官能化的含聚异丁烯的低聚物和聚合物的合成制造技术

技术编号:12284727 阅读:105 留言:0更新日期:2015-11-06 01:40
本发明专利技术的一个方面涉及制备官能化的含聚异丁烯(PIB)的低聚物和聚合物的单步骤方法及由此制备的材料。另一方面涉及制备官能化的含聚异丁烯(PIB)的低聚物和聚合物的多步骤方法以及由此制备的材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】官能化的含聚异T稀的低聚物和聚合物的合成 专利
一个方面设及制备官能化的含聚异下締(PIB)的低聚物和聚合物的单步骤方法 及由此制备的材料。另一方面设及制备官能化的含聚异下締(PIB)的低聚物和聚合物的多 步骤方法W及由此制备的材料。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供官能化的含聚异下締(PIB)的低聚物和聚合物。 本专利技术的一个方面提供用于制备官能化的含聚异下締(PIB)的低聚物和聚合物 的单步骤方法。 本专利技术的一个方面提供用于制备官能化的含聚异下締(PIB)的低聚物和聚合物 的多步骤方法。 阳0化]本专利技术的一个方面提供包含官能化的含聚异下締(PIB)的低聚物和聚合物的可 固化组合物,W及使用运些可固化组合物的方法。 所公开的化合物包括任何和所有的同分异构体和立体异构体。通常,除非另有明 确说明,否则作为替代,所公开的材料和方法可W被描述为包括本文中所公开的任何合适 的组分、部分或步骤,由其组成或基本上由其组成。另外地或者作为替代的,所公开的材料 和方法可W被描述为不包括或基本上不包括现有技术组合物中所使用的或者对于实现本 专利技术的功能和/或目标并非必需的任何组分、材料、成分、佐剂、部分、物质和步骤。 当在本文中使用词语"约"时,它是指其所修饰的量或条件可W有一些变化而超出 所述量,只要本专利技术的功能和/或目标得W实现。本领域的技术人员应理解,很少有时间来 充分发掘任何领域的范围,并且预期,所公开的结果至少在某种程度上可W扩展到超出一 项或多项所公开的限制。W后,受益于本专利技术并理解本文中所公开的概念和实施方案,所属 领域的一般技术人员可W无需创造性的努力发掘超出所公开的限制,并且当实施方案被认 为是没有任何出乎意料的特征时,运些实施方案在如本文中使用的术语"约"的含义内。【具体实施方式】 除非另有定义,否则本文中使用的所有技术和科学术语都具有与本领域的一般技 术人员所通常理解的含义相同的含义。如本文中使用的,对于各个实施方案中的每一个,W 下定义适用。 "烷基"或"烧控"是指仅含有单键的控链或控基。烧控可W是直链控链或支化控 基。烧控可W是环状的。烧控可含有1-20个碳原子,有利地1-10个碳原子,更有利地1-6 个碳原子。在一些实施方案中,烧控可W被取代。例示性烧控包括甲基、乙基、正丙基、异丙 基、异下基、正下基、仲下基、叔下基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基和癸基。 "締基"或"締控"是指含有一个或多个双键的控链或控基。締基可W是直链控链 或支化控基。締控可W是环状的。締控可含有1-20个碳原子,有利地1-10个碳原子,更有 利地1-6个碳原子。締控可W是締丙基。締控可含有一个或多个共辆双键。在一些实施方 案中,締控可w被取代。 "烷氧基"是指结构-0R,其中R是控基。 "烘控"或"烘基"是指含有一个或多个=键的控链或控基。烘控可W是直链控链 或支化控基。烘控可W是环状的。烘控可含有1-20个碳原子,有利地1-10个碳原子,更有 利地1-6个碳原子。烘控可含有一个或多个共辆=键。在一些实施方案中,烘控可W被取 代。 "芳基"或"Ar"是指单环或多环芳基。环状环可通过键连接或者稠合。芳基可含 有6-约30个碳原子,有利地6-12个碳原子,并且在一些实施方案中6个碳原子。例示性 芳基包括苯基、联苯基和糞基。在一些实施方案中,芳基被取代。 "阳离子聚合"是指使用碳阳离子引发剂;共引发剂(例如路易斯酸,例如TiCl4); W及可阳离子聚合的单体的单体聚合。该反应通常在处于低溫(例如低于〇°c)并且基本 上不包含水分的溶剂或溶剂混合物中进行。 "醋"是指结构R-C(0)-0-R',其中R和R'是独立选择的控基。控基可被取代或未 被取代。 "面素"或"面基"是指选自氣、氯、漠和舰的原子。 "杂"是指在结构中的一个或多个杂原子。例示性杂原子独立地选自N、0和S。 "杂芳基"是指其中在结构中的一个或多个环原子是杂原子的单环或多环芳环系 统。例示性杂原子独立地选自N、0和S。环状环可通过键连接或者稠合。杂芳基可含有 5-约30个碳原子,有利地5-12个碳原子,并且在一些实施方案中5-6个碳原子。