一种六轴一体式微加速度传感器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种六轴一体式微加速度传感器及其制作方法，通过键合连接在一起的上、下盖板、感测芯片。所述感测芯片包括从固定外框对角线引出四根梁与中间的“小岛”相连，使得外框架中间“小岛”、外框架对角线上的梁、外框架成为一个整体—固定框架，每个惯性感测单元由惯性质量块、结构支撑梁、敏感微梁组成，所述每个惯性质量块成梯形，且其上底边中间部分有延伸向下底边的结构支撑梁；结构支撑梁的两侧，有敏感微梁将梯形惯性质量块的上底边与固定框架中间“小岛”相连。敏感微梁由于结构微小的特点，在敏感芯片加载时将会集中主要的应力，且易形成直拉直压的简单应力状态，非常有利于轴间解耦。本发明专利技术，结构简单紧凑、易加工。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及了硅微加速度计领域，特别涉及一种压阻式六轴高量程微加速度传感器及其制作方法。
技术介绍
加速度传感器是指一种能够测量物体运动加速度的传感器。灵敏度、线性度、轴间耦合度、响应速度，响应频带宽度，稳定性等是其主要的性能指标。而微加速度传感器属于加速度传感器的一种，是新发展起来的微机电系统(MEMS)的重要组成部分，随着半导体工业的发展，特别是MEMS工艺的发展，越来越多的高性能、低能耗、价格低廉的微加速度传感器逐渐应用到各行各业，不断地改变着人们的生活和工作方式。而高量程加速度传感器作为一种特殊的惯性测量器件目前主要应用于军事和航空等领域。随着近年来侵彻武器系统的发展和对爆炸冲击现象的深入研究，人们对于高量程加速度传感器的性能也逐渐提高一要求传感器有大量程、大的响应带宽，高的固有频率，以便能够准确、快速地响应被测加速度信号。目前国内外的研究侵彻武器等所用的高量程加速度传感器基本都是单轴的，而即使有多轴的也是多个单轴的简单组合，这样不仅体积较大，而且还会引入安装误差。专利CN101692099报道了一种具有零飘补偿的压阻式双轴加速度计，虽然解决了压阻式的温度漂移问题，且具有较高固有频率，但其是两个单轴的敏感元件的组合，且也只能测两个方向的运动，而物体空间内六个自由度运动还有4个运动无法被测量到，这无法满足侵彻武器等研究的全方位测量、精确控制的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术不足，提供一种六轴一体式高量程微加速度传感器及其制作方法。针对现有高g微加速度计的问题，本专利技术结构简单紧凑，易于批量加工生产、频带宽、适用范围广，轴间耦合小。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案。一种六轴一体式高量程微加速度传感器，它包括通过键合连接在一起的敏感芯片、上盖板以及下盖板三部分，所述敏感芯片是由四个传感单元组成，每个传感单元包括结构支撑梁、敏感微梁、惯性质量块以及固定框架，所述每个惯性质量块由一根结构支撑梁和两根敏感微梁与固定框架中间岛部分相连，组成悬臂梁一质量块系统，所述两根敏感微梁以结构支撑梁为中心对称分布，连接质量块与固定框架中间岛之间，所述每个敏感微梁上均有一个掺杂敏感电阻用以构成惠斯通电桥进行六轴向运动间的感测与解耦。所述固定框架由固定外框、外框对角线、中间岛组成；外框对角线处于中间，将固定外框与中间岛连接，其高度方向尺寸一致；所述中间岛为固定框架中间的方形柱。所述惯性质量块整体为梯形柱；所述固定框架中间岛为固定框架中间结构，其通过固定框架外框对角线与固定框架外框相连，并且通过结构支撑梁、敏感微梁与惯性质量块相连。所述固定框架上设有八个补偿电阻，所述补偿电阻通过与敏感电阻并联、串联共同组成6组惠斯通电桥。所述结构支撑梁长度方向垂直于惯性质量块的上、下底边，且位于梯形惯性质量块的中间，连接固定框架中间岛结构与梯形惯性质量块，并一直延伸接近梯形质量块下底边处，所述结构支撑梁的厚度与惯性质量块一样。—种六轴一体式高量程微加速度传感器制作方法，I)选用N型SOI硅片，结构层硅厚度为10±1 μπι，中间二氧化硅隔离层厚度为I?L 5 μ m，衬底层娃为500 μ m，清洗娃片表面后，采用热氧化的方法在上、下面制备一层200 ?300nm S12薄膜；2)将硅片正面光刻，然后用氢氟酸缓冲液BOE液去除露出的S12,并以去除S12处为窗口进行B扩散形成掺杂电阻:敏感电阻、参考电阻；3)氢氟酸缓冲液BOE洗去上表层Si02，然后继续进行薄层氧化硅片，重复步骤2)，不同的是重掺杂硼B制作欧姆接触区；4)金属化；在硅片正面光刻，并用溅射一剥离法制备金引线；然后，再加热至363±5°C，保持20?30min形成稳定的局部金硅二相；5)正面梁形状刻蚀:正面光刻，溅射一剥离法制备图形化铝掩蔽膜，然后感应耦合等离子刻蚀ICP刻蚀出结构支撑梁、敏感微梁质量块的形状，厚度为器件层厚度10± I μ m ;6)硅片背面光刻，20%?22%质量分数的四甲基氢氧化铵在85?90°C水浴湿法刻蚀出娃质量块活动区域；7)硅片背面光刻，溅射一剥离法制备图形化铝膜，然后反应等离子刻蚀RIE刻蚀出惯性质量块，刻蚀厚度为衬底硅层的厚度；8)氢氟酸缓冲液BOE腐蚀梁结构处硅片I?1.5 μ m S12隔离层释放梁结构；9)上盖板的一面光刻，且用氢氟酸缓冲液BOE刻蚀出质量块向上活动区域，活动区域尚度亦为考虑阻尼特性后的尚度；10)将硅片用阳极键合的方法与上盖板、下盖板密封连接，制作玻璃一硅片一玻璃的三明治结构；11)器件封装:a.采用机械式划片机按划片道划片，制作敏感加速度计芯片；b.将上述芯片用AB胶贴入封装用陶瓷方形管壳；c.用金丝球焊机将细金引线与敏感芯片上焊盘一一对应键合；d.将陶瓷管壳装上密封管壳帽，并用AB胶密封。所述上盖板、下盖板材料为美国康宁7740玻璃或者德国肖特BF33阳极键合用玻璃。与现有技术相比，本专利技术的优点在于:I)本专利技术结构、工艺以及读出电路十分简单。通过简单、对称、巧妙设计的敏感单元，以及对应的作为读出电路的惠斯通电桥，可以实现空间六个轴向自由度加速度的全解耦，其理论分析轴间耦合度为零。2)本专利技术利用SOI硅片制作传感器，使得微梁的厚度尺寸能够精准的控制。此外，由于SOI硅片的绝缘、绝热特性，本工艺制作的传感器还具有低环境噪声，较好耐高温性。3)本专利技术利用与质量块同厚度的大刚度的结构支撑梁使得优选尺寸的整个芯片的固有频率> 18KHz，使其具有很宽的频带，适应面广；此外，其还使得传感器在高量程作用下仍能线性地正常工作，，其z轴、x/y轴方向轴线加速度量程分别达到100，OOOgn, 10，OOOgn，其中gnS单位重力加速度值。4)本专利技术在敏感芯片上制作的所有掺杂电阻，包括敏感电阻和参考电阻均为同一工艺所制作，其物理性质相似度高，温度补偿性能更好，零点漂移更小。5)本专利技术合理设计质量块活动间隙，并采用一定真空条件下键合封装，以获得0.7左右的阻尼比，加之传感器有较高的固有频率，使得传感器具有较好的动态性能以及较大的Q值。本专利技术的制作方法具有工艺简单，操作简便，加工效率高，可靠性好，容易批量化生产的特点。【附图说明】图1是本专利技术的整体结构示意图；图2是本专利技术的加速度敏感芯片的结构示意图；图3是本专利技术中敏感电阻与参考电阻布片图，图4是本专利技术中解耦示意图:图(a)为加载z轴向线加速度Az时候，敏感芯片简化受力变形图；图(b)为加载y轴向线加速度Ay的时候，敏感芯片简化受力变形图；图(c)为加载X轴向线加速度Ax的时候，敏感芯片简化受力变形图；图(d)为加载z轴向角加速度Ez的时候，敏感芯片简化受力变形图；图(e)为加载X轴向角加速度Ex的时候，敏感芯片简化受力变形图；图(f)为加载y轴向角加速度Ey的时候，敏感芯片简化受力变形图；g表为六轴向加速度/角加速度感测与解耦表；图5是本专利技术中解耦电路原理图:图(a)为X轴和y轴轴向线加速度以及角加速度的解耦感测电路图；图(b)为z轴向线加速度解耦感测的细节电路图，图(C)为z轴向线加速度解耦感测整体电路图；图(b)和(C)图共同组成z轴向线加速度解耦感测电路图，图(d)为z轴向解耦感测的细节电路图，图(e)为z轴向解耦感测的整体电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种六轴一体式微加速度传感器，其特征在于：它包括通过键合连接在一起的敏感芯片(3)、上盖板(1)以及下盖板(2)三部分，所述敏感芯片(3)是由四个传感单元组成，每个传感单元包括结构支撑梁(4)、敏感微梁(5)、惯性质量块(6)以及固定框架(7)，所述每个惯性质量块(6)由一根结构支撑梁(4)和两根敏感微梁(5)与固定框架(7)中间岛部分相连，组成悬臂梁—质量块系统，所述两根敏感微梁(5)以结构支撑梁(4)为中心对称分布，连接质量块(6)与固定框架(7)中间岛之间，所述每个敏感微梁(5)上均有一个掺杂敏感电阻(9)用以构成惠斯通电桥进行六轴向运动间的感测与解耦。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨川，夏勇，孙文涛，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61