刻蚀，刻蚀的图形边缘清晰无毛边，均匀性良好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属湿法刻蚀
，具体涉及一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工-H- O
技术介绍
申请号为201010286212.2的中国专利提出了一种用于MEMS结构制备的金属湿法刻蚀装置及刻蚀工艺，获得了 6寸硅片内均匀且过刻蚀较小的NiCr图形。但是当NiCr薄膜厚度较大时所获得的NiCr图形仍不理想:由于浸泡在NiCr刻蚀液时间较长，导致NiCr线条严重过刻，边缘发毛；而片面均匀性也随着腐蚀时间加长而下降，边缘区域NiCr线条明显较中间区域NiCr线条偏窄。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题是如何提供一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，解决湿法刻蚀较厚的NiCr时容易出现过刻蚀、边缘发毛的问题。本专利技术所提出的技术问题是这样解决的: 光刻前采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr合金薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的薄膜，该薄膜在NiCr刻蚀过程中与光刻胶一道对NiCr薄膜形成良好的保护。一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，步骤如下: ①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜； ②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护月吴； ③在保护膜上涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版； ④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形； ⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形； ⑥依次去除光刻胶和保护膜，得到最终所需的NiCr图形。进一步地，所述保护膜为氮化硅薄膜。进一步地，氮化娃薄膜厚度为20_100nmo本专利技术的有益效果: 在NiCr厚度较大时，采用以上改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺可获得过刻较小，且均匀性良好的刻蚀图形。本专利技术中，保护膜与NiCr薄膜形成紧密的接触，从而能防止产生过刻蚀，刻蚀的图形边缘清晰无毛边，均匀性良好。【附图说明】图1为本专利技术的工艺流程示意图； 图2为采用本工艺刻蚀后的图形； 图3为只采用氮化硅保护刻蚀后的图形； 图4为传统的只用光刻胶保护刻蚀后的图形； 图中附图标记为:1-硅片，2-NiCr薄膜，3-保护膜，4-光刻胶。【具体实施方式】实施例下面结合实施例对本专利技术作进一步描述: 1.采用磁控溅射工艺在6寸硅片I上制备120nm NiCr薄膜2。2.采用等离子增强化学气相沉积工艺制备50nm氮化硅保护膜3。图1中a为以上两步工艺后的不意图。3.涂覆光刻胶4，采用标准光刻工艺获得如图1中的b所示图形。4.采用反应离子刻蚀工艺刻蚀氮化硅保护膜3后得到如图1中的c所示图形。5.采用专利201010286212.2所述装置和工艺刻蚀NiCr薄膜2，得到图1中的d所示图形。6.采用标准去胶工艺去除光刻胶4 ;采用步骤4所述反应离子刻蚀工艺去除氮化硅保护膜3，得到图1中的e所示图形。7.依次采用丙酮、乙醇及去离子水对基片进行超声清洗。至此工艺结束。刻蚀完的图形如图2所示，采用光刻胶加氮化硅保护，过刻蚀很小，边缘整齐。图3为采用只有50nm氮化硅保护刻蚀后的图形，从图中看出，虽然无发毛现象，但是过刻蚀仍然比较厉害，且边缘呈锯齿。图4为采用传统的光刻胶保护后刻蚀的图形，从图中看出，过刻蚀严重，且边缘发毛，均匀性差。以上所述实施例仅表达了本申请的【具体实施方式】，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请技术方案构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。【主权项】1.一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，其特征在于，步骤如下: ①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜； ②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护月吴； ③在保护膜上涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版； ④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形； ⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形； ⑥依次去除光刻胶和保护膜，得到最终所需的NiCr图形。2.根据权利要求1所述的一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，其特征在于，所述保护膜为氮化硅薄膜。3.根据权利要求1所述的一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，其特征在于，氮化娃薄膜厚度为20-100nmo【专利摘要】本专利技术公开了一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，步骤如下：①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜；②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜；③在保护膜上涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版；④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形；⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形；⑥依次去除光刻胶和保护膜，得到最终所需的NiCr图形。本专利技术中，保护膜与NiCr薄膜形成紧密的接触，从而能防止产生过刻蚀，刻蚀的图形边缘清晰无毛边，均匀性良好。【IPC分类】C23F1/02【公开号】CN105039984【申请号】CN201510375495【专利技术人】黎威志, 吴志明, 赵晖, 谢骞, 蒋亚东 【申请人】电子科技大学【公开日】2015年11月11日【申请日】2015年6月30日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，其特征在于，步骤如下：①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜；②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜；③在保护膜上涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版；④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形；⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形；⑥依次去除光刻胶和保护膜，得到最终所需的NiCr图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黎威志，吴志明，赵晖，谢骞，蒋亚东，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51