本发明专利技术提供一种基于软硅的导电粉体材料的制备方法，涉及新材料及复合材料领域，包括如下步骤：将可分解的银化合物溶解于水，形成均一的银化合物水溶液；将所得的银化合物水溶液与软硅按(1～9)：10的比例进行混合，搅拌使软硅充分吸收银化合物水溶液；软硅充分吸收银化合物水溶液后，对软硅进行加热处理，使银化合物分解，形成银单质，并吸附于软硅的孔道内和表面，加热温度为450～500℃；将所得粉体烘干、打散即得导电粉体材料。本发明专利技术制得的导电粉体材料，内部相通，能够形成良好的导电通路。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新材料及复合材料领域，具体涉及一种。
技术介绍
随着现代工业的高速发展，导电粉体材料作为一种特殊功能材料得到了广泛的应用。导电粉体材料本身就是一种独立的功能材料，目前它主要以导电填料的形式应用于高分子材料，使其具有导电性、抗静电、屏蔽电磁波等功能。常用的导电粉体为金属系粉体、碳系粉体、掺杂后的金属氧化物粉体和导电高分子材料。金属粉体导电性强，但价格昂贵、易氧化、耐腐蚀性差。且金属导电粉体密度大，易沉底结块因而在基体中分散性不好。银系的导电性最高，体积电阻可达10-4?10-5 Ω.αιι3，具有优良的屏蔽性能，但由于价格昂贵，除在特殊要求的领域外，一般应用不多。目前，复合导电粉体材料得到了广泛的关注。复合导电粉体材料不仅具备导电粉体材料的各种性能，而且大大地降低了成本。但是在现实加工中，会出现复合材料分离或者导电颗粒间不能形成通路等问题，造成应用的局限性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有技术的缺陷，进一步提出一种。本专利技术所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现:—种，其特征在于，包括如下步骤:(I)将可分解的银化合物溶解，形成均一的银化合物溶液；(2)将所得的银化合物溶液与软硅按(I?9): 10的质量比进行混合，搅拌使软硅充分吸收银化合物溶液，银化合物溶液的质量以银计；(3)软硅充分吸收银化合物溶液后，对软硅进行加热处理，使银化合物分解，形成银单质，并吸附于软硅的孔道内和表面，加热温度为450?600°C ;(4)将所得粉体烘干、打散即得导电粉体材料；所述软娃为一种粒径在0.1?30微米范围内的多孔二氧化娃粉体材料。软娃是一种新型二氧化娃分体材料，英文名称siliesoft,粒径可以控制在0.1-30微米范围内。软硅具有多孔结构的特点，孔道内部互相连结，孔容达到lcm3/g，比表面积达到240m2/g，这些特性决定了软硅优良的吸附性能。除此之外，软硅还具有比重轻，熔点低，流动性好，颗粒均匀，硬度低等特点。可广泛应用于机械、日用化工、生物医药、建筑、航空航天、农业等领域。利用软硅作为载体，易分解的银化合物为单质银的来源，浸润于软硅孔道及表面，在一定条件下分解为银单质，从而形成一种特殊的导电粉体材料。进一步地，对步骤(4)制得的导电粉体材料重复进行(2)、(3)、(4)的步骤，一次或多次，以得到含银量不同的产品。作为优选，所述可分解的银化合物为AgI或AgN03。所述银化合物溶液包括一切可以分解的银盐的溶液，如Ag1、AgNO3X2H3O2Ag等，以及一些银的络合物，如银氨溶液等。本专利技术所述制备导电粉体材料的方法也适用于利用Cu、Sn及其化合物为金属来源。本专利技术的有益效果为:本专利技术提供一种，制得的导电粉体材料，内部相通，能够形成良好的导电通路。可广泛应用于电子、电器、航空、涂料、化工、印刷、包装、船舶、军工等领域，适用于生产导电涂料、抗静电涂料、导电塑料、导电橡胶、导电静电纸、电子元件、电器设备外壳、印刷电路版等。【附图说明】图1为4微米软硅的SEM图片；图2为软硅吸附两次银化合物溶液形成的复合导电颗粒的SEM图片。【具体实施方式】为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本专利技术，但下述实施例仅仅为本专利技术的优选实施例，并非全部。基于实施方式中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其它实施例，都属于本专利的保护范围。