树脂密封电子元件、带突起电极的板状构件、其制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够简便且有效地制造具有通孔电极(突起电极)及板状构件两者的树脂密封电子元件的树脂密封电子元件的制造方法。本发明专利技术是对电子元件进行了树脂密封的树脂密封电子元件的制造方法，其特征在于，所要制造的所述树脂密封电子元件包括基板、电子元件、树脂、板状构件、及突起电极，并且是在基板上形成有布线图的电子元件，所述制造方法具有由树脂密封电子元件的树脂密封工艺，在所述树脂密封工艺中，在板状构件的单面固定有突起电极的带有突起电极的板状构件中，在突起电极固定面和基板的布线图形成面之间，用树脂对电子元件进行密封，并且使突起电极与布线图接触。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】该申请以于2014年4月24日申请的日本申请特愿2014-090753为基础主张优先权，将其公开的所有内容纳入本说明书中。
本专利技术涉及一种树脂密封电子元件的制造方法、带有突起电极的板状构件、树脂密封电子元件、及带有突起电极的板状构件的制造方法。
技术介绍
在多数情况下，1C、半导体芯片等电子元件作为已被树脂密封的树脂密封电子元件而成形并使用。所述树脂密封电子元件可以是在树脂中埋入通孔电极(via electrodes)而形成的。该通孔电极能够以如下方式形成，例如在被树脂密封了的电子元件(封装，package)的所述树脂，从封装顶面形成用于形成通孔(via)的孔或槽(下面称为“通孔形成孔”)，并且用所述通孔电极形成材料(例如电镀，屏蔽(shield)材料等)填充所述通孔形成孔而形成。所述通孔形成孔，例如能够通过从封装顶面向所述树脂照射激光形成。另外，作为用于形成通孔电极的其他方法，提出了一种如下方法:将具有突起的金属结构体的所述突起与半导体芯片一同进行树脂密封后，去除所述金属结构体的所述突起以外的部分的方法(日本国特开2012-015216号公报)。该情况下，在树脂密封电子元件中，只有所述金属结构体的所述突起以被树脂密封的状态残留，其成为通孔电极。另一方面，树脂密封电子元件可以与用于使所述电子元件发出的热量散开而进行冷却的散热板(散热器)、或用于屏蔽所述电子元件发出的电磁波的屏蔽板(遮蔽板)等的板状构件一同成形(例如，日本国特开2013-187340号公报及日本国特开2007-287937号公报)。
技术实现思路
专利技术要解决的课题在树脂形成通孔形成孔的方法中，例如存在下述(1)-(5)等的问题。(I)因被树脂密封的电子元件(封装)的厚度偏差等所引起的、在基板的布线图上不能准确适当地形成通孔形成孔的深度等的现象。(2)树脂材料所包含的填充物容易残留在基板的布线图上。(3)根据在所述树脂挖出通孔形成孔的条件，可能会对搭载有电子元件的基板上的布线图带来损伤。(4)与所述(3)相关地，若树脂材料的填充物密度不同，则需要改变用于在所述树脂挖出通孔形成孔的激光的加工条件。即，对通孔形成孔的形成条件的控制变得繁杂。(5)根据上述(1)-(4)的影响，难以提高树脂密封电子元件制造的成品率。另一方面，在日本国特开2012-015216号公报的方法中，对金属结构体的所述突起进行树脂密封后，需要去除所述金属结构体的所述突起以外部分的工艺。从而，树脂密封电子元件的制造工艺变得繁杂，且会导致材料浪费。进一步地，在上述任一方法中，在形成通孔电极之后，必须通过电镀等来形成板状构件，因此导致工艺繁杂。另外，在日本国特开2013-187340号公报及日本国特开2007-287937号公报中，公开了具有板状构件的树脂密封电子元件及其制造方法，但是并没有公开在形成通孔电极时能够用于解决所述各个方法的课题的方法。如上所述，能够简便且有效地制造具有通孔电极及板状构件两者的树脂密封电子元件的技术还不存在。由此，本专利技术的目的在于提供一种，能够简便且有效地制造具有通孔电极及板状构件两者的树脂密封电子元件的树脂密封电子元件的制造方法、带有突起电极的板状构件、树脂密封电子元件、及带有突起电极的板状构件的制造方法。解决课题的方法为了达到所述目的，基于本专利技术的树脂密封电子元件的制造方法(下面，有时会仅称为“本专利技术的制造方法”)，其为对电子元件进行树脂密封的树脂密封电子元件的制造方法，其特征在于，所要制造的所述树脂密封电子元件，其包括基板、电子元件、树脂、板状构件、及突起电极，并且是在所述基板上形成有布线图的树脂密封电子元件，所述制造方法具有用所述树脂对所述电子元件进行密封的树脂密封工艺，在所述树脂密封工艺中，在所述板状构件的单面固定有所述突起电极的带有突起电极的板状构件中，在所述突起电极固定面和所述基板的所述布线图形成面之间，用所述树脂对所述电子元件进行密封，并且使所述突起电极与所述布线图接触。