气体阻隔膜、气体阻隔膜的制造方法、及有机电致发光元件技术

本发明专利技术涉及气体阻隔膜、气体阻隔膜的制造方法、及有机电致发光元件，所述有机电致发光元件具备气体阻隔膜、成对的电极和在电极间具有至少1层发光层的有机功能层。所述气体阻隔膜具备基材、硅化合物的蒸镀层和聚硅氮烷改性层，所述硅化合物的蒸镀层含有选自碳(C)、氮(N)、及氧(O)中的至少1种以上的元素，从表面向厚度方向具有连续的组成变化，且被表面处理了。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及气体阻隔膜、气体阻隔膜的制造方法、及使用了该气体阻隔膜的有机 电致发光元件。
技术介绍
[000引利用了有机材料的电致发光（electroluminescence下记为EL)的有机电致发 光元件（所谓有机化元件）为在数V~数十V左右的低电压下可发光的薄膜型的完全固 体元件，具有高亮度、高发光效率、薄型、轻量运样的许多优异的特征。因此，作为各种显示 器的背光、标牌、应急灯等的显示板、照明光源等的面发光体、特别是在近年来具有薄型?轻 量的阻隔膜的树脂基材上的0L邸受到关注。针对对于运样的阻隔膜的要求，提案有在高阻隔性和平滑性方面更适于有机化 元件的阻隔膜（例如参照专利文献1)。但是，在专利文献1中记载的方法中，用蒸锻方式形 成阻隔膜。蒸锻方式运样的堆积膜在平滑性的改良方面存在极限，希望进一步的平滑性的 改良技术。 另外，提案有在阻隔膜的表面导入平滑层、可兼备高阻隔性和平滑性的技术（例 如参照专利文献2)。但是，在专利文献2中记载的方法中，虽然可得到平滑性，但阻隔性不 充分，在有机EL元件的保存性方面存在课题。 另外，提案有对蒸锻方式的阻隔膜实施受激准分子处理、进而形成聚娃氮烧层，由 此可兼备高阻隔性和平滑性的技术（例如参照专利文献3)。但是，在专利文献3中记载的 方法中，存在如下课题：在有机EL元件的制作工序中，蒸锻膜和聚娃氮烧层的粘接强度降 低，有机化元件的弯曲特性变差。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2012-084353号公报 专利文献2 :日本特开2008-235165号公报 专利文献3 :日本特开2012-106421号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 寻求如上所述气体阻隔性高、在应用于有机电致发光元件的情况下可使有机电致 发光元件的可靠性提高的气体阻隔膜、及通过使用该气体阻隔膜可靠性可提高的有机电致 发光元件。 为了解决上述的课题，在本专利技术中，提供可靠性高的气体阻隔膜、及可靠性高的有 机电致发光元件。 用于解决课题的手段本专利技术的气体阻隔膜具备基材、娃化合物的蒸锻层和聚娃氮烧改性层，所述蒸锻 层含有选自碳（c)、氮（脚及氧（0)的至少1种W上的元素、从表面向厚度方向具有连续的 组成变化，且被表面处理。 另外，本专利技术的气体阻隔膜的制造方法具有在基材上形成蒸锻层的工序、进行蒸 锻层的表面处理的工序和在表面处理后的蒸锻层上形成聚娃氮烧改性层的工序，所述蒸锻 层含有选自碳（C)、氮（脚及氧（0)的至少1种W上的元素、从表面向厚度方向具有连续的 组成变化。 另外，本专利技术的有机电致发光元件具备上述气体阻隔膜、成对的电极和在电极间 具有至少1层发光层的有机功能层。 根据本专利技术的气体阻隔膜及气体阻隔膜的制造方法，通过蒸锻层从表面向厚度方 向具有连续的组成变化，蒸锻层的表面处理变得良好，与聚娃氮烧改性层的粘接性提高。因 此，气体阻隔膜的可靠性提高。 另外，通过使用该气体阻隔膜，可构成可靠性高的有机电致发光元件。 专利技术的效果 根据本专利技术，可提供可靠性高的气体阻隔膜及可靠性高的有机电致发光元件。【附图说明】 图1为表示第1实施方式的气体阻隔膜的概略构成的图。 图2为表示娃分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线的图。 图3为将图2中所示的碳分布曲线放大的图。 图4为表示蒸锻层的折射率分布的图。 图5为表示蒸锻层的制造装置的构成的图。 图6为表示第3实施方式的有机电致发光元件的概略构成的图。[002引图7为表示试样101的元素分布曲线的图。 