一种减少电解铜箔侧蚀现象的表面处理工艺，包括如下步骤：（1）电解液的制备：将络合剂焦磷酸钾、硫酸钴、硫酸镍和添加剂B混合后，溶于水中得到澄清溶液，且溶液中K4P2O7 浓度为30g/L~55g/L，Co2+浓度为0.7g/L~2.5g/L，Ni2+浓度为0.3g/L-1.0g/L，添加剂B浓度为0.5g/L-1.5g/L，其中添加剂B中阳离子为Na+、Zn2+和Fe2+中的至少一种，阴离子为氯离子和柠檬酸根离子中的至少一种；（2）铜箔电镀：将预处理后的铜箔放入含有步骤（1）电解液的电镀槽中进行电镀。本发明专利技术主要是在镀钴溶液中添加硫酸镍，形成Co-Ni二元合金镀层，减少了电解铜箔侧蚀现象的发生。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电解铜箔表面处理工艺
，具体涉及一种减少电解铜箔侧蚀现象的表面处理工艺。
技术介绍
目前，随着电子产品的小型化、多功能化的方向发展，推动了印制板向高集成化、高密度化方向发展，因而对精细线路中薄型化铜箔有更高的抗剥离强度的要求。同时，需要有效地减少或者避免蚀刻线路时产生的“侧蚀”现象的发生。
技术实现思路
本专利技术的目在于提供一种减少电解铜箔侧蚀现象的表面处理工艺。基于上述目的，本专利技术采取了如下技术方案: 一种减少电解铜箔侧蚀现象的表面处理工艺，包括如下步骤: (1)电解液的制备:将络合剂焦磷酸钾、硫酸钴、硫酸镍和添加剂B混合后，溶于水中得到澄清溶液，且溶液中K4P2O7浓度为30g/L~55g/L，Co2+浓度为0.7g/L~2.5g/L，Ni 2+浓度为0.3g/L-l.0g/L，添加剂B浓度为0.5g/L-l.5g/L，其中添加剂B中阳离子为Na+、Zn2+和Fe 2+中的至少一种，阴离子为氯离子和柠檬酸根离子中的至少一种； (2)铜箔电镀:将预处理后的铜箔放入含有步骤(I)电解液的电镀槽中进行电镀。较好地，步骤(2)中进行电镀时，电解液的pH为9.5-11.5，温度为35_45°C，通入阳极板上直流电的电流密度为1.0-1.5A/dm2。本专利技术主要是在原有的镀钴溶液中添加硫酸镍，形成Co-Ni 二元合金镀层，通过采用本专利技术的工艺技术，有效减少了 12 μπι铜箔制成的覆铜箔样品发生的侧蚀现象。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明，但本专利技术的保护范围不限于此。实施例1 一种减少电解铜箔侧蚀现象的表面处理工艺，包括如下步骤: (1)电解液的制备:将络合剂焦磷酸钾、硫酸钴、硫酸镍和添加剂B混合后，溶于水得到澄清溶液，且溶液中K4P2O7浓度为30g/L，Co2+浓度为0.7g/L，Ni 2+浓度为0.3g/L，添加剂B为氯化锌，且浓度为0.5g/L ； (2)铜箔电镀:将粗化、固化处理后的12微米电解铜箔放入含有步骤(I)电解液的电镀槽中进行电镀，铜箔经过电解液的车速为25m/min，电镀时电解液pH为9.5，温度为35°C，电流密度为1.0A/dm2，电镀时间为7s。取经过上述表面处理后制成的覆铜箔样品，将胶带纸覆盖在样品的光面上，继而室温浸入FeCl3蚀刻液(浓度为38wt%)中进行蚀刻，观察毛面宽度与光面宽度的变化。实施例2 一种减少电解铜箔侧蚀现象的表面处理工艺，包括如下步骤:(1)电解液的制备:将络合剂焦磷酸钾、硫酸钴、硫酸镍、添加剂B混合后，溶于水得到澄清溶液，且溶液中K4P2Or^度为55g/L，Co2+浓度为2.5g/L，Ni 2+浓度为1.0g/L，添加剂B (添加剂B为氯化亚铁和柠檬酸钠的混合物，氯化亚铁与柠檬酸钠的摩尔比为3:2)浓度为1.0g/L ； (2)铜箔电镀:将粗化、固化处理后的12微米电解铜箔放入含有步骤(I)电解液的电镀槽中进行电镀，铜箔经过电解液的车速为35m/min，电镀时电解液pH为10.5，温度为40°C，电流密度为1.5A/dm2，电镀时间为4s。将通过上述表面处理后制成的覆铜箔样品，将胶带纸覆盖在光面上，继而室温浸入FeCl3蚀刻液(浓度为38wt%)中进行蚀刻，观察毛面宽度与光面宽度的变化。