在介电基板上集成副本电路和变压器制造技术

一种特定器件包括布置在介电基板之上的副本电路。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)。该器件还包括布置在介电基板之上且耦合到副本电路的变压器。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】在介电基板上集成副本电路和变压器相关串请的交叉引用本申请要求共同拥有的于2013年3月14日提交的美国非临时专利申请N0.13/829，784的优先权，该非临时专利申请的内容通过援引全部明确纳入于此。领域本公开一般涉及半导体器件中的副本电路和变压器。_5] 相关技术描述技术进步已产生越来越小且越来越强大的计算设备。例如，当前存在各种各样的便携式个人计算设备，包括较小、轻量且易于由用户携带的无线计算设备，诸如便携式无线电话、个人数字助理(PDA)以及寻呼设备。更具体地，便携式无线电话(诸如蜂窝电话和网际协议(IP)电话)可通过无线网络传达语音和数据分组。此外，许多此类无线电话包括被纳入于其中的其他类型的设备。例如，无线电话还可包括数码相机、数码摄像机、数字记录器以及音频文件播放器。同样，此类无线电话可处理可执行指令，包括可被用于访问因特网的软件应用，诸如web浏览器应用。如此，这些无线电话可包括显著的计算能力。在无线通信
中已经实现了多种技术突破。一种技术突破是在实现将大量微电子器件集成到半导体集成电路(IC)中的半导体制造工艺中。半导体制造技术已经降低与制造无线通信产品相关联的成本。互补金属氧化物半导体(CMOS)制造技术可被用于制造无线通信1C。因为射频(RF)双工器使用频率选择性滤波器来用于发射-接收(TX-RX)隔离，所以高隔离要求使得难以将RF片外双工器与CMOS技术集成。表面声波(SAW)技术和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术可被用在RF双工器中以提供TX-RX隔离。然而，SAff和FBAR技术与其他技术相比可能导致相对大的模块大小和较高的成本。概述本公开呈现集成耦合到变压器的副本电路的系统的特定实施例。副本电路和变压器被布置在介电基板之上以达成副本电路与天线之间的阻抗匹配并提供发射-接收(TX-RX)隔离。在一特定实施例中，一种器件包括布置在介电基板之上的副本电路。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)。该器件还包括布置在介电基板之上且耦合到副本电路的变压器。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。在另一特定实施例中，一种方法包括在玻璃类材料的表面之上形成副本电路。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的TFT。该方法还包括在该玻璃类材料的表面之上形成变压器。变压器耦合到副本电路。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。在又一特定实施例中，一种器件包括布置在介电基板之上的用于阻抗匹配的装置。用于阻抗匹配的装置包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的TFT。该器件还包括布置在介电基板之上且耦合到用于阻抗匹配的装置的用于转移能量的装置。用于转移能量的装置被配置成促成用于阻抗匹配的装置与天线之间的阻抗匹配。在又一特定实施例中，一种方法包括在玻璃类材料的表面之上形成副本电路第一步骤。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的TFT。该方法还包括在该玻璃类材料的表面之上形成变压器的第二步骤。变压器耦合到副本电路。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。在又一特定实施例中，非瞬态计算机可读介质包括指令，该指令在由处理器执行时，使得处理器发起在玻璃类材料的表面之上形成副本电路。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的TFT。非瞬态计算机可读介质还包括如下指令:该指令在由处理器执行时，使得处理器发起在玻璃类材料的表面之上形成变压器。变压器耦合到副本电路。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。在又一特定实施例中，一种方法包括接收包括与半导体器件相对应的设计信息的数据文件。该方法还包括根据该设计信息制造半导体器件。半导体器件包括布置在介电基板之上的副本电路。副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的TFT。该半导体器件还包括布置在介电基板之上且耦合到副本电路的变压器。变压器被配置成促成副本电路与天线之间的阻抗匹配。所公开的各实施例中的至少一者提供的一个特定优点是在同一介电基板之上集成副本电路和变压器可降低副本电路与变压器之间的迹线电感变化。迹线电感变化可造成副本电路和天线之间的阻抗失配，从而降低发射-接收(TX-RX)隔离。在同一介电基板之上制造副本电路和变压器可以达成副本电路与天线之间的阻抗匹配，从而改进TX-RX隔离。本公开的其他方面、优点和特征将在阅读了整个申请后变得明了，整个申请包括下述章节:附图简述、详细描述以及权利要求。附图简沐图1是示出包括在基板之上与变压器并排布置的副本电路的结构的特定实施例的示图；图2是示出包括在基板之上布置在变压器之下的副本电路的结构的特定实施例的示图；图3是示出包括在基板之上布置在变压器之上的副本电路的结构的特定实施例的示图；图4是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第一解说性示图的不图；图5是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第二解说性示图的不图；图6是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第三解说性示图的不图；图7是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第四解说性示图的不图；图8是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第五解说性示图的不图；图9是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第六解说性示图的不图；图10是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第七解说性示图的不图；图11是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第八解说性示图的不图；图12是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第九解说性示图的不图；图13是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第十解说性示图的不图；图14是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第十一解说性示图的示图；图15是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第十二解说性示图的示图；图16是在制造半导体器件的过程中的至少一个阶段期间的结构的第十三解说性示图的示图；图17是具有并行配置的多个电感器的变压器的特定实施例的示图；图18是具有交织配置的多个电感器的变压器的特定实施例的示图；图19是在玻璃类材料的表面之上形成副本电路和变压器的方法的特定解说性实施例的流程图；图20是包括副本电路和变压器的通信设备的框图；以及图21是制造包括副本电路和变压器的电子设备的制造过程的特定解说性实施例的数据流图。详细描沐图1是示出包括在介电基板103 (例如，玻璃类材料，诸如玻璃上无源器件(POG)基板)之上与变压器102并排制造的副本电路101的结构100的实施例的示图。图1在功能框图120、截面图130、以及电路级图140中示出了结构100。在一特定实施例中，副本电路101包括薄膜晶体管(TFT)IlSt3TFT 115包括漏极区104、源极区105、栅极区106、沟道区107、以及栅极绝缘层108。在一特定实施例中，变压器102是纵向耦合混合变压器(VHT)。在另一实施例中，变压器102是横向耦合混合变压器。在变压器102是VHT时，变压器102可包括:布置在介电基板(例如，图1的介电基板103)的表面之上的第一电感器结构(例如，第一电感器109);布置在介电结构和第一电感器结构之上的第二电感器结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：布置在介电基板之上的副本电路，其中所述副本电路包括配置成充当可变电容器或可变电阻器的薄膜晶体管(TFT)；以及布置在所述介电基板之上且耦合到所述副本电路的变压器，其中所述变压器被配置成促成所述副本电路与天线之间的阻抗匹配。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：JH·兰，C·S·罗，J·金，M·F·维纶茨，J·H·洪，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US