实施例14um软娃，AgI晶体，KI晶体，去离子水。配制10 %的KI水溶液；将AgI溶解于KI水溶液中，制得Ag1-KI水溶液，每1g溶液中含有20g AgI。将上述浓度的Ag1-KI水溶液与软硅按质量比2:5?7:10的比例进行混合，搅拌下进行吸附；把吸附了 AgI溶液的软硅复合粉体，打散过250目筛，筛上再打散过筛，直至完全过筛；将打散过筛的软硅复合粉体，放入电炉中加热至500°C，保温Ih ；出电炉，置凉。还可将产生的一次产物依照上述过程，进行二次、三次…吸附，可以得到含银量不同规格的产品。由于AgI难以形成所需浓度的水溶液，故利用相似相溶原理，配制成Ag1-KI溶液，再进行吸附。实施例2配制质量分数75 %的AgNO3溶液；取上述浓度的AgNO3溶液与软硅按质量比2:5?7:10的比例进行混合，搅拌下进行吸附；将吸附完复合粉体放入电炉中加热至450°C，保温Ih ；出电炉，置凉。还可将产生的一次产物依照上述过程，进行二次、三次…吸附，可以得到含银量不同规格的产品。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本专利技术的优选例，并不用来限制本专利技术，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。【主权项】1.一种，其特征在于，包括如下步骤: (1)将可分解的银化合物溶解，形成均一的银化合物溶液； (2)将所得的银化合物溶液与软硅按(I?9):10的质量比进行混合，搅拌使软硅充分吸收银化合物溶液，银化合物溶液的质量以银计； (3)软硅充分吸收银化合物溶液后，对软硅进行加热处理，使银化合物分解，形成银单质，并吸附于软硅的孔道内和表面，加热温度为450?600°C ; (4)将所得粉体烘干、打散即得导电粉体材料； 所述软娃为一种粒径在0.1?30微米范围内的多孔二氧化娃粉体材料。2.根据权利要求1所述，其特征在于:对步骤(4)制得的导电粉体材料重复进行(2)、(3)、(4)的步骤，一次或多次，以得到含银量不同的产品O3.根据权利要求1所述，其特征在于:所述可分解的银化合物为AgI或AgNO3。【专利摘要】本专利技术提供一种，涉及新材料及复合材料领域，包括如下步骤：将可分解的银化合物溶解于水，形成均一的银化合物水溶液；将所得的银化合物水溶液与软硅按(1～9)：10的比例进行混合，搅拌使软硅充分吸收银化合物水溶液；软硅充分吸收银化合物水溶液后，对软硅进行加热处理，使银化合物分解，形成银单质，并吸附于软硅的孔道内和表面，加热温度为450～500℃；将所得粉体烘干、打散即得导电粉体材料。本专利技术制得的导电粉体材料，内部相通，能够形成良好的导电通路。【IPC分类】H01B13/00, H01B1/16【公开号】CN105006297【申请号】CN201510335028【专利技术人】蒋学鑫, 王亚娟, 秦永法, 郭敬新 【申请人】安徽壹石通材料科技股份有限公司【公开日】2015年10月28日【申请日】2015年6月12日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于软硅的导电粉体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将可分解的银化合物溶解，形成均一的银化合物溶液；(2)将所得的银化合物溶液与软硅按(1～9)：10的质量比进行混合，搅拌使软硅充分吸收银化合物溶液，银化合物溶液的质量以银计；(3)软硅充分吸收银化合物溶液后，对软硅进行加热处理，使银化合物分解，形成银单质，并吸附于软硅的孔道内和表面，加热温度为450～600℃；(4)将所得粉体烘干、打散即得导电粉体材料；所述软硅为一种粒径在0.1～30微米范围内的多孔二氧化硅粉体材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋学鑫，王亚娟，秦永法，郭敬新，
申请(专利权)人：安徽壹石通材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。