薄膜晶体管及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，所述薄膜晶体管包括金属电极，形成所述金属电极的步骤包括：在衬底基板上形成第一材料层；对所述第一材料层进行图形化处理，在所述第一材料层上形成沟槽图形，所述沟槽图形与待形成的金属电极的图形相匹配；在所述沟槽图形中形成所述金属电极，使所述金属电极的边缘与所述沟槽图形的边缘之间具有间隙；在形成有所述金属电极的基板上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述金属电极及其边缘。本发明专利技术制作得到的金属电极上具有保护图形，起到有效保护导电金属的作用。与现有技术相比，本发明专利技术中金属电极的边缘突出并附着于衬底基板上，不会出现边缘内凹的情况，能够减少各种显示不良情况的发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、以及包括该薄膜晶体管的显示面板。
技术介绍
液晶显示面板和有机发光二极管显示面板中均包含大量的薄膜晶体管开关，薄膜晶体管中的电极通常采用金属来制作。在现有的制作工艺中，金属层在刻蚀过程中容易在图形的边缘处缩进，形成内凹的结构，凹进的部位在后续制程中会形成隐患，常常会引发上下两层金属层之间发生短路，从而导致各种显示不良现象发生。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，解决现有技术中金属图形边缘内凹而导致的短路等不良情况。为解决上述技术问题，作为本专利技术的第一个方面，提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括金属电极，所述制作方法包括形成所述金属电极的步骤，形成所述金属电极的步骤包括:在衬底基板上形成第一材料层；对所述第一材料层进行图形化处理，在所述第一材料层上形成沟槽图形，所述沟槽图形与待形成的金属电极的图形相匹配；在所述沟槽图形中形成所述金属电极，使所述金属电极的边缘与所述沟槽图形的边缘之间具有间隙；在形成有所述金属电极的基板上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述金属电极及其边缘。优选地，在形成有所述金属电极的基板上形成保护图形的步骤包括:在形成有所述金属电极的基板上形成保护层；对所述保护层进行加热，使所述保护层位于所述间隙中的部分断裂，形成覆盖所述金属电极及其边缘的第一部分和覆盖所述第一材料层的第二部分；去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分，得到覆盖所述金属电极及其边缘的保护图形。优选地，所述第一材料层的材料能够溶于含氟溶剂，对所述第一材料层进行图形化处理的步骤包括:在所述第一材料层上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光和显影，以形成掩膜图形，所述掩膜图形包括与待形成的金属电极的图形相一致的缺口 ；使用含氟溶剂对所述第一材料层上未被所述掩膜图形覆盖的部分进行清洗，形成所述沟槽图形。优选地，在所述沟槽图形中形成所述金属电极的步骤包括:沉积金属层，使所述金属层的一部分位于所述沟槽图形中，另一部分位于所述掩膜图形上；剥离所述掩膜图形及位于其上的金属。优选地，去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分的步骤包括:使用含氟溶剂对所述第一材料层进行清洗，以去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分。优选地，制作所述保护图形的材料包括钼、铌、钛中的任意一种或上述金属的合金。优选地，制作所述金属电极的金属包括铜或铜的合金。优选地，所述金属电极包括栅极。优选地，所述金属电极包括源极和漏极。作为本专利技术的第二个方面，还提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括金属电极，所述金属电极上设置有保护图形，所述保护图形覆盖所述金属电极及其边缘。优选地，制作所述保护图形的材料包括钼、铌、钛中的任意一种或上述金属的合金。优选地，制作所述金属电极的材料包括铜或铜的合金。作为本专利技术的第三个方面，还提供一种显示面板，所述显示面板包括本专利技术所提供的上述薄膜晶体管。本专利技术通过在第一材料层上形成沟槽图形，并在沟槽图形中沉积金属电极，利用沟槽图形边缘与金属电极边缘之间的间隙，沉积保护层材料，制作得到覆盖金属电极及其边缘的保护图形，起到有效保护导电金属的作用。