固态存储器的高度分布式电流基准包括位于中心的电流数模转换器（IDAC)和多个位于远处的瓦片式电流基准。IDAC包括生成基准电流的第一有源器件和为第一有源器件形成第一源极负反馈电阻的器件。IDAC输出代表基准电流大小的电压信号。位于远处的瓦片式电流基准包括第二有源器件和为第二有源器件形成第二源极负反馈电阻的器件。耦合至IDAC输出的电压信号的电容和源极负反馈电阻补偿电流、温度、电源和过程变化。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文公开的主题涉及交叉点存储器。更具体地，本文公开的主题涉及用于固态存储器(例如交叉点存储器)的高度分布式电流基准的低功率、高精度电流基准。
技术介绍
三维(3D)交叉点存储器是固态、非易失性类型的存储器，对于某些存储器操作来说，所述的存储器要求在交叉点存储器芯片周围的许多位置处输送精确的电流。例如，在交叉点存储器芯片的一个示范实施例中，芯片上超过8000个位置要求可以为存储器操作即时输送基准电流的精确的低功率电流基准。将基准电流从中心位置传送到横跨芯片高度分布的多个电流反射镜中的每一个电流反射镜在功率和芯片面积使用因素两者上有严重的缺陷。已经使用的另一种方法是传送在多个位置处被远程转换成基准电流的偏压。这样的方法提出了挑战，因为每个单独的电流基准源必须被校准以消除失配，例如可出现在芯片周围的、由过程偏移引起的随机器件偏移。此外，远程生成的基准电流对偏压噪声、温度变化和电源电压变化是敏感的。【附图说明】用附图中的图通过举例的方式而不是通过限制的方式来说明本文公开的实施例，其中相同的附图标记指相似的元件，并且其中: 图1描绘了根据本文公开的主题的高度分布式电流基准100的示范实施例的示意图； 图2描绘了根据本文公开的主题的高度分布式电流基准的第二示范实施例的示意图； 图3描绘了根据本文公开的主题的高度分布式电流基准的第三示范实施例的示意图； 图4描绘了根据本文公开的主题的用于生成基准电流的过程400的示范实施例。将会意识到，为了简化和/或说明的清楚起见，图中描绘的元件不必按比例绘制。例如，为了清楚起见，一些元件的尺寸可以相对于其它元件被放大。图的缩放并不代表本文描绘的各种元件的精确尺寸和/或尺寸比例。此外，如果考虑适当的话，在图当中附图标记已经被重复以表示对应的和/或类似的元件。【具体实施方式】本文公开的主题涉及交叉点存储器。更具体地，本文公开的主题涉及用于交叉点存储器的高度分布式电流基准的低功率、高精度电流基准。在下面的描述中，大量具体的细节被阐述以提供对本文公开的实施例的透彻理解。然而，相关领域的技术人员将会认识到没有一个或多个具体的细节或者利用其它方法、部件、材料等等是可以实施本文公开的实施例的。在其它实例中，公知的结构、材料或者操作并未被示出或者详细描述以避免使说明书的若干方面模糊。整个本说明书提及“一个实施例”或“实施例”意味着与所述实施例有关地描述的特定特征、结构或特性包括在至少一个实施例中。因此，在整个本说明书的不同地方出现短语“在一个实施例中”或者“在实施例中”不一定全部指相同实施例。此外，特定特征、结构或特性可以在一个或者多个实施例中以任何适当的方式进行组合。另外，本文使用词“示范的”来表示“用作示例、实例或者说明”。作为“示范的”在本文中描述的任何实施例将不会被解释为必定比其它实施例优选或有优势。各种操作可被依次地并以最有助于理解请求保护的主题的方式描述成多个分立的操作。然而，描述的顺序不应当被解释成是暗示这些操作必定是顺序相关的。特别地，不需要以呈现的顺序来执行这些操作。可以按与所描述的实施例不同的顺序来执行所描述的操作。可以执行各种附加的操作和/或可以在附加的实施例中省略所描述的操作。本文公开的主题提供了一种低功率、高精度电流基准系统，所述低功率、高精度电流基准系统可用于例如但不限于交叉点存储器的固态存储器的高度分布式电流基准。在一个示范实施例中，本文公开的低功率、高精度电流基准系统包括固态驱动器的一部分。本文公开的主题的实施例利用源极负反馈技术(source degenerat1n technique)来补偿电流、温度、电源和过程变化。也就是，本文公开的主题的实施例将带有显著降低偏压噪声、电源电压变化和器件偏移的不利影响的有源偏置的有源金属氧化物半导体(MOS)器件用作源极负反馈电阻。