提供满足耐磨耗性和电特性，并且令人满意地抑制图像缺失的电子照相感光构件，和各自包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。电子照相感光构件包括表面层，所述表面层包括具有反应性官能团的空穴输送物质的聚合产物，其中空穴输送物质的除了反应性官能团以外的结构为以下之一：由碳原子和氢原子组成的结构，和由碳原子、氢原子和氧原子组成的结构；并且空穴输送物质的除了反应性官能团以外的结构包含特定的共轭结构。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子照相感光构件，和各自包括所述电子照相感光构件的处理盒和电 子照相设备。本专利技术还涉及新的稠合多环芳香族化合物。
技术介绍
因为由包括充电、曝光、显影、转印和清洁的一系列电子照相处理引起生的应力重 复施加至表面层，所以要求电子照相感光构件的表面层具有耐磨耗性和化学稳定性。 用于改进耐磨耗性的方法为，例如，涉及将固化性树脂引入至电子照相感光构件 的表面层中的方法。然而，当设置具有高耐磨耗性的表面层时，表面层几乎不磨耗，因此，表 面层的表面几乎不更新并且在表面上化学的劣化容易累积。化学的劣化为其中由于由一系 列的电子照相处理引起的应力使得空穴输送物质（空穴输送性化合物）引起化学变化的现 象。空穴输送物质的化学变化可能是其中在高温高湿环境下电子照相图像输出变得模糊的 现象（以下，有时称为"图像缺失"）产生的原因。因此，图像缺失的抑制要求抑制空穴输送 物质的化学变化。 作为改进空穴输送物质的化学稳定性的方法，涉及将添加剂与空穴输送物质一起 引入至表面层中的技术是可得的。专利文献1公开了通过将具有聚合性官能团的特定的含 氟原子单体添加至表面层来减轻图像缺失的技术。专利文献2-4各自公开了通过将特定的 胺化合物添加至表面层来减轻图像缺失的技术。专利文献5公开了通过将具有特定的聚合 性官能团的特定的硅氧烷化合物添加至表面层来减轻图像缺失的技术。 引f列表 专利f献 专利文献1:日本专利申请特开2007-11005 专利文献2:日本专利申请特开2007-272191 专利文献3:日本专利申请特开2007-272192 专利文献4:日本专利申请特开2007-279678 专利文献5:日本专利申请特开2008-70761
技术实现思路
专利技术要解决的问题 专利文献1-5的各自涉及使用添加剂的技术为用于缓和空穴输送物质暴露于应 力的技术，但不是用于改进空穴输送物质的化学稳定性的技术。近几年，电子照相感光构件 的耐久性的改进已显著进步，因此，图像缺失的进一步减轻的要求已提高。图像缺失的改善 不仅要求对于应力的暴露的缓和而且要求改进空穴输送物质本身的化学稳定性。 考虑到上述，本专利技术的目的是提供满足耐磨耗性和电特性并且令人满意地抑制图 像缺失的电子照相感光构件，和各自包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设 备。此外，本专利技术的目的是提供一种具有高化学稳定性的稠合多环芳香族化合物。 用于解决问题的方案 根据本专利技术的一方面，提供一种电子照相感光构件，其包括：支承体；和在支承体 上形成的感光层，其中电子照相感光构件的表面层包含具有反应性官能团的空穴输送物质 的聚合产物，其中，空穴输送物质的除了反应性官能团以外的结构为以下结构之一：由碳原 子和氢原子组成的结构以及由碳原子、氢原子和氧原子组成的结构；空穴输送物质的除了 反应性官能团以外的结构包括其包含含有24个以上的sp 2碳原子的共辄结构的结构，并且 其中，共辄结构包含含有12个以上的sp2碳原子的稠合多环结构。 根据本专利技术的另一方面，提供一种可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理 盒，其中处理盒一体化支承：上述电子照相感光构件；和选自由充电装置、显影装置、转印 装置和清洁装置组成的组的至少一种装置。 根据本专利技术的另一方面，提供一种电子照相设备，其包括：上述电子照相感光构 件；充电装置；曝光装置；显影装置；和转印装置。 根据本专利技术的另一方面，提供一种稠合多环芳香族化合物，其包括丙烯酰氧基和 甲基丙烯酰氧基之一，其中稠合多环芳香族化合物的除了丙烯酰氧基和甲基丙烯酰氧基以 外的结构为以下结构之一：由碳原子和氢原子组成的结构以及由碳原子、氢原子和氧原子 组成的结构；稠合多环芳香族化合物的除了丙烯酰氧基和甲基丙烯酰氧基之一的以外的结 构包括其包含含有24个以上的sp 2碳原子的共辄结构的结构，并且其中，共辄结构包含含 有12个以上的sp2碳原子的稠合多环结构。 