实施例3 一种减少电解铜箔侧蚀现象的表面处理工艺，包括如下步骤:(I)电解液的制备:将络合剂焦磷酸钾、硫酸钴、硫酸镍、添加剂B混合后，溶于水，得到澄清溶液，络合剂中K4P2O7*度为45g/L，Co2+浓度为1.6g/L，Ni 2+浓度为0.8g/L，添加剂B (添加剂B为氯化锌和柠檬酸钠的混合物，氯化锌和柠檬酸钠的摩尔比为4:7)浓度为1.5g/L ; (2)铜箔电镀:将粗化、固化处理后的12微米电解铜箔放入含有步骤(I)电解液的电镀槽中进行电镀，铜箔经过电解液的车速为30m/min，电镀时电解液pH为11.5，温度为45°C，电流密度为1.3A/dm2，电镀时间为6s。将通过上述表面处理后制成的覆铜箔样品，将胶带纸覆盖在光面上，继而室温浸入FeCl3蚀刻液(浓度为38wt%)中进行蚀刻，观察毛面宽度与光面宽度的变化。蚀刻方法: ①FeCl3蚀刻液500mL(浓度为38wt% FeCl 3的水溶液)； ②用1cmX 1cm干燥覆铜箔③将②完全浸入①中30秒，用纯水冲洗3~5次；④取出干燥观察毛面宽度与光面宽度的变化 实施例1至3所制成的覆铜箔样品毛面宽度比光面宽度依次减少了 0.1mm、0.05mm、0.08mm。本专利技术研发的表面处理工艺，通过形成比较稳定的Co-Ni 二元合金镀层，在一定程度上有效减少了电解铜箔侧蚀现象的发生。【主权项】1.一种减少电解铜箔侧蚀现象的表面处理工艺，其特征在于，包括如下步骤: (1)电解液的制备:将络合剂焦磷酸钾、硫酸钴、硫酸镍和添加剂B混合后，溶于水中得到澄清溶液，且溶液中K4P2O7浓度为30g/L~55g/L，Co2+浓度为0.7g/L~2.5g/L，Ni 2+浓度为0.3g/L-l.0g/L，添加剂B浓度为0.5g/L-l.5g/L，其中添加剂B中阳离子为Na+、Zn2+和Fe 2+中的至少一种，阴离子为氯离子和柠檬酸根离子中的至少一种； (2)铜箔电镀:将预处理后的铜箔放入含有步骤(I)电解液的电镀槽中进行电镀。2.根据权利要求1所述减少电解铜箔侧蚀现象的表面处理工艺，其特征在于，步骤(2)中进行电镀时，电解液的PH为9.5-11.5，温度为35-45°C，通入阳极板上直流电的电流密度为 1.0-1.5A/dm20【专利摘要】一种减少电解铜箔侧蚀现象的表面处理工艺，包括如下步骤：（1）电解液的制备：将络合剂焦磷酸钾、硫酸钴、硫酸镍和添加剂B混合后，溶于水中得到澄清溶液，且溶液中K4P2O7？浓度为30g/L~55g/L，Co2+浓度为0.7g/L~2.5g/L，Ni2+浓度为0.3g/L-1.0g/L，添加剂B浓度为0.5g/L-1.5g/L，其中添加剂B中阳离子为Na+、Zn2+和Fe2+中的至少一种，阴离子为氯离子和柠檬酸根离子中的至少一种；（2）铜箔电镀：将预处理后的铜箔放入含有步骤（1）电解液的电镀槽中进行电镀。本专利技术主要是在镀钴溶液中添加硫酸镍，形成Co-Ni二元合金镀层，减少了电解铜箔侧蚀现象的发生。【IPC分类】C25D7/06, C25D3/56【公开号】CN105018985【申请号】CN201510485034【专利技术人】李应恩, 樊斌锋, 王建智, 韩树华, 何铁帅, 张欣, 韩晓琳 【申请人】灵宝华鑫铜箔有限责任公司【公开日】2015年11月4日【申请日】2015年8月10日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种减少电解铜箔侧蚀现象的表面处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：（1）电解液的制备：将络合剂焦磷酸钾、硫酸钴、硫酸镍和添加剂B混合后，溶于水中得到澄清溶液，且溶液中K4P2O7 浓度为30g/L~55g/L，Co2+浓度为0.7g/L~2.5g/L，Ni2+浓度为0.3g/L‑1.0g/L，添加剂B浓度为0.5g/L‑1.5g/L，其中添加剂B中阳离子为Na+、Zn2+和Fe2+中的至少一种，阴离子为氯离子和柠檬酸根离子中的至少一种；（2）铜箔电镀：将预处理后的铜箔放入含有步骤（1）电解液的电镀槽中进行电镀。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李应恩，樊斌锋，王建智，韩树华，何铁帅，张欣，韩晓琳，
申请(专利权)人：灵宝华鑫铜箔有限责任公司，
类型：发明
国别省市：河南;41
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