另外，本文公开的主题的实施例提供一种特别低功率电流基准系统，所述特别低功率电流基准系统通过长时段保持在采样保持模式下而甚至在从待机模式退出期间也是立即可用的。而且，与传统技术相比，本文公开的主题的实施例使用相对小的面积。尽管本文公开的主题是与交叉点存储器、固态存储器和/或固态驱动器有关地进行描述的，但是应当理解，本文公开的主题并不会被这样限制并且是可以在例如但不限于成像系统和其它传感器系统的利用高度分布式电流基准的系统中应用的。图1描绘了根据本文公开的主题的高度分布式电流基准100的第一示范实施例的示意图。高度分布式电流基准100包括位于中心的电流数模转换器(IDAC) 101和多个位于远处的TILE电流基准102，其中仅示出了一个位于远处的TILE电流基准102。IDAC 101包括第一电流源IBIAS/N、第二电流源IBIAS、三个互补金属氧化物半导体(CMOS)有源器件M1-M3、第一缓冲放大器110、第二缓冲放大器111、以及第一和第二开关112和113。电流源IBIAS/N的一个端子耦合至电源电压Vcc，电流源IBIAS/N的另一个端子耦合至有源器件Ml的漏极和栅极。有源器件Ml的源极耦合至供给电压HNVNN。电流源IBIAS的一个端子耦合至电源电压Vcc并且电流源IBIAS的另一个端子耦合至有源器件M2的漏极和栅极。有源器件M2的源极耦合至有源器件M3的漏极。有源器件M3的栅极耦合至有源器件Ml的漏极和栅极。有源器件M3的源极耦合至供给电压HNVNN。有源器件M2的漏极耦合至缓冲放大器110的输入并且有源器件M3的栅极耦合至缓冲放大器111的输入。缓冲放大器I1的输出耦合至开关112的输入并且缓冲放大器111的输出耦合至开关113的输入。开关112的输出耦合至信号线SETBIAS。开关113的输出耦合至信号线RESBIAS。信号线SETBIAS和信号线RESBIAS上出现的电压分别基于通过电流源IBIAS的电流的大小和通过电流源IBIAS/N的电流的大小。缓冲放大器110和111具有足够的驱动能力来为电容Cl和C2充电，电容Cl和C2分别代表信号线SETBIAS和供给电压HNVNN之间的耦合电容以及信号线RESBIAS和供给电压HNVNN之间的耦合电容。 开关112和113各自被SAMPLE_EN信号控制以便采样并保持缓冲放大器110和111的相应输出。在一个示范实施例中，IDAC101的电路能够被断开(即被置于待机模式)，并且当信号线SETBIAS和RESBIAS上的电压将要被更新时，IDAC101的电路被加电并且被允许稳定以更新信号线SETBIAS和信号线RESBIAS上的电压。然后控制SAMPLE_EN为“真”使得启动开关112和113并且更新信号线SETBIAS和信号线RESBIAS。接着控制SAMPLE_EN为“非真”，据此断开开关112和113。接下来IDAC101的电路被控制为断开(即待机模式)使得高度分布式电流基准不会在信号线SETBIAS和信号线RESBIAS未被更新的时间期间消耗功率。在集成电路周围将信号线SETBIAS和信号线RESBIAS分配给多个TILE电流基准102，图1中仅示出了一个TILE电流基准。在一个示范实施例中，信号线SETBIAS和信号线RESBIAS耦合至多于8000个TILE电流基准102。在一个示范实施例本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电流基准源，包括：生成第一电流的电流源；基于所述第一电流生成第一电压信号的转换器，所述转换器包括： 基于所述第一电流生成第二电流的第一有源器件，所述第一有源器件包括第一端子、第二端子和第三端子，所述第一端子耦合至所述第二端子， 第一负反馈电阻器件，所述第一负反馈电阻器件包括第一端子和第二端子，所述第一端子耦合至所述第一有源器件，并且所述第二端子耦合至第一电源电压，以及 第一缓冲器，所述第一缓冲器包括输入和输出，所述第一缓冲器的所述输入耦合至所述第一有源器件，所述第一电压信号在所述第一缓冲器的所述输出和所述第一电源的所述第一端子之间形成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：MG戴利，YVS范查，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。