红外线传感器及红外线传感器芯片制造技术

红外线传感器(101)具有：半导体基板，在其上表面具有凹部；上部层，其形成于所述半导体基板的上侧，具有与所述凹部对应地开口的传感器开口部(3)；以及传感器部(2)，其以将传感器开口部(3)的内周的第1部位(61)和第2部位(62)之间连接起来的方式，在离开所述凹部的内表面的状态下呈S字形横穿传感器开口部(3)。传感器部(2)在真空中被密封。传感器部(2)的中央部(4)被配置为能够接受来自观测对象的红外线。传感器部(2)具有将中央部(4)与第1部位(61)及第2部位(62)之间的温度差变换为电信号的热电变换构造。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】红外线传感器及红外线传感器芯片
本专利技术涉及红外线传感器及红外线传感器芯片。
技术介绍
在近年来的电子设备中进行了检测周围环境并将其检测结果用于运转控制。例如，在空调器中进行检测人的存在并瞄准人所在的位置进行温度控制的运转控制。另外，在照明设备中进行检测固定区域内有无人的存在并切换该区域的照明的接通/断开的控制。在这样的控制中使用检测周围环境用的传感器装置。作为传感器装置的一种，有时使用根据来自物体的辐射热而非接触地检测物体温度的红外线传感器。基于现有技术的红外线传感器的第1例记载于日本特开2001－281065号公报(专利文献1)中。在专利文献1所记载的红外线传感器中，长方形的传感器部以在设于基板上表面的凹部的上方浮起的方式由两条支撑部进行支撑，该传感器部呈将SOI层保持在埋设氧化硅膜层的内部的形状，该SOI层包括作为热电变换用而形成的pn接合构造。各支撑部形成为细长状，并两次直角弯折。在支撑部配置有金属配线。另外，基于现有技术的红外线传感器的第2例记载于日本特开2006－170937号公报(专利文献2)中。专利文献2所记载的红外线传感器具有以在设于基板的凹部的上方浮起的方式配置的正方形的红外线吸收膜。红外线吸收膜由两条支撑梁进行支撑。氧化硅膜被层压在基板的上侧，支撑梁将红外线吸收膜与氧化硅膜连接。各支撑梁呈两次直角弯折的形状，在各支撑梁的内部，P型聚硅酮层和N型聚硅酮层形成为线状，由这些聚硅酮层构成热电堆。红外线吸收膜接受红外线而成为高温，由此在红外线吸收膜与周围的氧化硅膜之间产生温度差，由热电堆将该温度差变换为电信号，从而能够检测红外线的量。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001－281065号公报专利文献2：日本特开2006－170937号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题为了也能够应对细致的运转控制，需要提高红外线传感器的灵敏度。另一方面，也需要将响应速度的快慢维持在某种程度以上的水平。因此，本专利技术的目的在于，提供良好地保持响应速度而且高灵敏度的红外线传感器及红外线传感器芯片。用于解决问题的手段为了达到上述目的，本专利技术的红外线传感器具有：半导体基板，在其上表面具有凹部；上部层，其形成于所述半导体基板的上侧，具有与所述凹部对应地开口的传感器开口部；以及传感器部，其以将所述传感器开口部的内周的第1部位和第2部位之间连接起来的方式，在离开所述凹部的内表面的状态下呈S字形横穿所述传感器开口部，所述传感器部在真空中被密封，所述传感器部的中央部被配置为能够接受来自观测对象的红外线，所述传感器部具有将所述中央部与所述第1部位及所述第2部位之间的温度差变换为电信号的热电变换构造。专利技术效果根据本专利技术，能够实现良好地保持响应速度而且高灵敏度的红外线传感器。附图说明图1是基于本专利技术的实施方式1的红外线传感器芯片的立体图。图2是基于本专利技术的实施方式1的红外线传感器的立体图。图3是基于本专利技术的实施方式1的红外线传感器的俯视图。图4是基于本专利技术的实施方式1的红外线传感器中包含的热电堆的俯视图。图5是有关图3中的V-V线的向视剖面图。图6是基于本专利技术的实施方式1的红外线传感器具有的传感器部的形状的说明图。图7是基于本专利技术的实施方式1的红外线传感器具有的传感器部的各部分的尺寸的说明图。图8是有关传感器部的宽度的比较实验的结果的曲线图。图9是基于本专利技术的实施方式1的红外线传感器的变形例的俯视图。具体实施方式作为红外线传感器的一种，有热电堆型红外线传感器。红外线传感器不限于热电堆型，也可以考虑测辐射热计型的红外线传感器、热电型的红外线传感器。后述的本专利技术不限于热电堆型红外线传感器，也能够用于测辐射热计型红外线传感器、热电型红外线传感器。但是，在此暂且以热电堆型红外线传感器为例进行说明。在热电堆型红外线传感器中，包括在真空中密封传感器元件的类型和配置于空气中的类型这两种传感器。在此，关注于在真空中密封的类型进行说明。在真空中密封传感器元件的类型的传感器借助隔热效果，作为传感器的灵敏度提高。从理论上讲，传感器的灵敏度S能够按照以下所述导出。