图8为表示试样104的元素分布曲线的图。【具体实施方式】W下，对用于实施本专利技术的最佳方式的例子进行说明，但本专利技术并不限定于W下 的例子。 予W说明，说明WW下的顺序进行。1.气体阻隔膜的实施方式（第1实施方式）2.气体阻隔膜的制造方法（第2实施方式） 3.有机电致发光元件的实施方式（第3实施方式）<1.气体阻隔膜的实施方式（第1实施方式）〉 对本专利技术的气体阻隔膜的具体的实施方式进行说明。[003引图1中示出第1实施方式的气体阻隔膜的概略构成图（剖面图）。如图1中所示， 气体阻隔膜10具备基材11、娃化合物的蒸锻层12、及聚娃氮烧改性层13。予W说明，在本例的气体阻隔膜10中，所谓透光性是指波长550皿下的透光率为 50% 社。 本例的气体阻隔膜10在基材11上形成有含有选自C、N、及0中的至少1种w上 的元素的娃化合物的蒸锻层12。而且，具有在该娃化合物的蒸锻层12上形成有聚娃氮烧改 性层13的构成。在气体阻隔膜10中，构成上述蒸锻层12的娃化合物含有选自碳（C)、氮（脚、及氧 (0)中的至少1种W上的元素。而且，通过选自运些C、N、及、0中的至少1种W上的元素的 元素比率发生变化，蒸锻层12从表面向厚度方向具有连续的组成变化。 另外，蒸锻层12在形成聚娃氮烧改性层13的面（表面）侦U，在形成聚娃氮烧改性 层13之前，对娃化合物进行表面处理。 在本例的气体阻隔膜中，聚娃氮烧改性层13为涂布含有娃氮烧化合物的液体、干 燥后被改性处理了的层。W下，对气体阻隔膜10的构成详细地进行说明。 作为对气体阻隔膜10所应用的基材11，只要为可对气体阻隔膜10赋予柔性的晓 性基材就没有特别限定。作为晓性基材，可W举出透明树脂膜。 作为树脂膜，例如可W举出：聚对苯二甲酸乙二醇醋（PET)、聚糞二甲酸乙二醇醋 (PEN)等聚醋、聚乙締、聚丙締、赛踰汾、纤维素二乙酸醋、纤维素S乙酸醋（TAC)、纤维素乙 酸醋下酸醋、纤维素乙酸醋丙酸醋（CAP)、纤维素乙酸醋邻苯二甲酸醋、纤维素硝酸醋等纤 维素醋类或它们的衍生物、聚偏氯乙締、聚乙締醇、聚乙締乙締醇、间规聚苯乙締、聚碳酸 醋、降冰片締树脂、聚甲基戊締、聚酸酬、聚酷亚胺、聚酸讽（PES)、聚苯硫酸、聚讽类、聚酸酷 亚胺、聚酸酬酷亚胺、聚酷胺、氣树脂、尼龙、聚甲基丙締酸甲醋、丙締酸类或聚芳醋类、六一 hシ（商品名JSR公司制）(商品名S井化学公司制）运样的环締控系树脂等。 运些树脂膜中，从成本、获得的容易性的方面考虑，可优选使用聚对苯二甲酸乙二 醇醋（PET)、聚对苯二甲酸下二醇醋、聚糞二甲酸乙二醇醋牌脚、聚碳酸醋（PC)等的膜。另 夕F，从光学透明性、耐热性、与蒸锻层12、聚娃氮烧改性层13的密合性的方面考虑，优选使 用W具有有机无机混合结构的倍半硅氧烷作为基本骨架的耐热透明膜。 该基材11的厚度优选5~500ym左右，进一步优选为25~250ym。 另外，基材11优选具有透光性。通过基材11具有透光性，可形成具有透光性的气 体阻隔膜10。而且，可将该透光性的气体阻隔膜10优选用作有机化元件、太阳能电池等的 透明基板、密封膜。 在基材11上设有蒸锻层12。蒸锻层12由通过蒸锻法形成的娃化合物构成。该娃 化合物含有选自碳（C)、氮（脚、及氧（0)中的至少1种W上的元素。另外，蒸锻层12从表 面向厚度方向具有连续的组成变化。进而，对蒸锻层12的表面进行改性处理，在构成蒸锻 层12的娃化合物的表面形成有亲水性的改性部。[005引（组成）构成蒸锻层12的娃化合物具有从表面在深度方向（厚度方向）组成倾斜状地发 生变化的特征。该组成变化可W为直线状、曲线状，只要实质上连续即可。娃化合物的组成变化根据构成娃化合物的任本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体阻隔膜，其具备：基材；硅化合物的蒸镀层，所述蒸镀层含有选自碳(C)、氮(N)及氧(O)的至少1种以上的元素、从表面向厚度方向具有连续的组成变化、且被表面处理；和聚硅氮烷改性层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：井宏元，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP