【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
一般来说,本专利技术涉及射频电路领域,以及更具体来说,涉及PIN二极管衰减器领域。
技术介绍
衰减器电路在RF、UHF和微波电路中得到广泛使用。这些衰减器电路的常见装置是PIN二极管。PIN二极管基本上是其在RF、UHF和微波频率的阻抗通过经过PIN二极管的电流来控制。PIN二极管是一种半导体二极管,其中高电阻率本征I区夹在P型与N型区之间。当PIN二极管正向偏置时,空穴和电子注入I区中。这些电荷没有立即相互消灭;它们而是在称作载流子寿命的平均时间保持活动。这产生平均存储电荷,其降低I区的有效电阻。因此,PIN二极管用作在所述频率的电压控制电阻器。PIN二极管衰减器是一种装置,其响应于准确激励(例如电压偏置)而提供预定衰减值。常规PIN二极管衰减器的典型实现包括图1所示的正交混合电路。这个常规PIN二极管衰减器提供在所有衰减等级的匹配阻抗和高线性度。但是,这种常规PIN二极管衰减器由于在高衰减等级的偏置电压准确性而对本征PIN二极管波动极为敏感。因此,常规PIN二极管衰减器的陷波点由于本征PIN二极管变化而波动。这引起制造的PIN二极管衰减器的有限可重复性。要求通过生成偏置电压相对于制造的常规PIN二极管衰减器的对应衰减的查找表的校准。为了改进常规PIN二极管衰减器,先前已提出若干解决方案。US6973288B1中公开一种线性化器电路。在这种解决方案中,使用两个衰减器控制输入,从而使衰减器的复杂度增加。这种解决方案的基本功能是提供控制信号与衰减之间的线性关系。这种解决方案的更严重缺点在于,衰减将由于 ...
【技术保护点】
一种PIN二极管电路(301),包括:RF输入(302),其经由第一DC阻断电路(B301)耦合到第一结点(J301);恒压源(DC301),其经由第一DC馈电电路(106)耦合到所述第一结点(J301),其中所述恒压源(DC301)配置成对所述第一结点(J301)进行DC偏置;第一PIN二极管(D301),其中,其阳极耦合到所述第一结点(J301),并且其阴极经由第二DC阻断电路(B303)耦合到第二PIN二极管(D302)的阳极,其中所述第二PIN二极管(D302)的阴极配置成耦合到地电位;可调电压源(DC302),其经由第二DC馈电电路(B304)耦合到第二结点(J302),其中所述第二结点(J302)经由第一电阻器(Z301)耦合到所述第一PIN二极管(D301)的阴极,所述第二结点(J302)还经由第二电阻器(Z302)耦合到所述第二PIN二极管(D302)的阳极;由此所述第一PIN二极管(D301)和所述第二PIN二极管(D302)的RF电阻通过调整地电位与所述第一结点(J301)处的所述恒压源(DC301)所提供的所述恒压之间的所述可调电压源(DC302)的电压来控制。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1. 一种PIN二极管电路(301),包括:
RF输入(302),其经由第一DC阻断电路(B301)耦合到第一结点(J301);
恒压源(DC301),其经由第一DC馈电电路(106)耦合到所述第一结点(J301),其中所述恒压源(DC301)配置成对所述第一结点(J301)进行DC偏置;
第一PIN二极管(D301),其中,其阳极耦合到所述第一结点(J301),并且其阴极经由第二DC阻断电路(B303)耦合到第二PIN二极管(D302)的阳极,其中所述第二PIN二极管(D302)的阴极配置成耦合到地电位;
可调电压源(DC302),其经由第二DC馈电电路(B304)耦合到第二结点(J302),其中所述第二结点(J302)经由第一电阻器(Z301)耦合到所述第一PIN二极管(D301)的阴极,所述第二结点(J302)还经由第二电阻器(Z302)耦合到所述第二PIN二极管(D302)的阳极;
由此所述第一PIN二极管(D301)和所述第二PIN二极管(D302)的RF电阻通过调整地电位与所述第一结点(J301)处的所述恒压源(DC301)所提供的所述恒压之间的所述可调电压源(DC302)的电压来控制。
2. 如权利要求1所述的PIN二极管电路(301),其中,所述第一和所述第二DC馈电电路(B302,B304)包括串联电感器。
3. 如权利要求1所述的PIN二极管电路,其中,所述第一和所述第二DC阻断电路(B301,B303)包括串联电容器。
4. 如权利要求1所述的PIN二极管电路,其中,所述可调电压源(DC302)包括数模转换器。
5. 如权利要求1所述的PIN二极管电路,其中,所述第一和所述第二电阻器(Z301,Z302)各为50欧姆。
6. 一种PIN二极管衰减器(501),包括:
RF输入端口(502);
RF输出端口(503);
正交混合电路504,具有连接到所述RF输入端口502的第一端口A和连接到所述RF输出端口503的第二端口B,所述正...
【专利技术属性】
技术研发人员:H孙,
申请(专利权)人:爱立信中国通信有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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