本发明专利技术公开了一种促进菊花扦插生根的方法，包括：从营养和生长良好的菊花母株上采取顶部插穗；将插穗下端浸泡在NAA和IBA的混合液中10～15min,之后消毒备用；将珍珠岩、蛭石、泥炭按质量比1:2:3～4混合作为扦插基质，消毒备用；用细竹棍在消毒后的扦插基质上插4～6cm深的小洞；将消毒后的插穗下端插入小洞内，每个小洞插一个插穗，适当压紧，浇透水，用1000倍的多菌灵溶液消毒；外罩聚乙烯薄膜以保持空气湿度,并覆盖遮阳网，生根过程中保持土温18～20℃，气温15～18℃，相对湿度85%～90%。本发明专利技术采用从营养和生长良好的母株上采取的顶部插穗进行扦插，促进了生根率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及花卉扦插
，具体涉及。
技术介绍
菊花是菊科、菊属多年生草本植物，茎直立，分枝或不分枝，被柔毛。叶卵形至披针形，羽状浅裂或半裂，有短柄，叶下面被白色短柔毛。头状花序，大小不一。总苞片多层，夕卜层外面被柔毛。舌状花颜色各种。管状花黄色。菊花神韵清奇、绚丽多姿，被誉为“花中君子”，具有很高的观赏价值。随着人们生活水平的日益提高，园林绿化、美化、亮化中对菊花的需求量日益增加。如今，菊花已成为世界花卉产业“四大切花”之一。菊花繁殖有无性繁殖和有性繁殖2种。有性繁殖多用于杂交育种，一般生产上很少使用。无性繁殖包括扦插、分株、嫁接、压条和组织培养等。扦插是利用菊花营养器官具有的再生能力，切取茎的一部分插入基质中，使其生根发芽成新植株的繁殖方法。扦插能够保持品种的优良性状，繁殖系数较高，成为菊花大规模工厂化生产的最优繁殖途径。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，以提高菊花扦插生根率。本专利技术采用以下技术方案:，包括如下步骤:步骤一、从营养和生长良好的菊花母株上采取顶部插穗，每个插穗8?12cm, 5?6个节，保留2?3个叶片，切口呈40?45度角；步骤二、将步骤一插穗下端浸泡在NAA和IBA的混合液中10?15min，之后消毒备用;步骤三、将珍珠岩、蛭石、泥炭按质量比1:2:3?4混合作为扦插基质，消毒备用；步骤四、用细竹棍在消毒后的扦插基质上插4?6cm深的小洞，株行距为9?IlcmX5 ?6cm ；步骤五、将消毒后的插穗下端插入步骤四的小洞内，每个小洞插一个插穗，适当压紧，浇透水，用1000倍的多菌灵溶液消毒；步骤六、外罩聚乙烯薄膜以保持空气湿度，并覆盖遮阳网，生根过程中保持土温18?20°C，气温15?18°C，相对湿度85%?90%。步骤二所述NAA和IBA的混合液中NAA质量浓度为5?10mg/L，IBA质量浓度为20 ?30mg/L。本专利技术的有益效果:1、母株营养和插穗部位对菊花扦插生根率有重要影响，本专利技术采用从营养和生长良好的母株上采取的顶部插穗进行扦插，促进了生根率。2、本专利技术采用珍珠岩、蛭石、泥炭按质量比I?2:1?2:3?4混合作为扦插基质，透气和排水性好，能均匀保持水分，为生根提供保障。3、本专利技术将插穗下端浸泡在NAA和IBA的混合液中10?15min之后再进行扦插，促进菊花插穗的生根和幼苗的成活率。【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术做进一步说明。下述实施例不以任何形式限制本专利技术，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均处于本专利技术的保护范围之中。，包括如下步骤:步骤一、从营养和生长良好的菊花母株上采取顶部插穗，每个插穗8?12cm, 5?6个节，保留2?3个叶片，切口呈40?45度角； 步骤二、将步骤一插穗下端浸泡在NAA和IBA的混合液中10?15min，之后消毒备用；其中，NAA和IBA的混合液中NAA质量浓度为5?10mg/L，IBA质量浓度为20?30mg/L ；步骤三、将珍珠岩、蛭石、泥炭按质量比1:2:3?4混合作为扦插基质，消毒备用；步骤四、用细竹棍在消毒后的扦插基质上插4?6cm深的小洞，株行距为9?IlcmX5 ?6cm ；步骤五、将消毒后的插穗下端插入步骤四的小洞内，每个小洞插一个插穗，适当压紧，浇透水，用1000倍的多菌灵溶液消毒；步骤六、外罩聚乙烯薄膜以保持空气湿度，并覆盖遮阳网，生根过程中保持土温18?20°C，气温15?18°C，相对湿度85%?90%。