一种第二代身份证信息读取器的射频电路制造技术

本实用新型专利技术涉及身份证信息读取技术领域，具体地说是一种第二代身份证信息读取器的射频电路，包括身份证安全控制模块，控制芯片与射频芯片通过并行接口连接，通过串口与公安部发行的专用身份证安全控制模块连接，用于读取身份证中的信息，且同时给专用身份证安全控制模块供电，从而将读取到的串口信息转换成USB接口信息，不再需要安装驱动。本实用新型专利技术具有体积小、质量轻的特点，便于与公安部发行的第二代身份证阅读模块连接使用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及身份证信息读取
，具体地说是一种第二代身份证信息读取器的射频电路。
技术介绍
从发行第一代身份证后，身份证信息开始逐渐在应用场合被使用，包括姓名、住址、身份证号等。我国从2004年开始换发第二代智能身份证，采用非接触IC卡技术，可以利用身份证安全控制模块直接读取身份证内的信息并通过相应的接口模块直接采集信息到PC机，简洁方便，快速安全。但现在的很多模块采用将第二代身份证阅读模块上传的串口信息转换成PS/2接口信息，需要安装驱动，将对使用造成一定的不便。为了解决这一问题，需要设计一种无需安装驱动的第二代身份证信息读取器的射频电路。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术的不足，提供了一种无需安装驱动的第二代身份证信息读取器的射频电路。为了达到上述目的，本技术是一种第二代身份证信息读取器的射频电路，包括身份证安全控制模块，其特征在于:身份证安全控制模块的17号引脚、20号引脚、24号引脚、23号引脚、29号引脚、31号引脚分别与控制芯片的PBll引脚、PBlO引脚、PB8引脚、PB9引脚、PA9引脚以及PAlO引脚连接，控制芯片的PAO引脚、PAl引脚、PA2引脚、PA 3引脚、PA4引脚、PA5引脚、PA6引脚、PA7引脚分别与射频芯片的DO引脚、Dl引脚、D2引脚、D3引脚、D4引脚、D5引脚、D6引脚以及D7引脚连接，控制芯片的PC13引脚、PC14引脚、PC15引脚分别与射频芯片的AO引脚、Al引脚以及A2引脚连接，控制芯片的PB4引脚、PB5引脚、PBl引脚、PA13引脚分别与射频芯片的NWR引脚、NRD引脚、NCS引脚以及IRQ引脚连接，射频芯片的ALE引脚串联电阻一后，与3.3V电源端连接，射频芯片的RSTPD引脚与电容一的一端连接，射频芯片的OSCIN引脚分两路分别与晶振的一端以及电容二的一端连接，射频芯片的OSCOUT引脚分两路分别与晶振的另一端以及电容三的一端连接，电容一的另一端、电容二的另一端以及电容三的另一端模拟接地，射频芯片的VMID引脚分两路分别与电容四的一端以及电阻二的一端连接，电容四的另一端模拟接地，电阻二的另一端分两路分别与电阻三的一端以及射频芯片的RX引脚连接，电阻三的另一端串联电容五后，与电阻四的一端连接，射频芯片的TXl引脚、TX2引脚分别与磁珠一的一端以及磁珠四的一端连接，磁珠一的另一端分三路分别与电容六的一端、电容七的一端以及电容八的一端连接，电容六的另一端分两路分别与电阻四的另一端以及射频变压器的3号端口连接，磁珠四的另一端分四路分别与电容九的一端、电容十的一端、电容^ 的一端以及电容十二的一端连接，电容七的另一端、电容八的另一端、电容九的另一端、电容十的另一端模拟接地，电容十一的另一端分两路分别与电容十二的另一端以及射频变压器的2号端口连接，射频变压器的I号端口分两路分别与屏蔽座的2号端口以及电阻五的一端连接，电阻五的另一端模拟接地，射频变压器的4号端口与屏蔽座的I号端口连接，射频芯片的TCDD引脚分四路分别与磁珠二的一端、电容十三的一端、电容十四的一端以及片式电容器一的正极连接，磁珠二的另一端分两路分别与磁珠三的一端以及贴片电阻一的一端连接，磁珠三的另一端分四路分别与射频芯片的AVDD引脚、电容十五的一端、电容十六的一端以及片式电容器二的正极连接，贴片电阻一的另一端与电感线圈的I号端口连接，电感线圈的2号端口串联贴片电阻二后，与磁珠五的一端连接并模拟接地，磁珠五的另一端、电容十七的一端数字接地，电容十七的另一端、射频芯片的DVDD引脚与3.3V电源端连接，射频芯片的TVSS引脚、AVSS引脚、电容十三的另一端、电容十四的另一端、片式电容器一的负极、电容十五的另一端、电容十六的另一端以及片式电容器二的负极模拟接地，电感线圈的4号端口串联贴片电阻三后，分三路与5V电源端、电容十八的一端以及电容十九的一端连接，电感线圈的3号端口与贴片电阻四的一端连接，贴片电阻四的另一端、电容十八的另一端、电容十九的另一端接地。