相较于现有的对金属层刻蚀以形成金属电极的制作方法，本专利技术中的金属电极的边缘将突出并附着于衬底基板上，而不会出现边缘内凹的情况，应用于显示面板中，能够减少各种显示不良情况的发生。【附图说明】附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。图1是本专利技术实施例所提供的制作方法的流程图；图2a_图2h是本专利技术实施例中的薄膜晶体管的制作过程示意图。在附图中，1-衬底基板；2_第一材料层；21_沟槽图形；3_光刻胶层；31_掩膜图形；4_金属电极；5_保护层；51_保护图形。【具体实施方式】以下结合附图对本专利技术的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。本专利技术首先提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括金属电极，所述制作方法包括形成所述金属电极的步骤，如图1所示，形成所述金属电极的步骤包括:在衬底基板上形成第一材料层；对所述第一材料层进行图形化处理，在所述第一材料层上形成沟槽图形，所述沟槽图形与待形成的金属电极的图形相匹配；在所述沟槽图形中形成所述金属电极，使所述金属电极的边缘与所述沟槽图形的边缘之间具有间隙；在形成有所述金属电极的的基板上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述金属电极及其边缘。本专利技术通过在第一材料层上形成沟槽图形，并在沟槽图形中沉积金属电极，利用沟槽图形边缘与金属电极边缘之间的间隙，沉积保护层材料，制作得到覆盖金属电极及其边缘的保护图形，起到有效保护导电金属的作用。相较于现有的对金属层刻蚀以形成金属电极的制作方法，本专利技术中的金属电极的边缘将突出并附着于衬底基板上，而不会出现边缘内凹的情况，应用于显示面板中，能够减少各种显示不良情况的发生。在本专利技术中，所述第一材料层可以采用涂覆工艺进行制作，所述金属电极和所述保护图形可以采用沉积工艺进行制作。其中，形成保护图形的步骤具体包括:在形成有所述金属电极的基板上形成保护层；对所述保护层进行加热，使所述保护层位于所述间隙中的部分断裂，形成覆盖所述金属电极及其边缘的第一部分和覆盖所述第一材料层的第二部分；去除所述第一材料层及位于其上的保护层的第二部分，得到覆盖所述金属电极及其边缘的保护图形。优选地，制作所述保护图形的材料包括钼、铌、钛中的任意一种或上述金属的合金。所述保护层起到表面抗氧化层的作用。对所述保护层进行加热时，可以将完成保护层的基板置于烤箱中，烤箱温度设置为上述金属相对应的锻造温度，以使得所述保护层能够在所述间隙处发生断裂。优选地，所述第一材料层的材料能够溶于含氟溶剂，对所述第一材料层进行图形化处理的步骤包括:在所述第一材料层上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光和显影，以形成掩膜图形，所述掩膜图形包括与待形成的金属电极的图形相一致的缺口 ；使用含氟溶剂对所述第一材料层上未被所述掩膜图形覆盖的部分进行清洗，形成所述沟槽图形。这里的含氟溶剂可以是含N2-基团的氟基溶剂。需要说明的是，由于所述第一材料层与所述光刻胶层相接触，所述第一材料层的材料还应具有抗剥离工艺的特性，也就是说，在去除残留的光刻胶时，第一材料层可以保留。进一步地，在所述沟槽图形中形成所述金属电极的步骤包括:沉积金属层，使所述金属层的一部分位于所述沟槽图形中，另一部分位于所述掩膜图形上；剥离所述掩膜图形及位于其上的金属。此处剥离所述掩膜图形的步骤可以采用清洗光刻胶的工当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括金属电极，所述制作方法包括形成所述金属电极的步骤，其特征在于，形成所述金属电极的步骤包括：在衬底基板上形成第一材料层；对所述第一材料层进行图形化处理，在所述第一材料层上形成沟槽图形，所述沟槽图形与待形成的金属电极的图形相匹配；在所述沟槽图形中形成所述金属电极，使所述金属电极的边缘与所述沟槽图形的边缘之间具有间隙；在形成有所述金属电极的基板上形成保护图形，所述保护图形覆盖所述金属电极及其边缘。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙宏达，宋泳锡，方金钢，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11