MEMS传感器的封装结构及封装方法技术

本申请提供了一种MEMS传感器的封装结构及封装方法，所述封装结构包括：氮化硅陶瓷基座，用于固定MEMS传感器芯片；内部焊盘，位于所述氮化硅陶瓷基座上表面，与MEMS传感器芯片的信号输出端相连；外部焊盘，位于所述氮化硅陶瓷基座下表面；内部电路，用于连接所述内部焊盘和外部焊盘；金属盖，固定于所述氮化硅陶瓷基座的上表面。本申请实现了有效的减小封装热应力对MEMS传感器器件性能造成的影响，从而改善传感器整体性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及元器件封装
，尤其涉及一种MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)传感器的封装结构及封装方法。
技术介绍
MEMS(微机械系统)是在传统集成电路技术上发展而来的一门新兴技术，通过制作微米纳米尺度的机械结构来实现感知或执行功能。由于其大小与常规的毫米或者厘米的功能模块之间存在很大的差异，因此需要通过封装来实现电信号在不同尺度的模块间的相互传递，在实现信号传输的过程中，封装本身要尽可能减小对MEMS芯片的影响，同时还要保护MEMS芯片不受外部环境干扰因素的影响。传统的MEMS传感器芯片的封装主要有：采用金属材料进行封装、采用陶瓷材料进行封装和采用塑料材料进行封装三种方式。其中，陶瓷封装由于其导热性能好，气密性好等优点被广泛使用。由于MEMS传感器器件的核心功能由其内部的微小可动部件来实现，因此封装时必须考虑封装引起的应力对传感器的器件性能造成的影响。现在主流的MEMS传感器芯片大多由硅材料制成，而传统的陶瓷封装方式中所采用的陶瓷多为氧化铝、氮化铝，该材料与MEMS传感器芯片的材料(硅)的热膨胀系数差别较大，当封装时或封装后的器件温度发生变化时，不同材料的收缩或膨胀程度不同，由此产生的应力失配就会导致MEMS传感器芯片的封装管壳以及MEMS芯片本身发生变形，进而影响MEMS传感器芯片器件性能，甚至直接导致MEMS传感器芯片器件失效。r>因此需要找到一种新的封装方法来解决封装所带来的热应力问题。
技术实现思路
本申请解决的技术问题之一是提供一种MEMS传感器的封装结构及封装方法，减小封装热应力对MEMS传感器器件性能造成的影响。根据本申请一方面的一个实施例，提供了一种MEMS传感器的封装结构，包括：氮化硅陶瓷基座，用于固定MEMS传感器芯片；内部焊盘，位于所述氮化硅陶瓷基座上表面，与MEMS传感器芯片的信号输出端相连；外部焊盘，位于所述氮化硅陶瓷基座下表面；内部电路，用于连接所述内部焊盘和外部焊盘；金属盖，固定于所述氮化硅陶瓷基座的上表面。可选地，所述氮化硅陶瓷基座包括至少一层氮化硅陶瓷基板。可选地，所述氮化硅陶瓷基板的厚度范围为0.1～1mm。可选地，所述氮化硅陶瓷基板的厚度为0.64mm。可选地，所述氮化硅陶瓷基座上表面或上下表面设置有图形化的金属铜层。可选地，所述金属铜层厚度范围为0.02～0.3mm。可选地，所述金属铜层厚度为0.1mm。可选地，所述金属铜层上依次设置有金属镍层和金层。可选地，所述金属盖的材料为可伐合金。可选地，所述内部电路包括：各层氮化硅陶瓷基板内部的金属通孔和氮化硅陶瓷基板表面的功能性电路。可选地，所述功能性电路包括如下功能中的至少一种：信号转换功能、信号调理功能、控制回路功能、电源电路功能。根据本申请另一方面的一个实施例，提供了一种MEMS传感器的封装方法，包括：提供氮化硅陶瓷基座，所述氮化硅陶瓷基座上表面具有一内部焊盘，氮化硅陶瓷基座下表面具有一外部焊盘，所述内部焊盘与外部焊盘通过内部电路连接；将MEMS传感器芯片固定在所述氮化硅陶瓷基座的上表面；连接MEMS传感器芯片信号输出端与氮化硅陶瓷基座上表面的内部焊盘；将金属盖固定在氮化硅陶瓷基座上，使得MEMS传感器芯片被封装在由所述氮化硅陶瓷基座和所述金属盖组成的壳体内部。可选地，所述氮化硅陶瓷基座包括至少一层氮化硅陶瓷基板。可选地，所述氮化硅陶瓷基板的厚度范围为0.1～1mm。可选地，所述氮化硅陶瓷基板的厚度为0.64mm。可选地，所述氮化硅陶瓷基座上表面或上下表面设置有图形化的金属铜层。可选地，所述金属铜层厚度范围为0.02～0.3mm。