所述的身份证安全控制模块为公安部发布的专用身份证安全控制模块，型号为SAM_A。所述的控制芯片的型号为STM32F103CBT6，所述的射频芯片的型号为MFRC531。所述的晶振型号为HC49S。所述的磁珠一、磁珠二、磁珠三以及磁珠四的型号为0805，所述的磁珠五的型号为1206ο所述的射频变压器型号为1812WBT。所述的屏蔽座型号为JS_CMP2MS1-125。所述的片式电容器一、片式电容器二型号为CA45-B。所述的电感线圈型号为ACM4520-142-2P。本技术同现有技术相比，设计了 USB接口的第二代身份证信息读取器电路结构，控制芯片与射频芯片通过并行接口连接，通过串口与公安部发行的专用身份证安全控制模块连接，用于读取身份证中的信息，且同时给专用身份证安全控制模块供电，从而将读取到的串口信息转换成USB接口信息，不再需要安装驱动。本技术具有体积小、质量轻的特点，便于与公安部发行的第二代身份证阅读模块连接使用。【附图说明】图1为本技术的电路示意图一。图2为本技术的电路示意图二。【具体实施方式】现结合附图对本技术做进一步描述。参见图1和图2，本技术一种第二代身份证信息读取器的射频电路，包括身份证安全控制模块。身份证安全控制模块P002的17号引脚、20号引脚、24号引脚、23号引脚、29号引脚、31号引脚分别与控制芯片STM的PBll引脚、PBlO引脚、PB8引脚、PB9引脚、PA9引脚以及PAlO引脚连接，控制芯片STM的PAO引脚、PAl引脚、PA2引脚、PA 3引脚、PA4引脚、PA5引脚、PA6引脚、PA7引脚分别与射频芯片U810的DO引脚、Dl引脚、D2引脚、D3引脚、D4引脚、D5引脚、D6引脚以及D7引脚连接，控制芯片STM的PC13引脚、PC14引脚、PC15引脚分别与射频芯片U810的AO引脚、Al引脚以及A2引脚连接，控制芯片STM的PB4引脚、PB5引脚、PBl引脚、PA13引脚分别与射频芯片U810的NWR引脚、NRD引脚、NCS引脚以及IRQ引脚连接，射频芯片U810的ALE引脚串联电阻一 R826后，与3.3V电源端连接，射频芯片U810的RSTH)引脚与电容一 C831的一端连接，射频芯片U810的OSCIN引脚分两路分别与晶振Y801的一端以及电容二 C832的一端连接，射频芯片U810的OSCOUT引脚分两路分别与晶振Y801的另一端以及电容三C833的一端连接，电容一 C831的另一端、电容二C832的另一端以及电容三C833的另一端模拟接地，射频芯片U810的VMID引脚分两路分别与电容四C817的一端以及电阻二 R823的一端连接，电容四C817的另一端模拟接地，电阻二 R823的另一端分两路分别与电阻三R824的一端以及射频芯片U810的RX引脚连接，电阻三R824的另一端串联电容五C818后，与电阻四R825的一端连接，射频芯片U810的TXl引脚、TX2引脚分别与磁珠一 L801的一端以及磁珠四L804的一端连接，磁珠一 L801的另一端分三路分别与电容六C819的一端、电容七C820的一端以及电容八C821的一端连接，电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种第二代身份证信息读取器的射频电路，包括身份证安全控制模块，其特征在于：身份证安全控制模块（P002）的17号引脚、20号引脚、24号引脚、23号引脚、29号引脚、31号引脚分别与控制芯片（STM）的PB11引脚、PB10引脚、PB8引脚、PB9引脚、PA9引脚以及PA10引脚连接，控制芯片（STM）的PA0引脚、PA1引脚、PA2引脚、PA 