例示性杂 芳基包括巧喃基、咪挫基、喀晚基、四挫基、嚷吩基、化晚基、化咯基、嚷挫基、异嚷挫基、嗯挫 基、异嗯挫基、嚷挫基、哇嘟基和异哇嘟基。在一些实施方案中,杂芳基被取代。 "控基"是指含有碳原子和氨原子的基团。控基可W是线性、支化或环状基团。控 基可W是烷基、締基、烘基或芳基。在一些实施方案中,控基被取代。 "路易斯酸"是指能够接受电子对的化学实体。 "(甲基)丙締酸醋"是指丙締酸醋和甲基丙締酸醋。 "低聚物"是指已经聚合形成分子的确定的小数量重复单体单元,例如10-5, 000个 单元,有利地10-1,000个单元。低聚物是术语聚合物的子集。"一步骤反应"是指形成官能化的含PIB的低聚物和聚合物的化学反应,其中异下 締或含异下締的单体混合物的聚合W及所得低聚物或聚合物的官能化在同一反应容器中 且在阳离子聚合反应条件下进行。 "聚芳控"或"PAr"或"多环芳控"是指稠合的多环芳基,例如含有2-20个环部分。 聚芳控可含有6-约120个环碳原子;有利地6-20个环碳原子。在一些实施方案中,聚芳控 含有杂原子作为环原子。例示性聚芳控包括糞、蔥、菲和巧。在一些实施方案中,芳基被取 代。"聚合物"是指与低聚物相比链长和分子量更大的任何聚合产物。聚合物可具有约 50-约25000的聚合度。本文中使用的聚合物包括低聚物和聚合物。本文中使用的聚合物 包括均聚物和共聚物。"取代的"是指在分子的任何可能位置上存在一个或多个取代基。有用的取代基 是不显著减弱所公开的反应方案的那些基团。例示性取代基包括例如H、面素、(甲基)丙 締酸醋、环氧基、氧杂环下烧、脈、氨基甲酸醋、吨、NCS、CN、NCO、N02、版¥、0X\C伍)3、C(面 素)3、C00X\SX\Si(0Xi)iX23 1、烷基、醇、烷氧基;其中X嘴X2各自独立地包含H、烷基、締 基、烘基或芳基,并且i是0-3的整数。 本专利技术的一个方面提供在直接的一步骤反应中在阳离子聚合条件下制备含官能 团的PIB低聚物或聚合物的方法。运种方法不包括或不需要在非阳离子聚合条件下进行的 任何后聚合反应。运个方面的方法不包括使用非阳离子后聚合反应的制备官能化PIB聚合 物的方法。运个方面的方法使引发剂与异下締在阳离子聚合条件下反应W提供中间体,所 述中间体与封端剂也在阳离子聚合条件下反应W提供含官能团的PIB低聚物或聚合物。 所公开的方法使用在阳离子聚合条件下进行的封端反应,W将所需官能团引入 PIB低聚物或聚合物中。由于活性PIB中屯、是阳离子载体,因此,可使用直接亲电芳族取代 (EA巧反应作为封端反应。供电子基团会促进EAS反应。因此,所公开的方法使用S个特定 家族作为封端试剂。 可用于该方法的官能团可W是不会干扰所述封端反应的任何化学部分。一些例示 性官能团包括(甲基)丙締酸醋、0H、环氧基、氧杂环下烧、氯酸醋、异氯酸醋、氨基甲酸醋、 脈、NR5r6、SR\SU〇RS)iR93I;其中R5、r6、R\护、r9可独立地选自H、烷基、杂烷基、締基、杂締 基、烘基、杂烘基、芳基当本文档来自技高网...

【技术保护点】
在一步骤反应中制备PIB低聚物或聚合物的直接封端方法,其包括使各组分如下所示进行反应:其中:R1是引发剂核心结构,独立地选自烷基、杂烷基、芳基、杂芳基、烯基、杂烯基、炔基、杂炔基和烷氧基;X是键合到所述引发剂核心结构的引发位点,独立地选自卤基、烷氧基、酯;m是约2‑约1,000的整数;n是约1‑约20的整数;CAP是选自以下结构1‑3中的一种或多种的封端试剂:Ar‑(EDG‑R2‑Y)q(Ar)p‑Ar‑(EDG‑R2‑Y)qPAH‑(EDG‑R2‑Y)q其中EDG是选自O、NR3、S、R4的供电子基团;R2独立地选自H、烷基、杂烷基、烯基、杂烯基、炔基、杂炔基、芳基、杂芳基;R3独立地选自H、烷基、杂烷基、烯基、杂烯基、炔基、杂炔基、芳基、杂芳基;R4独立地选自H、烷基、杂烷基、烯基、杂烯基、炔基、杂炔基、芳基、杂芳基;p是约1‑约20的整数;q是约1‑约20的整数;并且Y独立地选自(甲基)丙烯酸酯、OH、环氧基、氧杂环丁烷、氰酸酯、异氰酸酯、氨基甲酸酯、脲、NR5R6、SR7、Si(OR8)iR93‑I,其中R5、R6、R7、R8、R9独立地选自H、烷基、杂烷基、烯基、杂烯基、炔基、杂炔基、芳基、杂芳基。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯定松M·伯德齐T·张
申请(专利权)人:汉高知识产权控股有限责任公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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