存储器件及其制造方法技术

存储器件包括存储单元的阵列。至少一个存储单元包括具有垂直栅极全包围结构的多个晶体管和多个有源块。一个有源块的一部分用作一个晶体管的源极或漏极。任何两个相邻的存储单元中的有源块相互隔离。本发明专利技术还提供了存储器件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请本申请要求于2014年4月30日提交的第61/986，647号美国临时申请的优先权，其内容结合于此作为参考。
本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地，涉及存储器件及其形成方法。
技术介绍
静态随机存取存储器(静态RAM或SRAM)是只要存储器上电就以静态形式保持数据的半导体存储器。SRAM比普通的动态RAM(DRAM)更快且更可靠。术语静态源于不需要像DRAM那样刷新的事实。SRAM用于计算机的高速缓存存储器，并且作为视频卡上的随机存取存储器数模转换器的一部分。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种存储器件，包括:存储单元的阵列，至少一个所述存储单元包括:多个晶体管，具有垂直栅极全包围结构；和多个有源块，一个有源块的一部分用作一个晶体管的源极或漏极，其中，任何两个相邻的存储单元中的所述有源块相互隔离。在该存储器件中，至少一个所述晶体管包括:底部电极，通过所述一个有源块的一部分形成，所述一个有源块的一部分用作所述晶体管的源极和漏极中的一个；顶部电极，用作所述源极和所述漏极中的另一个；沟道杆，设置在所述底部电极和所述顶部电极之间并连接至所述底部电极和所述顶部电极；栅极绝缘体，环绕所述沟道杆；以及栅极，环绕所述沟道杆和所述栅极绝缘体。在该存储器件中，所述有源块包括第一有源块、第二有源块、第三有源块和第四有源块，至少一个所述存储单元的晶体管包括:第一晶体管，电连接所述存储单元的字线和第一位线；第二晶体管，所述第一晶体管的底部电极和所述第二晶体管的底部电极形成所述第一有源块；第三晶体管，所述第二晶体管的栅极和所述第三晶体管的栅极形成第一栅极板，以及所述第三晶体管的底部电极是所述第二有源块的一部分；第四晶体管，所述第四晶体管的底部电极是所述第三有源块的一部分；第五晶体管，所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的栅极形成第二栅极板；以及第六晶体管，电连接至所述字线和第二位线，所述第五晶体管的底部电极和所述第六晶体管的底部电极形成所述第四有源块。在该存储器件中，所述第二晶体管的顶部电极和所述第五晶体管的顶部电极电连接至CVss，并且所述第三晶体管的顶部电极和所述第四晶体管的顶部电极电连接至CVdd ;或者所述第二晶体管的顶部电极和所述第五晶体管的顶部电极电连接至所述CVdd，并且所述第三晶体管的顶部电极和所述第四晶体管的顶部电极电连接至所述CVss。在该存储器件中，至少一个所述存储单元还包括:第一存储节点，部分设置在所述第一栅极板和所述第二栅极板之间，并且电连接至所述第一有源块和所述第二有源块；以及第二存储节点，部分设置在所述第一栅极板和所述第二栅极板之间，并且电连接至所述第三有源块和所述第四有源块。在该存储器件中，在所述第一栅极板和所述第二栅极板之间形成第一间隙，并且在分别设置在相邻的两个存储单元中的两个所述第一栅极板之间形成第二间隙，所述第一间隙具有大于所述第二间隙的距离。在该存储器件中，至少一个所述存储单元还包括:第一连接结构，连接至所述第一存储节点和所述第二栅极板；以及第二连接结构，连接至所述第二存储节点和所述第一栅极板。在该存储器件中，至少一个所述存储单元还包括:第一存储节点，设置在所述第二栅极板和所述第一晶体管的栅极之间，并且电连接至所述第一有源块和所述第二有源块；以及第二存储节点，设置在所述第一栅极板和所述第六晶体管的栅极之间，并且电连接至所述第三有源块和所述第四有源块。在该存储器件中，至少一个所述存储单元还包括:第一连接结构，连接至所述第一存储节点和所述第二栅极板；以及第二连接结构，连接至所述第二存储节点和所述第一栅极板。