可选地，所述金属铜层厚度为0.1mm。可选地，在所述金属铜层上依次设置有金属镍层和金层。可选地，通过贴片胶粘接或者焊料焊接的方式将MEMS传感器芯片固定在所述氮化硅陶瓷基座的上表面。可选地，所述金属盖的材料为可伐合金。可选地，通过引线键合的方式来连接MEMS传感器芯片信号输出端与氮化硅陶瓷基座上表面的内部焊盘。可选地，所述MEMS传感器芯片为硅材料制作的惯性传感器，包括：加速度计或陀螺仪。可选地，将MEMS传感器芯片固定在所述氮化硅陶瓷基座的上表面包括：将MEMS传感器芯片固定在所述氮化硅陶瓷基座上表面的中心位置。本申请实施例利用氮化硅陶瓷材料的热膨胀系数与硅接近的特点，选用氮化硅陶瓷作为封装MEMS传感器芯片的基座，可以有效的减小封装热应力对MEMS传感器芯片器件性能造成的影响，从而改善MEMS传感器芯片整体性能。本领域普通技术人员将了解，虽然下面的详细说明将参考图示实施例、附图进行，但本申请并不仅限于这些实施例。而是，本申请的范围是广泛的，且意在仅通过后附的权利要求限定本申请的范围。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1是根据本申请一个实施例的MEMS传感器封装结构剖面图。图2是根据本申请一个实施例的MEMS传感器封装结构去掉金属盖后的俯视示意图。图3是根据本申请一个实施例的位于氮化硅陶瓷基座中间层的氮化硅陶瓷基板俯视示意图。图4是根据本申请一个实施例的MEMS传感器封装方法流程图。图5所示为采用传统封装结构热应力作用示意图。图6所示为采用本申请实施例的封装结构热应力作用示意图。附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。具体实施方式下面结合附图对本申请的技术方案作进一步详细描述。图1是根据本申请一个实施例的一种MEMS传感器的封装结构的剖面图，图2是根据本申请一个实施例的MEMS传感器封装结构去掉金属盖后的俯视示意图。本申请实施例的MEMS传感器的封装结构用于封装硅材料制成的MEMS传感器芯片，该封装结构包括：氮化硅陶瓷基座10、内部焊盘11、外部焊盘12、内部电路13、金属盖14。其中，氮化硅陶瓷基座10，用于固定MEMS传感器芯片，优选的固定在氮化硅陶瓷基座10的中心位置；该氮化硅陶瓷基座10可以包括至少一层氮化硅陶瓷基板101。如图1中所示为氮化硅陶瓷基座10包括三层氮化硅陶瓷基板101的实施例。其中，每层氮化硅陶瓷基板101的厚度范围为0.1～1mm，优选为0.64mm。本申请实施例的由多层氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS传感器的封装结构，其特征在于，包括：氮化硅陶瓷基座，用于固定MEMS传感器芯片；内部焊盘，位于所述氮化硅陶瓷基座上表面，与MEMS传感器芯片的信号输出端相连；外部焊盘，位于所述氮化硅陶瓷基座下表面；内部电路，用于连接所述内部焊盘和外部焊盘；金属盖，固定于所述氮化硅陶瓷基座的上表面。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS传感器的封装结构，其特征在于，包括：
氮化硅陶瓷基座，用于固定MEMS传感器芯片；
内部焊盘，位于所述氮化硅陶瓷基座上表面，与MEMS传感器芯片
的信号输出端相连；
外部焊盘，位于所述氮化硅陶瓷基座下表面；
内部电路，用于连接所述内部焊盘和外部焊盘；
金属盖，固定于所述氮化硅陶瓷基座的上表面。
2.如权利要求1所述的MEMS传感器的封装结构，其特征在于，所
述氮化硅陶瓷基座包括至少一层氮化硅陶瓷基板。
3.如权利要求2所述的MEMS传感器的封装结构，其特征在于，所
述氮化硅陶瓷基板的厚度范围为0.1～1mm。
4.如权利要求2所述的MEMS传感器的封装结构，其特征在于，所
述氮化硅陶瓷基板的厚度为0.64mm。
5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭士超，
申请(专利权)人：中国科学院地质与地球物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11