本专利技术的带有突起电极的板状构件是使用于所述本专利技术的制造方法的带有突起电极的板状构件，其特征在于，所述突起电极固定在所述板状构件的单面。本专利技术的树脂密封电子元件，其是对电子元件进行了树脂密封的树脂密封电子元件，所述树脂密封电子元件包括基板、电子元件、树脂、及所述本专利技术的带有突起电极的板状构件，所述电子元件配置在所述基板上，并且被所述树脂密封，在所述基板上的所述电子元件配置侧，形成有布线图，所述突起电极贯通所述树脂而与所述布线图接触。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种，能够简便且有效地制造具有通孔电极(突起电极)及板状构件两者的树脂密封电子元件的树脂密封电子元件的制造方法、带有突起电极的板状构件、树脂密封电子元件、及带有突起电极的板状构件的制造方法。【附图说明】图1是示出本专利技术带有突起电极的板状构件的结构的一例的立体图。图2是举例示出本专利技术带有突起电极的板状构件中的、突起电极的结构的立体图。图3是示出本专利技术树脂密封电子元件的结构的一例的剖视图。图4是举例示出采用传递模塑法的本专利技术制造方法的剖视图。图5是举例示出采用压缩成形的本专利技术制造方法的一例的一工艺的剖视图。图6是举例示出与图5相同的制造方法中的另一工艺的剖视图。图7是举例示出与图5相同的制造方法中的又一工艺的剖视图。图8是举例示出与图5相同的制造方法中的又一工艺的剖视图。图9是举例示出采用压缩成形的本专利技术制造方法中的另一例的一工艺的剖视图。图10是举例示出与图9相同的制造方法中的另一工艺的剖视图。图11是举例示出采用压缩成形的本专利技术制造方法中的又一例的一工艺的剖视图。图12是举例示出与图11相同的制造方法中的另一工艺的剖视图。图13是举例示出与图11相同的制造方法中的又一工艺的剖视图。图14是举例示出与图11相同的制造方法中的两外其他一工艺的剖视图。图15是举例示出采用压缩成形的本专利技术的制造方法中的其他另一例的一工艺的首1J视图。图16是举例示出采用压缩成形的本专利技术的制造方法中的其他又一例的一工艺的首1J视图。图17是举例示出采用压缩成形的本专利技术的制造方法中的其他又一例的剖视图。图18是举例示出采用压缩成形的本专利技术的制造方法中的其他又一例的剖视图。图19是举例示出采用压缩成形的本专利技术的制造方法中的其他又一例的一工艺的首1J视图。图20是举例示出采用压缩成形的本专利技术的制造方法中的其他又一例的一工艺的首1J视图。图21是举例示出采用压缩成形的本专利技术的制造方法中的其他又一例的剖视图。图22是举例示出采用压缩成形的本专利技术的制造方法中的其他又一例的剖视图。【具体实施方式】接着，关于本专利技术，举例进行更详细的说明。但是，本专利技术不限定于以下说明。在本专利技术的制造方法中，所述突起电极的数量是任意的，没有特别的限定，可以是一个，也可以是多个。对所述突起电极的形状没有特别的限定。另外，所述突起电极为多个的情况下，这些的形状也可以互相相同，也可以互相不同。例如所述突起电极的至少一个是带有贯通孔的突起电极也可。更具体而言，所述带有贯通孔的突起电极中的所述贯通孔，也可以是朝向与所述板状构件的板面呈平行的方向贯通的贯通孔。对于所述带有贯通孔的突起电极而言，在与固定在所述板状构件的一端呈相反侧的端部，具有朝向与所述板状构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种树脂密封电子元件的制造方法，其为对电子元件进行树脂密封的树脂密封电子元件的制造方法，其特征在于，所要制造的所述树脂密封电子元件，其包括基板、电子元件、树脂、板状构件、及突起电极，并且其为在所述基板上形成有布线图的树脂密封电子元件，所述制造方法具有用所述树脂对所述电子元件进行密封的树脂密封工艺，在所述树脂密封工艺中，在所述板状构件的单面固定有所述突起电极的带有突起电极的板状构件中，在所述突起电极固定面和所述基板的所述布线图形成面之间，用所述树脂对所述电子元件进行密封，并且使所述突起电极与所述布线图接触。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：冈田博和，浦上浩，天川刚，三浦宗男，
申请(专利权)人：东和株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP