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一种用于压电能量收集器的整流电路制造技术

技术编号:12265883 阅读:79 留言:0更新日期:2015-10-31 11:45
本发明专利技术公开了一种用于压电能量收集器的整流电路,解决现有电路在压电能量收集器整流电压大于2.5V的情况下,电路的能耗较大、压电能量收集器效率低的问题,本发明专利技术包括全波整流桥(2)和有源二极管电路(4),还包括偏置电路(3),全波整流桥(2)的输出端分别连接有源二极管电路(4)和偏置电路(3)的输入端,偏置电路(3)的输出端连接有源二极管电路(4)中比较器的偏置电压端,有源二极管电路(4)的输出端接有储能电容C3。本发明专利技术的优点是:功耗较小,能量转换效率高,能保证无线网络传感节点负载的能量需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微能量收集
,具体涉及一种用于压电能量收集器的整流电 路。
技术介绍
目前,无线传感器节点的传统电池供电方式存在存储能量有限、寿命短,定期更换 电池会使成本大幅增加,有的场合甚至不可能实现更换等缺陷。而自然环境中充满了大量 的环境能量,如太阳能、热能、风能、电磁能以及振动能等,因此基于环境能量收集技术,利 用换能器将不同的环境能量转换成电能,再经过电源管理专用电路进行高效的管理与调 节,从而构成一种新型的免维护、长寿命的自供电电源,满足无线传感器节点对电源高效、 环保、独立、持久的需求。由于振动能是一种广泛存在的能量形式,特别是广泛存在于汽车、 飞机、桥梁等大型机械、建筑结构中,因此通过压电能量换能器收集振动能具有普遍意义和 广泛的应用前景。 与传统宏结构尺寸的能量收集器相比,MEMS压电能量收集器具有体积小、重量轻、 功率密度大、便于集成等诸多优点。但是,由于受尺寸体积的限制,MEMS压电能量收集器总 的输出功率较低,一般为uW级,输出阻抗高,输出电流小仅有yA级,不能直接为后续无线 传感器节点等负载供电。 aAnInput-PoweredActiveAC/DCConverterwithZeroStandbyPower forEnergyHarvestingApplication(-种适用于能量收集零待机功耗的自供电有 源AC/DC整流电路)",YuanRa。,DavidP.Arnold,EnergyConversionCongressand Exposition(ECCE),2010IEEE,第4441~4446页记载了一种适用于压电能量收集的AC/DC 整流电路,它将全波整流电路直接与有源二极管电路(ActiveDiode)相连接。全波整流电 路将能量收集器获得的交流电转化为直流电,以便存储电能;有源二极管电路由一个比较 器和一个PM0S管组成,其作用是控制电流的流向,避免电流从输出端倒灌至输入端。 该电路存在的问题是:有源二极管电路中的偏置电压(偏置电压是指比较器中用 于产生偏置电流的NM0S管的栅端电压)由全波整流后的电压直接提供,在全波整流桥输出 电压在2. 5V以下时,有源二极管电路能耗较小。然而在较多情况下,MEMS压电能量收集器 经全波整流后的电压能够达到2. 5V-5V,在偏置电压高于2. 5V的情况下,有源二极管电路 将消耗较大的能量,降低了压电能量收集器的效率。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题,本专利技术所要解决的技术问题就是提供一种用于压电能 量收集器的整流电路,它在压电能量收集器整流电压大于2. 5V的情况下,能减小电路的功 耗,提高能量收集器的效率。 为了解决上述技术问题,本专利技术包括全波整流桥和有源二极管电路,还包括偏置 电路,全波整流桥的输出端分别连接有源二极管电路和偏置电路的输入端,偏置电路的输 出端连接有源二极管电路中比较器的偏置电压端,有源二极管电路的输出端接有储能电容C3〇 由于有源二极管电路中比较器的偏置电压依靠偏置电路提供,偏置电路的输出电 压设置为〇. 7V以下,该偏置电压值能够使有源二极管电路中的NM0S场效应管工作在亚阈 值区,从而有效降低功耗,且偏置电路本身功耗也很低,所以本专利技术的电路功耗较小,提高 了能量收集器的效率。 本专利技术的优点是:功耗较小,能量转换效率高,能保证无线网络传感节点负载的能 量需求。【附图说明】 本专利技术的【附图说明】如下: 图1为本专利技术的原理框图; 图2为本专利技术的原理电路图。 