S＝n·α·Rth·η·AS·Pinn：一个传感器元件中包含的热电偶的数量α：塞贝克系数Rth：热电阻η：吸收率AS：吸收膜面积Pin：入射光强度从理论上讲，减少梁的条数，在梁越细、越长、越薄时，滞留于红外线吸收膜的热量越不易释放，因而作为传感器的灵敏度提高。并且，从理论上讲，红外线吸收膜的面积越大时，接受的红外线的量越多，因而作为传感器的灵敏度提高。另一方面，为了提高响应速度，需要使滞留于红外线吸收膜的热量迅速释放，因而优选增大梁的宽度。另外，在热电堆中包含的热电偶的数量越多时，作为传感器的灵敏度越高。但是，如果配置数量众多的热电偶，则梁的宽度也需要某种程度的宽度。本专利技术正是作为考虑这些情况进行研究的结果而完成的。(实施方式1)下面，参照图1～图5说明基于本专利技术的实施方式1的红外线传感器。如图1所示，基于本专利技术的红外线传感器芯片601具有主体部501。主体部501呈平板状，在一个主表面的中央部具有受像区域10。在受像区域10中，多个红外线传感器101呈矩阵状配置。在主体部501的表面中受像区域10的外侧配置有几个外部电极504。在图1中，在受像区域10中配置有8×8计64个红外线传感器101，但这仅是为便于说明的一例，实际上红外线传感器101的数量可以比此多，也可以比此少。例如也可以是16×16。在图1所示的例子中，位于受像区域10中的红外线传感器101的个数是纵向和横向相同，但这毕竟是一例，不限于这种结构。也可以是，在受像区域中红外线传感器的纵向的个数和横向的个数不同。另外，也可以替代将多个红外线传感器101在主体部501配置成矩阵状，而是在一个主体部仅配置一个红外线传感器。图2表示将图1所示的多个红外线传感器101中的一个红外线传感器放大的情况。红外线传感器101具有S字形的传感器部2。在平面上观察，形成为在大致正方形的传感器开口部3的内部支撑传感器2的构造。此处所讲的“传感器部”是指S字形的部件。传感器部2的两端与周边的部件连接成为一体。图3表示一个红外线传感器101的俯视图。传感器部2具有中央部4。传感器开口部3的内周具有第1部位61和第2部位62。传感器部2具有将中央部4作为温接点、将第1部位61作为冷接点的第1热电堆。传感器部2具有将中央部4作为温接点、将第2部位62作为冷接点的第2热电堆。此处所讲的“热电堆”是指将多个热电偶被串联连接形成的部件配置成热电偶束得到的构造体。各个热电偶通过将P型部和N型部组合起来，构成从温接点和冷接点任意一方开始并在另一方折返的往复形式的配线。由于多个热电偶被串联连接，因而作为热电堆整体形成为在温接点和冷接点之间反复往复的形式的配线。第1热电堆和第2热电堆也可以串联连接。图4表示更详细地示出一个红外线传感器101中包含的热电堆。一个红外线传感器101中包含的热电堆形成为第1热电堆和第2热电堆的组合体。这些热电堆包括P型层11、N型层12、配线13、和引出配线14a、14b。P型层11和N型层12通过配线13交替地串联连接，沿着传感器部2整体以一笔写就的方式排列。引出配线14a、14b是用于将配线从围绕传感器部2铺设的第1热电堆和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外线传感器，该红外线传感器具有：半导体基板，在其上表面具有凹部；上部层，其形成于所述半导体基板的上侧，具有与所述凹部对应地开口的传感器开口部；以及传感器部，其以将所述传感器开口部的内周的第1部位和第2部位之间连接起来的方式，在离开所述凹部的内表面的状态下呈S字形横穿所述传感器开口部，所述传感器部在真空中被密封，所述传感器部的中央部被配置为能够接受来自观测对象的红外线，所述传感器部具有将所述中央部与所述第1部位及所述第2部位中至少一方之间的温度差变换为电信号的热电变换构造。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.03.14 JP 2013-0515051.一种红外线传感器，该红外线传感器具有：半导体基板，在其上表面具有凹部；上部层，其形成于所述半导体基板的上侧，具有与所述凹部对应地开口的传感器开口部；以及传感器部，其以将所述传感器开口部的内周的第1部位和第2部位之间连接起来的方式，在离开所述凹部的内表面的状态下呈S字形横穿所述传感器开口部，所述传感器部在真空中被密封，所述传感器部的中央部被配置为能够接受来自观测对象的红外线，所述传感器部具有将所述中央部与所述第1部位及所述第2部位中至少一方之间的温度差变换为电信号的热电变换构造，所述传感器部具有：第1边，其从所述第1部位呈直线状延伸；第2边，其从所述第1边的所述第1部位的相反侧的端部向接近所述中央部的一侧直角弯折；以及第3边，其从所述第2边的与所述第1边连接的端部的相反侧的端部朝向所述中央部直角弯折，所述第1边和所述第3边之间的间隙呈一直线状。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：相田富实二，川井和哉，田中纯一，盐崎真良，仲田宏宪，
申请(专利权)人：欧姆龙株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP