【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于堆栈式硅晶互连技术产物的无基板插入物技术
本案所说明的具体实施例为概略关于堆栈式硅晶互连技术(SSIT)产物,并且尤其是关于一种用于SSIT产物的无基板插入物技术。
技术介绍
硅晶堆栈式互连技术(SSIT)牵涉到将多个集成电路(IC)晶粒封装于一单一封装中,而此封装含有一插入物和一封装基板。运用SSIT可令像是FPGA的IC产物延展至更高的密度、更低的功率、更强的功能性以及应用特定平台解决方案而拥有低成本与快速上市时间的优点。传统上,SSIT产物是利用插入物所实作,其包含一插入物基板层,而在该插入物基板层的顶部上建构有多个穿透硅质通道(TSV)和额外的金属化层。该插入物可提供IC晶粒与该封装基板之间的连接。然而,制造用于SSIT产物而具有TSV的插入物基板层会是一项复杂的制程。其原因在于需进行多项制造步骤方可构成具有TSV的插入物基板层,这些步骤包含:在该插入物基板层中构成TSV,执行背侧薄化处理以及化学汽相沉积(CVD)或化学机械平面化(CMP),并且提供薄化晶圆处置。因此,对于某些应用项目来说,可能并不希望构成包含一拥有具穿透硅质通道(TSV)的插入物基板层的插入物的SSIT产物。
技术实现思路
一种用于堆栈式硅晶互连技术(SSIT)产物的无基板插入物,其包含:多个金属化层,该金属化层的至少一最底层含有多个金属节段,其中每一个该多个金属节段是构成于该金属化层的最底层的顶部表面与底部表面之间,并且该金属节段是由该最底层中的介电材料所分隔;以及一介电层,其是经构成于该最底层的底部表面上,其中该介电层含有一或更多开口以供接触于该最底层中的多个金属节段的至少一 ...
【技术保护点】
一种用于堆栈式硅晶互连技术(SSIT)产物的无基板插入物,其包括:多个金属化层,该金属化层的至少一最底层包括多个金属节段,其中每一个该多个金属节段是构成于该金属化层的最底层的顶部表面与底部表面之间,并且该金属节段是由该最底层中的介电材料所分隔;以及介电层,其是经构成于该最底层的底部表面上,其中该介电层包括一或更多开口以供接触于该最底层的多个金属节段。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.03.08 US 13/791,8191.一种用于堆栈式硅晶互连技术(SSIT)产物的无基板插入物,其包括:多个金属化层,该金属化层的至少一最底层包括多个金属节段,其中该多个金属节段的每一个是构成于该金属化层的该最底层的顶部表面与底部表面之间,并且该多个金属节段是由该最底层中的介电材料所分隔;介电层,其是经构成于该最底层的该底部表面上,其中该介电层包括一或更多开口以供接触于该最底层中的多个金属节段的至少一些;钝化层,其具有一或更多开口,该开口在空间上是对应于该介电层处的该一或更多开口,其中该钝化层是构成于该介电层上;以及凸块下金属层,其经由该钝化层中的该一或更多开口接触于该最底层中的该多个金属节段的至少一些,该凸块下金属层构成于该最底层上且覆盖该钝化层的一部分。2.如权利要求1所述的无基板插入物,其中该多个金属节段包括铜。3.如权利要求1所述的无基板插入物,其中该无基板插入物是经组态设定以支撑该金属化层的最顶层的顶部表面上的多个IC晶粒。4.如权利要求3所述的无基板插入物,其中该多个IC晶粒包括异质性IC晶粒。5.如权利要求3所述的无基板插入物,其中该多个IC晶粒包括同构型IC晶粒。6.如权利要求3所述的无基板插入物,其中在该金属化层的该最底层中的該多个金属节段的不同群组是分别地对应于多个IC晶粒。7.如权利要求6所述的无基板插入物,其中该多个金属节段的不同群组具有不同的个别节段密度。8.如权利要求1所述的无基板插入物,其中该多个金属化层的每一个包括多个金属节段,并且在该金属化层的其中一者的多个金属节段不同于在该金属化层的另一者的多个金属节段。9.一种用于堆栈式硅晶互连技术(SSIT)产物的无基板插入物,其包括:多个金属化层,该金属化层的至少一最底层包括多个金属节段,其中该多个金属节段的每一个是构成于该金属化层的该最底层的顶部表面与底部表面之间,并且该多个金属节段是由该最底层中的介电材料所分隔;介电层,其是经构成于该最底层的该底部表面上,其中该介电层包括一或更多开口以供接触于该最底层中的多个金属节段的至少一些;钝化层,其构成于该介电层上且具有在空间上是对应于该介电层处的该一或更多开口的一或更多开口;凸块下金属层,其经由于该钝化层中构成的该一或更多开口接触该多个金属节段的该至少一些,该凸块下金属层构成于该最底层上且覆盖该钝化层的一部分;其中该无基板插入物是经组态设定以支撑该金属化层的最顶层的顶部表面上的多个IC晶粒;以及其中在该金属化层的该最底层中的該多个金属节段的不同群组是分别地对应于多个IC晶粒。...
【专利技术属性】
技术研发人员:权云星,苏芮戌·瑞玛林嘉,金纳胡,金重浩,
申请(专利权)人:吉林克斯公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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