在该存储器件中，至少一个所述存储单元还包括两个第一阱和设置在所述两个第一阱之间的第二阱，所述第一阱的的掺杂物不同于所述第二阱的掺杂物，所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在所述第一阱中的一个上，所述第三晶体管和所述第四晶体管设置在所述第二阱上，以及所述第五晶体管和所述第六晶体管设置在所述第一阱中的另一个上。在该存储器件中，所述第一阱是N型阱，所述第二阱是P型阱；或者所述第一阱是P型阱，所述第二阱是N型阱。该存储器件还包括:隔离结构，设置在任何两个相邻的存储单元之间。根据本专利技术的另一方面，提供了一种存储器件，包括:存储单元的阵列，至少一个所述存储单元包括:多个晶体管，具有垂直栅极全包围结构；和多个有源块，一个所述有源块的一部分用作一个所述晶体管的源极或漏极，其中，一个所述存储单元中的所述有源块远离所述存储单元的边界。在该存储器件中，至少一个所述存储单元是六晶体管^T)静态随机存取存储器(SRAM)ο该存储器件还包括:设置在所述存储单元的边界处的隔离结构。该存储器件还包括:字线，电连接至所述晶体管的一部分；以及位线，电连接至所述晶体管的一部分。根据本专利技术的又一方面，提供了一种用于制造存储器件的方法，包括:在衬底上或上方形成存储单元的阵列，其中形成至少一个所述存储单元包括:在所述衬底上或上方形成多个有源块，并且任何两个相邻的存储单元中的所述有源块相互隔离；以及在所述衬底上或上方形成具有垂直栅极全包围结构的多个晶体管，其中，至少一个所述有源块的一部分用作一个所述晶体管的源极或漏极。该方法还包括:在任何两个相邻的存储单元之间形成隔离结构。在该方法中，形成至少一个所述晶体管包括:在所述有源块上形成沟道杆；形成栅极绝缘体以环绕所述沟道杆；形成栅极以环绕所述沟道杆和所述栅极绝缘体；以及在所述沟道杆和所述栅极上或上方形成顶部电极。该方法还包括:将字线电连接至所述晶体管的一部分；以及将位线电连接至所述晶体管的一部分。【附图说明】当结合附图阅读时，根据以下详细的描述来更好地理解本专利技术的各个方面。注意，根据工业的标准实践，各个部件没有按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚，可以任意地增加或减小各个部件的尺寸。图1是根据本专利技术的各个实施例的存储器件的平面图。图2A是根据各个实施例的图1的一个存储单元的平面图。图2B是图2A的存储单元的电路图。图3至图11是根据本专利技术的各个实施例的用于制造图2A的存储单元的方法的平面图。图12是沿着图11的线12-12所截取的截面图。图13是根据本专利技术的各个实施例的存储单元10的平面图。图14是根据本专利技术的各个实施例的包括图11的存储单元的存储器件的平面图。图15是根据本专利技术的各个方面的存储单元的平面图。图16至图18是根据本专利技术的各个方面的用于制造存储单元的方法的平面图。图19是沿着图10的线19-19所截取的截面图。图20是根据本专利技术的各个实施例的存储单元的平面图。图21A是根据本专利技术的各个实施例的存储单元的平面图。图21B是图21A的存储单元的电路图。【具体实施方式】以下公开内容提供了许多不同的用于实施本专利技术主题的不同特征的实施例或实例。以下描述部件或配置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例而不用于限制。例如，在以下的描述中，在第二部件上方或之上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件被形成为直接接触的实施例，并且也可以包括可以在第一部件和第二部件形成附件部件使得第一部件和第二部件没有直接接触的实施例。此外，本专利技术可以在各个实例中重复参考标号和/或字母。这些重复是为了简化和清楚，其本身并不表示所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：存储单元的阵列，至少一个所述存储单元包括：多个晶体管，具有垂直栅极全包围结构；和多个有源块，一个有源块的一部分用作一个晶体管的源极或漏极，其中，任何两个相邻的存储单元中的所述有源块相互隔离。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71