实施例11、从营养和生长良好的菊花母株上采取顶部插穗，每个插穗8cm，5个节，保留2个叶片，切口呈40度角；2、将步骤I插穗下端浸泡在NAA和IBA的混合液中lOmin，之后消毒备用；其中，NAA和IBA的混合液中NAA质量浓度为5mg/L，IBA质量浓度为20mg/L ；3、将珍珠岩、蛭石、泥炭按质量比1:2:3混合作为扦插基质，消毒备用；4、用细竹棍在消毒后的扦插基质上插4cm深的小洞，株行距为9cmX 5cm ；5、将消毒后的插穗下端插入步骤4的小洞内，每个小洞插一个插穗，适当压紧，浇透水，用1000倍的多菌灵溶液消毒；6、外罩聚乙烯薄膜以保持空气湿度，并覆盖遮阳网，生根过程中保持土温18?200C，气温15?18°C，相对湿度85%?90%。实施例21、从营养和生长良好的菊花母株上采取顶部插穗，每个插穗12cm，6个节，保留3个叶片，切口呈45度角；2、将步骤I插穗下端浸泡在NAA和IBA的混合液中15min，之后消毒备用；其中，NAA和IBA的混合液中NAA质量浓度为10mg/L，IBA质量浓度为30mg/L ；3、将珍珠岩、蛭石、泥炭按质量比1:2:4混合作为扦插基质，消毒备用；4、用细竹棍在消毒后的扦插基质上插6cm深的小洞，株行距为llcmX6cm ；5、将消毒后的插穗下端插入步骤4的小洞内，每个小洞插一个插穗，适当压紧，浇透水，用1000倍的多菌灵溶液消毒；6、外罩聚乙烯薄膜以保持空气湿度，并覆盖遮阳网，生根过程中保持土温18?200C，气温15?18°C，相对湿度85%?90%。实施例31、从营养和生长良好的菊花母株上采取顶部插穗，每个插穗810cm，5个节，保留2个叶片，切口呈45度角；2、将步骤I插穗下端浸泡在NAA和IBA的混合液中15min，之后消毒备用；其中，NAA和IBA的混合液中NAA质量浓度为8mg/L，IBA质量浓度为25mg/L ；3、将珍珠岩、蛭石、泥炭按质量比1:2:3混合作为扦插基质，消毒备用；4、用细竹棍在消毒后的扦插基质上插5cm深的小洞,株行距为10cmX5cm;5、将消毒后的插穗下端插入步骤4的小洞内，每个小洞插一个插穗，适当压紧，浇透水，用1000倍的多菌灵溶液消毒；6、外罩聚乙烯薄膜以保持空气湿度，并覆盖遮阳网，生根过程中保持土温18?200C，气温15?18°C，相对湿度85%?90%。【主权项】1.，其特征在于，包括如下步骤: 步骤一、从营养和生长良好的菊花母株上采取顶部插穗，每个插穗8?12cm, 5?6个节，保留2?3个叶片，切口呈40?45度角； 步骤二、将步骤一插穗下端浸泡在NAA和IBA的混合液中10?15min,之后消毒备用；步骤三、将珍珠岩、蛭石、泥炭按质量比1:2:3?4混合作为扦插基质，消毒备用；步骤四、用细竹棍在消毒后的扦插基质上插4?6cm深的小洞，株行距为9?IlcmX5 ?6cm ； 步骤五、将消毒后的插穗下端插入步骤四的小洞内，每个小洞插一个插穗，适当压紧，浇透水，用1000倍的多菌灵溶液消毒； 步骤六、外罩聚乙烯薄膜以保持空气湿度，并覆盖遮阳网，生根过程中保持土温18?200C，气温15?18°C，相对湿度85%?90%。2.根据权利要求1所述的促进菊花扦插生根的方法，步骤二所述NAA和IBA的混合液中NAA质量浓度为5?10mg/L，IBA质量浓度为20?30mg/L。【专利摘要】本专利技术公开了，包括：从营养和生长良好的菊花母株上采取顶部插穗；将插穗下端浸泡在NAA和IBA的混合液中10～15min,之后消毒备用；将珍珠岩、蛭石、泥炭按质量比1:2:3～4混合作为扦插基质，消毒备用；用细竹棍在消毒后的扦插基质上插4～6cm深的小洞；将消毒后的插穗下端插入小洞内，每个小本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种促进菊花扦插生根的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、从营养和生长良好的菊花母株上采取顶部插穗，每个插穗8～12cm，5～6个节，保留2～3个叶片，切口呈40～45度角；步骤二、将步骤一插穗下端浸泡在NAA和IBA的混合液中10～15min,之后消毒备用；步骤三、将珍珠岩、蛭石、泥炭按质量比1:2:3～4混合作为扦插基质，消毒备用；步骤四、用细竹棍在消毒后的扦插基质上插4～6cm深的小洞，株行距为9～11cm×5～6cm；步骤五、将消毒后的插穗下端插入步骤四的小洞内，每个小洞插一个插穗，适当压紧，浇透水，用1000倍的多菌灵溶液消毒；步骤六、外罩聚乙烯薄膜以保持空气湿度,并覆盖遮阳网，生根过程中保持土温18～20℃，气温15～18℃，相对湿度85%～90%。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡月，
申请(专利权)人：胡月，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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