3引脚、PA4引脚、PA5引脚、PA6引脚、PA7引脚分别与射频芯片（U810）的D0引脚、D1引脚、D2引脚、D3引脚、D4引脚、D5引脚、D6引脚以及D7引脚连接，控制芯片（STM）的PC13引脚、PC14引脚、PC15引脚分别与射频芯片（U810）的A0引脚、A1引脚以及A2引脚连接，控制芯片（STM）的PB4引脚、PB5引脚、PB1引脚、PA13引脚分别与射频芯片（U810）的NWR引脚、NRD引脚、NCS引脚以及IRQ引脚连接，射频芯片（U810）的ALE引脚串联电阻一（R826）后，与3V3电源端连接，射频芯片（U810）的RSTPD引脚与电容一（C831）的一端连接，射频芯片（U810）的OSCIN引脚分两路分别与晶振（Y801）的一端以及电容二（C832）的一端连接，射频芯片（U810）的OSCOUT引脚分两路分别与晶振（Y801）的另一端以及电容三（C833）的一端连接，电容一（C831）的另一端、电容二（C832）的另一端以及电容三（C833）的另一端模拟接地，射频芯片（U810）的VMID引脚分两路分别与电容四（C817）的一端以及电阻二（R823）的一端连接，电容四（C817）的另一端模拟接地，电阻二（R823）的另一端分两路分别与电阻三（R824）的一端以及射频芯片（U810）的RX引脚连接，电阻三（R824）的另一端串联电容五（C818）后，与电阻四（R825）的一端连接，射频芯片（U810）的TX1引脚、TX2引脚分别与磁珠一（L801）的一端以及磁珠四（L804）的一端连接，磁珠一（L801）的另一端分三路分别与电容六（C819）的一端、电容七（C820）的一端以及电容八（C821）的一端连接，电容六（C819）的另一端分两路分别与电阻四（R825）的另一端以及射频变压器（T800）的3号端口连接，磁珠四（L804）的另一端分四路分别与电容九（C822）的一端、电容十（C823）的一端、电容十一（C824）的一端以及电容十二（C825）的一端连接，电容七（C820）的另一端、电容八（C821）的另一端、电容九（C822）的另一端、电容十（C823）的另一端模拟接地，电容十一（C824）的另一端分两路分别与电容十二（C825）的另一端以及射频变压器（T800）的2号端口连接，射频变压器（T800）的1号端口分两路分别与屏蔽座（J804）的2号端口以及电阻五（R827）的一端连接，电阻五（R827）的另一端模拟接地，射频变压器（T800）的4号端口与屏蔽座（J804）的1号端口连接，射频芯片（U810）的TCDD引脚分四路分别与磁珠二（L802）的一端、电容十三（C826）的一端、电容十四（C827）的一端以及片式电容器一（CT800）的正极连接，磁珠二（L802）的另一端分两路分别与磁珠三（L803）的一端以及贴片电阻一（B17）的一端连接，磁珠三（L803）的另一端分四路分别与射频芯片（U810）的AVDD引脚、电容十五（C828）的一端、电容十六（C829）的一端以及片式电容器二（CT899）的正极连接，贴片电阻一（B17）的另一端与电感线圈（U7）的1号端口连接，电感线圈（U7）的2号端口串联贴片电阻二（B8）后，与磁珠五（L805）的一端连接并模拟接地，磁珠五（L805）的另一端、电容十七（C830）的一端数字接地，电容十七（C830）的另一端、射频芯片（U810）的DVDD引脚与3V3电源端连接，射频芯片（U810）的TVSS引脚、AVSS引脚、电容十三（C826）的另一端、电容十四（C827）的另一端、片式电容器一（CT800）的负极、电容十五（C828）的另一端、电容十六（C829）的另一端以及片式电容器二（CT899）的负极模拟接地，电感线圈（U7）的4号端口串联贴片电阻三（B9）后，分三路与5V电源端、电容十八（C112）的一端以及电容十九（C13）的一端连接，电感线圈（U7）的3号端口与贴片电阻四（B10）的一端连接，贴片电阻四（B10）的另一端、电容十八（C112）的另一端、电容十九（C13）的另一端接地。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄科军，
申请(专利权)人：上海哈诚电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31