图中:1.压电能量收集器;2.全波整流桥;3.偏置电路;4.有源二极管电路。【具体实施方式】 下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明: 如图1和图2所示,本专利技术包括全波整流桥2和有源二极管电路4,还包括偏置电 路3,全波整流桥2的输出端分别连接有源二极管电路4和偏置电路3的输入端,偏置电路 3的输出端连接有源二极管电路4中比较器的偏置电压端,有源二极管电路4的输出端接有 储能电容C3。 本专利技术工作的原理是:压电能量收集器1产生的电能输送至全波整流桥2,整流后 将电能输送至低能量存储单元C1,低能量存储单元C1为偏置电路3提供电源,偏置电路3 为有源二极管电路4的电压比较器提供稳定的偏置电压,此时,整流后的电能由有源二极 管电路4输送至高能量存储单元C3。存储单元C3的电压在2. 5V~5V范围内。 如图2所示,在偏置电路3中,电容C1作为低电量存储单元,为偏置电路3提供电 压。二极管Dl、D2、D3作为降压管为C1降低存储电压,三个二极管可以使电压降低2V(三 个二极管连接点处可引出四个引脚,根据实际应用中所对应能量收集电压值,悬空或连接 不同引脚,自主性选择连入电路的二极管数量为〇、1、2或3,保证偏置电路正常工作),减小 了偏置电路的工作电压,从而保证偏置电路3较低功耗,同时也降低了偏置电路3的输出电 压,降低至0. 7V以下。该偏置电路3包含8个M0S管,M2、M5、M8为PM0S组成电流镜,M1、 M4为PM0S通过向漏端注入电流构成启动电路,M2、M6、M7和M8组成负反馈回路,M5、M7和 M8构成正反馈回路,但M2、M5、M6、M7与M8构成的合反馈回路为负反馈,以保持电路输出电 压的稳定。 若M2、M5漏电流产生电流增量AIMjPAIM5,M2、M5和M8构成电流镜,则有 IM2=GIM5 (1) AIM2=GAIM5 (2) 式中G为M6和M8的宽长比〇) 式中W、L分别为对应M0S管的宽度和长度。 M2漏电流的小信号增量具有如下关系 AIM6=AIM2 ?R?gnM6 ⑷ 式中为M6管的跨导,R为M2漏端与地之间等效电阻,并且有 (5)式中,VTH为M6管的阈值电压,VDSatM6是M6管的漏源饱和电压。 将式(5)和(6)代入(4)中可得 同样地,M7与M8也符合式(7)的关系,即AIM7>AIMS。 式(7)表明,M6的漏电压和M7的栅电压将会减小,从而M2、M5、M7和M8的漏电流 将会减小,因此M2、M5、M6、M7和M8构成的合反馈回路为负反馈。 为保证偏置电路3能够将输出电压控制在0. 7V以下,电路中的M3使用二极管方 式连入电路,与R1 -起产生较大的MQ级电阻,使得M2管的漏电流维持在nA级。通过M2 电流镜镜像作用,使得整个电路能够工作在亚阈值状态,从而保证了偏置电路3的输出电 压在0. 7V以下。图中,M6管漏端电压即为本专利技术中所需要的偏置电压。 偏置电路是指向有源二极管电路4提供0. 7V以下偏置电压的电路,除上述的偏置 电路 3 以外,偏置电路还有:如 2003 年 1 月,IEEEJOURNALOFSOLID-STATECIRCUITS第 38 卷第 1 期 15卜154 页上记载了G.Giustolisi,G.Palumbo等人的"ALow-VoltageLow-Power VoltageReferenceBasedonSubthresholdMOSFETs(基于亚阈值M0S场效应管低电压 低功耗电压基准)";2009 年 10 月,IEEEJOURNALOFSOLID-STATECIRCUITS第 44 卷第 10 期 465-474 页上记载了Ipp本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种用于压电能量收集器的整流电路,包括全波整流桥(2)和有源二极管电路(4),其特征是:还包括偏置电路(3),全波整流桥(2)的输出端分别连接有源二极管电路(4)和偏置电路(3)的输入端,偏置电路(3)的输出端连接有源二极管电路(4)中比较器的偏置电压端,有源二极管电路(4)的输出端接有储能电容C3。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:余华吴汉卢山易小周
申请(专利权)人:重庆大学
类型:发明
国别省市:重庆;85

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