一种低残压气体放电管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低残压气体放电管，包括上电极、陶瓷管和下电极，所述上电极和下电极封装在陶瓷管两端，所述陶瓷管的内壁上设有T型导电带，所述T型导电带由碳粉组成；上电极、和下电极的外端面中部设有凹槽，并且位于陶瓷管内的内端面向外凸出；在所述上电极、陶瓷管和下电极封装形成的封装腔内充有惰性气体。本实用新型专利技术的T型导电带能提供更多放电尖端，使气体放电管里面的气体会更容易电离，因此在浪涌或者雷击电流出现时，能大大降低残压，也就能更快起到保护作用。

【技术实现步骤摘要】

本实用涉及一种安防类元器件，具体涉及一种低残压气体放电管。
技术介绍
目前，在通信安防领域，气体放电管由于低电容，具有大的抗浪涌能力，在各类基站，路由器，机顶盒等通信设备上得到大量运用，但气体放电管的一个缺点就是反应速度过慢，残压较高，因此对其保护的设备存在一定的隐患。
技术实现思路
针对现有的气体放电管残压较高的问题，本技术提供了一种低残压气体放电管。本技术采取的技术方案是:一种低残压气体放电管，包括上电极、陶瓷管和下电极，所述上电极和下电极封装在陶瓷管两端，所述陶瓷管的内壁上设有T型导电带。进一步的，所述T型导电带由碳粉组成。进一步的，所述T型导电带由铅芯在陶瓷管内壁上所划形成。进一步的，所述上电极、和下电极的外端面中部设有凹槽，并且位于陶瓷管内的内端面向外凸出。进一步的，所述上电极、陶瓷管和下电极封装形成的封装腔内充有惰性气体，所述惰性气体包括氩气，氖气。本技术的有益效果是:上电极与陶瓷管以及下电极通过高温封装，在封装腔内，充一定压强的惰性气体，并且引入了陶瓷管内壁所划的“T”型导电带(使用铅芯(2H)所划)，在气体放电管受到浪涌电压或雷击时，由于“T”型导电带是使用铅芯(2H)所划，会产生比普通“I”型导电带更多的放电尖端，使气体放电管放电更快，同时大大降低了残压。【附图说明】图1是本技术的结构拆分示意图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术作进一步说明。如图1所示，一种低残压气体放电管，包括上电极1、陶瓷管2和下电极3，所述上电极I和下电极3封装在陶瓷管2两端，所述陶瓷管2的内壁上设有T型导电带4。本技术中，上电极1、陶瓷管2以及下电极3通过高温(830度30秒)封装。在封装腔内，充一定压强的惰性气体(Ar，Ne等)。陶瓷管2内壁上的T型导电带4使用铅芯(2H)所划形成。在气体放电管受到浪涌电压或雷击时，由于T型导电带4是使用铅芯(2H)所划、由碳粉组成，因此会产生更多的放电尖端，使气体放电管放电更快，大大降低了残压。本技术未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。【主权项】1.一种低残压气体放电管，包括上电极(I)、陶瓷管(2)和下电极(3)，其特征在于:所述上电极(I)和下电极(3)封装在陶瓷管(2)两端，所述陶瓷管(2)的内壁上设有T型导电带⑷。2.根据权利要求1所述的一种低残压气体放电管，其特征在于:所述T型导电带(4)由碳粉组成。3.根据权利要求1所述的一种低残压气体放电管，其特征在于:所述T型导电带(4)由铅芯在陶瓷管(2)内壁上所划形成。4.根据权利要求1所述的一种低残压气体放电管，其特征在于:所述上电极(1)、和下电极(3)的外端面中部设有凹槽，并且位于陶瓷管(2)内的内端面向外凸出。5.根据权利要求1所述的一种低残压气体放电管，其特征在于:所述上电极(1)、陶瓷管(2 )和下电极(3 )封装形成的封装腔内充有惰性气体，所述惰性气体包括氩气，氖气。【专利摘要】本技术公开了一种低残压气体放电管，包括上电极、陶瓷管和下电极，所述上电极和下电极封装在陶瓷管两端，所述陶瓷管的内壁上设有T型导电带，所述T型导电带由碳粉组成；上电极、和下电极的外端面中部设有凹槽，并且位于陶瓷管内的内端面向外凸出；在所述上电极、陶瓷管和下电极封装形成的封装腔内充有惰性气体。本技术的T型导电带能提供更多放电尖端，使气体放电管里面的气体会更容易电离，因此在浪涌或者雷击电流出现时，能大大降低残压，也就能更快起到保护作用。【IPC分类】H01J61/36, H01J61/02【公开号】CN204720417【申请号】CN201520437148【专利技术人】何才云 【申请人】江苏东光电子有限公司【公开日】2015年10月21日【申请日】2015年6月24日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低残压气体放电管，包括上电极（1）、陶瓷管（2）和下电极（3），其特征在于：所述上电极（1）和下电极（3）封装在陶瓷管（2）两端，所述陶瓷管（2）的内壁上设有T型导电带（4）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何才云，
申请(专利权)人：江苏东光电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32