专利技术的效果 如上所述，根据本专利技术，提供具有良好的耐磨耗性和电特性并且其中令人满意地 抑制图像缺失的电子照相感光构件，和各自包括上述电子照相感光构件的处理盒和电子照 相设备。此外，根据本专利技术，提供具有高化学稳定性的稠合多环芳香族化合物。【附图说明】 图1为示出包括电子照相感光构件的处理盒的实例的示意图。 图2为不出包括电子照相感光构件的电子照相设备的实例的不意图。 图3为示出用于在电子照相感光构件的表面中形成凹部的压接形状转印设备的 实例的示意图。 图4A为示出用于本专利技术的实施例感光构件9的模具构件的形状的示意图。 图4B为示出用于本专利技术的实施例感光构件9的模具构件的形状的示意图。【具体实施方式】 本专利技术的特征在于：表面层包含具有反应性官能团的空穴输送物质的聚合产物； 和空穴输送物质的除了反应性官能团以外的结构为由碳原子和氢原子组成的结构，或由碳 原子、氢原子和氧原子组成的结构。除了上述特征以外，本专利技术的特征在于，空穴输送物质 的除了反应性官能团以外的结构为其包括含有24个以上的sp 2碳原子的共辄结构的结构， 共辄结构包括含有12个以上的sp2碳原子的稠合多环结构。以下，具有上述特征的具有反 应性官能团的空穴输送物质有时称为本专利技术的空穴输送物质。 本专利技术的专利技术人认为图像缺失的一个原因为引入至通常的电子照相感光构件的 表面层的空穴输送物质的胺结构引起化学变化。考虑到上述，本专利技术的专利技术人研究了不依 赖胺结构的电子照相感光构件用的空穴输送物质，并且已实现本专利技术。 为了可以确保空穴输送性，如芳基胺化合物等胺化合物已用作用于电子照相感光 构件的空穴输送物质。作为用于本专利技术的术语"空穴输送性"指物质具有空穴输送性能，并 且可通过评价电子照相感光构件的如残余电位和感光度等电特性来得知空穴输送性能的 尺度。 芳基胺化合物的空穴输送性可通过由于其胺结构的氮原子周围的芳基或一组各 自具有SP2电子轨道的碳原子（以下，有时称为"sp2碳原子"）形成的基团的相互作用引起 的胺结构的给电子性来表现。同时，因为通过重复的电子照相处理剧烈地进行空穴的交换， 所以其芳基胺部位可处于易于受化学反应影响等的状态。特别是，该部位可倾向于易于受 到如由以下引起的氧化等变化的影响：带电步骤的放电能；或者通过放电现象生成的臭氧 或氧化性物质的作用。作为以上的结果，推测引起芳基胺部位的化学变化。 作为本专利技术的专利技术人深入研究的结果，他们发现，本专利技术的空穴输送物质的聚 合产物在表面层中的使用满足耐磨耗性和电特性，并且对图像缺失具有抑制效果。以 上可能的原因在于与芳基胺化合物相比，本专利技术的空穴输送物质对化学变化的敏感性 (susceptibility)降低，这是因为本专利技术的空穴输送物质不具有芳基胺结构，具体地，不具 有氮原子。 本专利技术的空穴输送物质的除了反应性官能团以外的结构，从空穴输送性能的观 点，包括其包括含有24个以上的sp 2碳原子的共辄结构的结构，并且共辄结构包括含有12 个以上的sp2碳原子的稠合多环结构。具有28个以上的sp 2碳原子的共辄结构是优选的。 术语"共辄结构"指其中sp2碳原子连续键合的结构。共辄结构具有以下性质：该结构促进 分子内电子的离域化，从而便于分子之间电荷的交换。用于本专利技术的术语"稠合多环结构" 指其中两个以上本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子照相感光构件，其包括：支承体；和在所述支承体上形成的感光层，其特征在于，所述电子照相感光构件的表面层包含具有反应性官能团的空穴输送物质的聚合产物，其中，所述空穴输送物质的除了所述反应性官能团以外的结构为以下之一：由碳原子和氢原子组成的结构；和由碳原子、氢原子和氧原子组成的结构，所述空穴输送物质的除了所述反应性官能团以外的结构包含如下的结构：包含含有24个以上的sp2碳原子的共轭结构，和其中，所述共轭结构包含含有12个以上的sp2碳原子的稠合多环结构。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：小坂宣夫，中田浩一，高木进司，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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